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最新专利技术
  • 一种多轴驱动的电解质等离子体抛光装置及抛光方法
    一种多轴驱动的电解质等离子体抛光装置及抛光方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511593395.5
    本申请提供了一种多轴驱动的电解质等离子体抛光装置及抛光方法，本方案通过供电系统、伺服传动系统、电解槽、电解液系统及控制系统的协同作用，可以根据三维形状复杂自由曲面的大型工件的几何参数，能够实现旋转和平移协调操作，避免复杂工件在狭窄和薄边上损...
    2026-03-21
  • 一种用于弓形零件的弹性压紧排列电抛治具及其工作方法
    一种用于弓形零件的弹性压紧排列电抛治具及其工作方法_沈阳富创精密设备股份有限公司_202511685903.2
    本发明涉及半导体设备零部件表面处理技术领域，具体涉及一种用于弓形零件的弹性压紧排列电抛治具及其工作方法。将弓形零件放置于挂杆上，通过弹性压紧架进行柔性压紧，利用限位块固定其位置；旋转旋钮调节弹性压紧架的压紧力至合适程度；铜勾连接外部电抛电源...
    2026-03-21
  • 一种电化学腐蚀装置及其方法
    一种电化学腐蚀装置及其方法_西安纳谱科技有限公司_202511726161.3
    本发明的一种电化学腐蚀装置及其方法，属于高精密工业技术领域，包括：S1、设置电化学工作站主机、位移与夹持系统、协同场发生器以及间隙感知系统，其中，位移与夹持系统包括用于夹持工件的工件夹具、电解池以及驱动工件夹具沿Z轴运动的Z轴伺服马达，协同...
    2026-03-21
  • 一种高纯氮化铝单晶粉体的制备方法
    一种高纯氮化铝单晶粉体的制备方法_江苏联瑞新材料股份有限公司_202511514776.X
    本发明公开了一种高纯氮化铝单晶粉体的制备方法。所述方法将原料铝粉和氮化铝粉按配比混匀后，置于气压烧结炉中，抽真空后通入高压氩气，升温至设定温度后通入氮气发生燃爆反应，随后冷却至室温，经破碎后得到D50=20‑200μm的高纯氮化铝单晶粉体。...
    2026-03-21
  • 一种全无机钙钛矿单晶及低温溶液生长方法和应用
    一种全无机钙钛矿单晶及低温溶液生长方法和应用_陕西师范大学_202511524147.5
    本发明公开了一种全无机钙钛矿单晶及低温溶液生长方法和应用，属于钙钛矿单晶技术领域。该方法使用有机胺盐作为助溶剂，促进CsCl和PbCl22在有机溶剂中的溶解，使用有机胺盐辅助生长无机钙钛矿单晶可在温度低于150℃的较低温度下生长出尺寸可控的...
    2026-03-21
  • 一种高性能碲化铋基热电材料及其制备方法
    一种高性能碲化铋基热电材料及其制备方法_电子科技大学(深圳)高等研究院_202511500224.3
    本发明公开了一种高性能碲化铋基热电材料及其制备方法，所述碲化铋基热电材料的化学式为XaaBi2‑x2‑xSbxxTe3+y3+y，其中，X为掺杂的过渡金属元素，0＜a≤0.1, 0≤x≤1, 0≤y≤1；其制备方法包括以下步骤：分别称取铋、...
    2026-03-21
  • 磁控定向凝固设备及方法
    磁控定向凝固设备及方法_滨州魏桥国科高等技术研究院_202511877987.X
    本公开涉及磁控定向凝固的技术领域，例如涉及一种磁控定向凝固设备及方法，设备包括：电磁搅拌加热组件，其内部设置有加热腔室；坩埚，设置于加热腔室内，用于容纳待处理的金属棒料；冷却装置，位于电磁搅拌加热组件的底部，并且设置有正对加热腔室的冷却腔室...
    2026-03-21
  • 一种用于区熔硅单晶生长的气相掺杂方法
    一种用于区熔硅单晶生长的气相掺杂方法_有研半导体硅材料股份公司_202511521455.2
    本发明公开了一种用于区熔硅单晶生长的气相掺杂方法。该方法包括以下步骤：(1)测量并收集不同电阻率规格单晶的历史掺杂数据；(2)根据电阻率规格对数据进行分组，根据单晶直径对单晶截面电阻率进行修正，并剔除异常数据；(3)对单晶截面电阻率与等径掺...
    2026-03-21
  • 一种单晶硅棒制备用单晶硅生长炉
    一种单晶硅棒制备用单晶硅生长炉_江苏晶品新能源股份有限公司_202511516950.4
    本申请公开了一种单晶硅棒制备用单晶硅生长炉，包括基座、炉体、保护气体供应单元、第一驱动机构、炉盖、连接室、第二驱动机构、上副室、下副室、籽晶夹具提拉旋转单元、坩埚单元、坩埚驱动机构以及加热单元；第一驱动机构用于驱动炉盖移动，第二驱动机构用于...
