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  • 本发明提供一种钙钛矿型压电陶瓷材料及其制备方法,通过在钙钛矿型铌锌酸铅‑锆钛酸铅(PZN‑PZT)压电基体中引入在沿[111]晶体方向具有大畸变的铪酸铅PbHfO33(PH)基元,利用PH比PbZrO33(PZ)在[111]晶体方向具有更大...
  • 本发明公开了一种稀土钨酸盐/氧化铬复合光谱调控粉体材料及其制备方法和应用,由如下重量份的组分制成:Pr22(WO44)33 30–85重量份、Cr22O33 17‑70重量份、助熔剂1.8‑2.2重量份、表面改性剂0.8‑1.2重量份和超分...
  • 本发明公开了一种钨基陶瓷靶材及其制备方法与应用。涉及粉末冶金技术领域。上述钨基陶瓷靶材的组分,包括钨氧混合物、第一掺杂剂和第二掺杂剂;上述钨氧混合物选自Magneli相钨氧混合物,和/或,上述钨氧混合物选自钨单质和氧化钨;上述第一掺杂剂包括...
  • 本发明公开了一种兼具高红外发射率与雷达隐身性能的耐高温材料及其制备方法,涉及新材料制备技术领域。制备方法按照RE:A=(1‑x):x,且(RE+A):Nb=3 : 1的摩尔比例分别称量适量的RE(NO33)33·6H22O,A(NO33)2...
  • 本发明属于热障涂层陶瓷粉体制备领域,具体涉及一种氧化锆掺杂稀土钽铌酸盐高韧性陶瓷粉体及制备方法。涉及的一种氧化锆掺杂稀土钽铌酸盐高韧性陶瓷粉体,所述陶瓷粉体的分子式为(RETa1/21/2Nb1/21/2O44)x(ZrO22)1‑x1‑x...
  • 本申请公开了一种球形纳米固态电解质陶瓷粉末的制备方法、固态电解质及固态电池,属于新能源技术领域。该制备方法包括以下步骤:将油相和表面活性剂混合得到混合溶液;将前驱体水溶液加入所述混合溶液中得到反向反相微乳液;其中,前驱体水溶液包括固态电解质...
  • 本申请属于陶瓷材料技术领域,尤其涉及一种5G微波介质陶瓷材料及其制备方法,以及一种微波介质陶瓷器件。5G微波介质陶瓷材料的原料组分包括:第一陶瓷材料和第二陶瓷材料,第一陶瓷材料包括Ca1‑x1‑x(La1‑y1‑yBiyy)2x/32x/3...
  • 本发明属于中熵陶瓷材料技术领域,涉及一种钇‑锆‑铈三元中熵氧化物陶瓷材料的制备方法,按摩尔比为1 : 2 : 2的比例称取Y22O33粉、ZrO22粉、Ce022粉,进行球磨混合后得到混合粉体,混合粉体干燥后预压制坯,进行微波烧结,合成等摩...
  • 本发明涉及透明陶瓷材料技术领域,尤其是涉及一种光致变色透明陶瓷及其制备方法和应用。光致变色透明陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将透明陶瓷基料和添加剂混合制成素坯,然后进行冷等静压、烧结、热等静压和退火处理;透明陶瓷基料与添加剂的摩尔比为(99...
  • 本发明公开了一种Y位掺杂的Y55O44F77陶瓷热喷涂粉末及其制备方法,涉及中熵陶瓷材料技术领域。所述Y位掺杂的Y55O44F77陶瓷热喷涂粉末的化学式为(Y0.250.25Eu0.250.25Yb0.250.25Sm0.250.25)55...
  • 本发明提供了一种石墨烯泡棉的制备方法,所述制备方法包括:S10、将氧化石墨烯滤饼与芳纶纳米纤维分散于水中得到混合溶液,所述混合溶液经涂布形成复合膜;S20、将所述复合膜干燥处理去除部分结合水及部分含氧官能团得到中间体;以及,S30、将所述中...
  • 本发明公开了一种界面稳定的石墨烯基导热膜及其制备方法。在制备石墨烯膜时利用带有特定尺寸网纹结构的基底,一方面利于高表面能的氧化石墨烯前驱体薄膜与基体分离,一方面为后续碳化物的原位生长提供更多稳定的成核位点与互锁界面。原位生长的方法可以在石墨...
  • 本申请涉及材料技术领域,特别是涉及一种高导热石墨烯复合膜及其制备方法。本申请提供一种高导热石墨烯复合膜,包括石墨烯层和碳化钛,石墨烯层间通过碳化钛连接,所述石墨烯为还原氧化石墨烯,碳化钛的颗粒粒径≤200 nm,碳化钛占石墨烯复合膜的1~1...
  • 本发明提供一种具有拉伸塑性的超高温陶瓷复合材料及其制备方法,涉及陶瓷复合材料领域。所述具有拉伸塑性的超高温陶瓷复合材料的制备方法,包括有以下步骤:挤出成型、固化处理、热压烧结;所述挤出成型的方法为,第一陶瓷浆料、第二陶瓷浆料、第三陶瓷浆料同...
  • 本申请提供了一种(ZrHfVCrMoW)Cxx复相碳化物陶瓷及其制备方法和应用,属于复相陶瓷技术领域,(ZrHfVCrMoW)Cxx复相碳化物陶瓷为复相面心立方结构,复相碳化物陶瓷中Zr、Hf、V、Cr、Mo、W各金属元素的摩尔百分比相等,...
  • 本发明涉及增材制造技术领域,具体涉及一种高固含量低粘度的高熵陶瓷光固化浆料及其制备方法。该浆料包括以下原料,按质量百分比计:高熵陶瓷粉末50‑70份、光敏树脂25‑45份、光引发剂1‑3份、分散剂2‑5份、流平剂0.5‑1.5份。本发明通过...
  • 本发明公开一种低密度耐冲击C/SiC陶瓷复合材料及其制备方法。该方法包括:提供碳纤维编织体和由硅粉、第一壳聚糖、碳化锆粉复配而成的预混料;将碳纤维编织体和第二壳聚糖混合,随后经预处理,得到C/C坯料;以C/C坯料和预混料为原料,通过反应熔渗...
  • 本发明公开一种基于流延成型的碳化硅静电卡盘及其制备方法,碳化硅静电卡盘包括有基座、邦定材料层以及陶瓷片;该陶瓷片采用碳化硅原粉、体积电阻调控剂、烧结助剂和球磨添加剂通过流延、压合和烧结形成,并包含有通过丝网印刷制备的发热电极层以及吸附电极层...
  • 本发明公开了一种高性能碳化硅陶瓷构件及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1、制备两种丝材:分别制备核壳结构复合丝材和过渡层丝材;S2、梯度熔融沉积打印:使打印生坯的材料成分从内到外呈连续梯度变化;S3、低温催化反应:形成初始孔隙通道;S4...
  • 本发明属于电解铝领域,具体公开了一种电解铝用碳化硅阳极的生产方法,包括:S1、准备重量占比为90‑95%的高纯度碳化硅粉末、3%‑5%的粘结剂、1%‑3%的石墨粉和1%‑2%的硅粉;S2、将所述粘结剂预热至液态;S3、将所述碳化硅粉末、石墨...
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