Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用
    高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用_华南理工大学_202511855120.4
    高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用，其中高迁高稳氧化物半导体材料，为通过在金属氧化物MO中掺入磁性材料MA形成化学式为(MA)xx(MO)1‑x1‑x的半导体材料，且0.001≤x≤0.3，从而使其载流子具有可电场控制的自旋...
    2026-01-24
  • 一种基于磁畴壁往复运动的纳米振荡器
    一种基于磁畴壁往复运动的纳米振荡器_兰州大学_202511443028.7
    一种基于磁畴壁往复运动的纳米振荡器，整体呈圆柱形圆盘叠层结构，包括沿轴向依次层叠设置的第一重金属层、第一磁性层、第二重金属层、绝缘层、第三重金属层、第二磁性层及第四重金属层；所述第一重金属层和第二重金属层传输面内直流电流并通过自旋霍尔效应产...
    2026-01-24
  • 一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法
    一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511270607.6
    本发明涉及一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法，包括如下步骤：在碳化硅/石墨烯基底上沉积多个金属电极；在所述金属电极表面以及多个金属电极之间沉积沟道保护金属；刻蚀沉积有沟道保护金属之外区域的石墨烯；在所述沟道保护金属表面及周围沉积超...
    2026-01-24
  • 一种基于纳米激光直写的忆阻器的制备方法
    一种基于纳米激光直写的忆阻器的制备方法_哈尔滨工程大学三亚南海创新发展基地_202511267396.0
    本发明提供了一种基于纳米激光直写的忆阻器的制备方法，涉及忆阻器的制备技术领域, 在高阻硅衬底上采用直流磁控溅射法沉积粘附层和铜薄膜；通过光刻工艺在所述铜薄膜上形成电极图形；在电极图形间未蚀刻区域，采用纳米激光直写技术构建金属‑氧化物‑金属桥...
    2026-01-24
  • 一种掺杂五氧化二钒阻变材料及其构建方法与性能仿真方法
    一种掺杂五氧化二钒阻变材料及其构建方法与性能仿真方法_重庆邮电大学_202511421767.6
    本发明涉及一种掺杂五氧化二钒阻变材料及其构建方法与性能仿真方法，属于阻变材料的技术领域。针对现有五氧化二钒阻变材料导电细丝产生随机性强、电学性能不稳定的问题，提供一种通过原子替位掺杂改善的阻变材料。该材料采用1*2*2扩胞结构的五氧化二钒，...
    2026-01-24
  • 选通管的制造方法
    选通管的制造方法_昕原半导体(上海)有限公司_202410905203.9
    本发明公开了一种选通管的制造方法，选通管的制造方法包括：制备衬底，在衬底上侧沉积介质层；在介质层上侧沉积下电极层，在下电极层上侧沉积第一金属层；在第一金属层上侧沉积阻变层，在阻变层上沉积第二金属层；在第二金属层上沉积上电极层，以形成晶圆；翻...
    2026-01-24
  • 选通器的制造方法和选通器
    选通器的制造方法和选通器_昕原半导体(上海)有限公司_202410905238.2
    本发明公开了一种选通器的制造方法和选通器，选通器的制造方法包括：对污染金属层进行晶边刻蚀，以在污染金属层第一方向的一侧形成第一刻蚀斜面；在污染金属层上沉积金属硬掩模层，其中，金属硬掩模层至少覆盖污染金属层的上侧和第一刻蚀斜面；在金属硬掩模层...
    2026-01-24
  • 选通器的制造方法和选通器
    选通器的制造方法和选通器_昕原半导体(上海)有限公司_202410905254.1
    本发明公开了一种选通器的制造方法和选通器，选通器的制造方法包括：在污染金属层上沉积第一金属硬掩模层；在第一金属硬掩模层上沉积第二金属硬掩模层；在第二金属硬掩模层上沉积第二电极层；通过第一刻蚀工艺刻蚀第二电极层和第二金属硬掩模层，并且停留在第...
    2026-01-24
  • 一种基于非晶ITZO的高线性光电子突触器件及制备方法和应用
    一种基于非晶ITZO的高线性光电子突触器件及制备方法和应用_天津理工大学_202511315175.6
    本发明公开一种基于非晶ITZO的高线性光电子突触器件及制备方法和应用，器件从下到上依次包括“衬底‑光电忆阻层‑电极”的对称两端结构，非晶ITZO通过溶胶‑凝胶旋涂工艺制备，通过调控非晶ITZO中金属阳离子In、Sn和Zn的比例改变氧空位浓度...
    2026-01-24
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410895608.9
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一电容区和第二电容区，基底上形成有下层介电层，第一电容区的下层介电层中形成有第一凹槽，第二电容区的下层介电层中形成有第二凹槽，第二凹槽的开口尺寸大于第一凹槽的开口尺寸；第一电极层，覆盖第一凹...