    2026-03-21
  • 一种单晶炉多晶硅料自动化加料装置
    一种单晶炉多晶硅料自动化加料装置_连城凯克斯科技有限公司_202511382549.6
    本发明属于坩埚加料技术领域，具体的说是一种单晶炉多晶硅料自动化加料装置，包括矩筒，矩筒的内部固定安装有流料筒，流料筒的顶部固定安装有料仓，料仓的顶部固定安装有投料口，矩筒的底部固定安装有法兰盘，流料筒的内部设置有筛料板，筛料板的顶部设置有碾...
    2026-03-21
  • 节能型自动化单晶炉
    节能型自动化单晶炉_云南嘉泰来新材料有限公司_202511494736.3
    本发明实施例提供的节能型自动化单晶炉，涉及晶体生长设备技术领域。其包括炉体，且炉体从下至上依次设置有底座、炉壁以及炉盖，其特征在于：炉盖与炉壁的法兰通过液压升降机构与旋转锁紧装置相结合；炉壁为双层水冷不锈钢炉壁；炉体内部最底层为坩埚旋转升降...
    2026-03-21
  • 一种单晶炉异形加热器
    一种单晶炉异形加热器_北京北方华创真空技术有限公司_202511703859.3
    本申请涉及一种单晶炉异形加热器，涉及单晶硅制备设备的技术领域，加热器包括加热环以及连接腿，加热环轴向沿竖直方向设置，连接腿长度方向沿水平方向设置，并且连接腿一端与加热环固定连接且电连接。本申请通过将连接腿设计为水平设置，使得连接腿产生的热量...
    2026-03-21
  • 结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质
    结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511494017.1
    本发明提供了一种结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质，属于半导体生产技术领域。该结晶控制设备包括：自动温度控制ATC系统，还包括：测距单元，用于测量目标点到晶棒表面的距离数据，所述目标点为所述测距单元所在位置，所述晶棒位于所述拉...
    2026-03-21
  • 一种从锌浸出渣中提纯锗并提拉单晶的集成工艺方法
    一种从锌浸出渣中提纯锗并提拉单晶的集成工艺方法_泸溪蓝天高科有限责任公司_202511844198.6
    本发明涉及单晶生长技术领域，公开一种从锌浸出渣中提纯锗并提拉单晶的集成工艺方法，包括：等径生长阶段周期性执行稳定生长期与瞬态扰动期步骤，稳定期监测驱动力矩信号；扰动期由时长或力矩漂移触发，通过同时且耦合地控制晶体与坩埚转速，改变其相对角速度...
    2026-03-21
  • 一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法
    一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法_刘大壮_202511600209.6
    一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法，涉及人工晶体制备领域，本发明通过多套测径机构同步采集晶体冷却盘上每一圈晶体的直径数据Di，为每一圈直径Di分配一个可调系数Ki，将多圈直径偏差加权组合为新直径偏差，结合加权组合的直径...
    2026-03-21
  • 一种碳化硅材料制备用加热结构
    一种碳化硅材料制备用加热结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511242245.X
    本发明涉及机械技术领域。一种碳化硅材料制备用加热结构，包括石墨加热器，石墨加热器包括底部加热器以及侧面加热器，底部加热器的中央设置有用于避让升降机构的中空避让孔；底部加热器包括两个镜像对称设置的石墨电极连接区以及底部串接区；侧面加热器包括周...
    2026-03-21
  • 大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置
    大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置_中国科学院物理研究所_202511378622.2
    本发明提供大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置。具体地，本发明的装置包括石墨坩埚主体和与石墨坩埚主体配合的石墨坩埚盖；其中：石墨坩埚盖自其顶壁起依次包括扩径部段和等径部段，扩径部段的内径自上而下逐渐增大；等径部段位于扩径部段下端，其内径恒定；...
    2026-03-21
  • 低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置
    低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置_河北同光半导体股份有限公司_202511486262.8
    本发明提供了一种低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置，包括坩埚本体、多孔石墨过滤板以及丝网过滤件。坩埚本体具有生长腔，所述坩埚本体中设有籽晶，所述籽晶位于所述生长腔的顶部；所述生长腔的底部用于盛放SiC多晶原料；多孔石墨过滤板设置在所述生长腔中...
    2026-03-21
  • N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件
    N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511496528.7
    本发明涉及一种N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件，涉及半导体领域，包括：将籽晶、长晶原料和N型掺杂原料利用物理气相传输法进行长晶，得到N型掺杂碳化硅单晶；其中，所述N型掺杂原料包括：氮气和氨气的混合气。本发明提供的制备方法，...
    2026-03-21
  • 一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置
    一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置_山东大学_202511506945.5
    本发明公开了一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置，属于半导体材料制备技术领域。本发明提供的方法包括如下步骤：将SiC粉料装入坩埚，固定籽晶并放置生长所需组件，密封SiC生长腔室后进行抽真空处理；升温至设定温度，并通入惰性气体...
    2026-03-21
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