    2026-01-24
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410895633.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括多个电容区，基底上形成有第一介电层，电容区的第一介电层中形成有凹槽；自下而上依次堆叠的多层电极层，位于电容区的第一介电层上，其中，位于最底层的电极层覆盖凹槽的侧壁和底面、以及第一介电层的部分顶...
    2026-01-24
  • 半导体电容器及其形成方法
    半导体电容器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411313204.0
    本发明提供一种半导体电容器。此半导体电容器包含有第一导电层、第二导电层以及介电层。介电层位于第一导电层以及第二导电层之间，且第一导电层及/或第二导电层通过等离子体处理，以去除不纯物，并将不纯物置换为氮原子，以改善漏电流以及电阻率。此外，一种...
    2026-01-24
  • 半导体结构及其键合方法
    半导体结构及其键合方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511862533.5
    本发明涉及一种半导体结构及其键合方法，涉及半导体技术领域。其首先提供两个基底，该基底包括凹槽以及位于凹槽内的导电层，在垂直于基底的方向上，导电层的高度要小于凹槽高度，导电层上设置有复合材料层，该复合材料是在凹槽内的导电层上定向原位合成的，可...
    2026-01-24
  • 氧化硅上制备碳化硅的方法
    氧化硅上制备碳化硅的方法_湖北九峰山实验室_202511323594.4
    本发明提供了一种氧化硅上制备碳化硅的方法，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积氧化硅层；S2、在所述氧化硅层上沉积AlN缓冲层；S3、在所述AlN缓冲层上外延生长碳化硅层。本发明SiO22/AlN/SiC分层结构从晶格匹配、热匹配与表面化学活性...
    2026-01-24
  • 半导体外延层的制造方法
    半导体外延层的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410867368.1
    本发明公开了一种半导体外延层的制造方法，包括：在半导体衬底中进行掺杂形成阱区，半导体衬底的顶部表面的第一缺陷包括由阱区的杂质导致的晶格失配缺陷。执行一次以上的循环步骤形成过渡层，循环步骤包括：进行第一界面修复工艺以修复前层表面暴露的缺陷。进...
    2026-01-24
  • 在蓝宝石衬底上外延生长Ga2O3单晶薄膜的方法及外延结构
    在蓝宝石衬底上外延生长Ga2O3单晶薄膜的方法及外延结构_湖北九峰山实验室_202511284512.X
    本发明提供了一种在蓝宝石衬底上外延生长Ga22O33单晶薄膜的方法及外延结构，在蓝宝石衬底上外延生长Ga22O33单晶薄膜的方法包括以下步骤：S1、对蓝宝石衬底表面进行Al离子注入处理；S2、对所述蓝宝石衬底表面进行温度梯度原位氧化处理，形...
    2026-01-24
  • 基于范德华外延制备的半极性面GaN薄膜及半导体器件
    基于范德华外延制备的半极性面GaN薄膜及半导体器件_苏州大学_202511408311.6
    本发明公开了一种基于范德华外延制备的半极性面GaN薄膜及半导体器件，其中半极性面GaN薄膜为基于范德华外延通过如下步骤制备得到：准备半极性(11‑22)面氮化铝作为衬底；制备氮掺杂石墨烯层；所述氮掺杂石墨烯层为单层石墨烯将所述氮掺杂石墨烯层...
    2026-01-24
  • 一种螺旋位错驱动纳米管外延自卷曲直接生长的方法
    一种螺旋位错驱动纳米管外延自卷曲直接生长的方法_西北工业大学_202511474350.6
    本发明提供了一种螺旋位错驱动纳米管外延自卷曲直接生长的方法，该方法以过渡金属氧化物和硫族元素源为前驱体，初始阶段先使得一部分硫族元素源和过渡金属氧化物反应并形成螺旋‑位错的二维层状结构，然后再让继续让剩余硫族元素源和过渡金属氧化物反应并驱动...
    2026-01-24
  • 晶圆的加工方法
    晶圆的加工方法_南亚科技股份有限公司_202411291495.8
    提供了一种晶圆的加工方法。此方法包括：提供晶圆，其中晶圆具有第一区域以及第二区域，且第二区域介于晶圆的边缘以及第一区域之间；沉积第一金属层于晶圆上；沉积盖层于第一金属层上；设置介电层于盖层上，其中介电层覆盖第一金属层的侧壁以及盖层的侧壁；对...
    2026-01-24
  • 一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法
    一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法_华中科技大学_202511817441.5
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种基于功率密度降低的二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法。该方法包括：将二维半导体硫化物样本置于反应腔室内，并对反应腔室进行抽真空处理；向反应腔室内通入掺杂气体直至反应腔室内的掺杂气体浓度达到目标气体浓度；...
    2026-01-24
首页 上一页 6 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证