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最新专利技术
  • 一种金属微孔定向磁流变-电解质等离子复合抛光装置及方法
    一种金属微孔定向磁流变-电解质等离子复合抛光装置及方法_山东大学_202511498690.2
    本发明公开了一种金属微孔定向磁流变‑电解质等离子复合抛光装置及方法，包括加热槽、抛光电源、三轴运动系统、夹具、喷嘴、磁环和水泵；加热槽内设有抛光液，抛光液内加入不会引起喷嘴堵塞且具备抗氧化能力的适量磁性粒子；加热槽的顶部是用作抛光的操作平台...
    2026-03-16
  • 一种多级孔道单晶锰酸锂的制备方法
    一种多级孔道单晶锰酸锂的制备方法_甘肃容大新能源发展有限公司_202511532494.2
    本发明公开了一种多级孔道单晶锰酸锂的制备方法，属于锂离子电池材料领域。所述方法包括如下步骤：S1、将酸化纤维素模板分散于溶剂中，加入锰源和锂源形成溶胶；将溶胶填充至模板间隙，经陈化、干燥形成前驱体；S2、将所述前驱体在惰性气氛中分段控温煅烧...
    2026-03-16
  • 用于制备钙钛矿光伏电池的真空结晶设备
    用于制备钙钛矿光伏电池的真空结晶设备_新加坡星耀光伏能源有限公司_202511256721.3
    一种用于制备钙钛矿光伏电池的真空结晶设备，包括：腔体，其底面具有多个抽气孔，多个抽气孔用于将腔体的内部空间与真空泵连通；载片架，其设置于内部空间中，载片架具有支撑凸起和多个通孔，其中，支撑凸起用于抵持钙钛矿光伏基板的下表面以支撑基板，多个通...
    2026-03-16
  • 助熔剂法生长掺杂氮化镓单晶用对流缓冲装置及方法
    助熔剂法生长掺杂氮化镓单晶用对流缓冲装置及方法_西安交通大学_202511754214.2
    本发明公开了一种助熔剂法生长掺杂氮化镓单晶用对流缓冲装置及方法，属于晶体材料制备技术领域。本发明的高压釜体内设置有生长腔，生长腔中部安装有分流板；分流板的上部安装有扰流座，分流板的下部安装有卡盘，卡盘的下方设有导流罩；分流板靠近边缘处设有多...
    2026-03-16
  • 一种基于移动加热器法生长CLYC晶体的均质化调控方法
    一种基于移动加热器法生长CLYC晶体的均质化调控方法_西北工业大学_202511425854.9
    本发明提供了一种基于移动加热器法生长CLYC晶体的均质化调控方法，解决了现有坩埚下降法生长CLYC的固有缺陷。本发明基于THM法生长CLYC晶体时Ce3+的分布规律提出了溶剂区以及多晶料的掺杂配比策略，基于移动加热器法生长CLYC晶体，实现...
    2026-03-16
  • 一种坩埚非接触式制备氧化镓单晶的装置及高纯度氧化镓单晶的制备方法
    一种坩埚非接触式制备氧化镓单晶的装置及高纯度氧化镓单晶的制备方法_武汉理工大学_202511317752.5
    本发明公开了一种坩埚非接触式制备氧化镓单晶的装置及高纯度氧化镓单晶的制备方法，所述装置包括单晶炉；籽晶杆及设置在籽晶杆顶端的旋转提拉部件；位于单晶炉底部中心位置的氧化物陶瓷坩埚；围绕氧化物陶瓷坩埚设置的感应加热线圈，用于加热和保温形成热场；...
    2026-03-16
  • 单晶炉及单晶硅制备方法
    单晶炉及单晶硅制备方法_晶科能源股份有限公司_202511403420.9
    本申请涉及一种单晶炉及单晶硅制备方法，单晶炉包括炉体，炉体上方设有喉部；导流筒设置于炉体内；副室设置于喉部上方，副室与喉部和导流筒连通，副室用于将通入的第一气体吹向导流筒内；分气导流装置设置于喉部一侧，分气导流装置用于将通入的第二气体分散成...
    2026-03-16
  • 单晶炉、单晶硅制备方法和硅片
    单晶炉、单晶硅制备方法和硅片_晶科能源股份有限公司_202511403433.6
    本申请涉及一种单晶炉、单晶硅制备方法和硅片。该单晶炉包括坩埚、籽晶固定棒、多个导电棒和磁场产生装置。籽晶固定棒朝向坩埚开口设于坩埚上方，且设于坩埚中心轴线上，籽晶固定棒相对于坩埚的底壁距离可调；多个导电棒以籽晶固定棒作为中心轴，呈中心对称插...
    2026-03-16
  • 单晶硅棒的制备方法、硅片、背接触电池
    单晶硅棒的制备方法、硅片、背接触电池_青海晶科能源有限公司_202511419526.8
    本申请涉及一种单晶硅棒的制备方法、硅片、背接触电池。制备方法在放肩阶段，在表征掺杂状态的当前参数与表征掺杂状态的目标参数的偏离值达到预设的触发阈值时启动动态补掺，确定单晶硅棒生长预设长度需向硅熔体中补偿掺杂剂的当前补偿量并向硅熔体中补偿掺杂...
    2026-03-16
  • 一种Er掺杂YAG单晶光纤的生长方法
    一种Er掺杂YAG单晶光纤的生长方法_中国科学院长春应用化学研究所_202511549991.3
    本发明涉及无机材料领域，特别涉及一种Er掺杂YAG单晶光纤的生长方法。本发明提供的生长方法，先分别对Y2O3粉末、Al2O3粉末、Er2O3粉末进行煅烧，然后充分混合控制一定粒度，再对混合料进行煅烧得到多晶原料，然后利用微下拉法生长工艺进行...
    2026-03-16
  • 一种具有可控冷却功能的单晶硅直拉炉
    一种具有可控冷却功能的单晶硅直拉炉_连城凯克斯科技有限公司_202511572328.5
    本发明属于单晶硅技术领域，具体的说是一种具有可控冷却功能的单晶硅直拉炉，包括支撑座，所述支撑座的上方安装有直拉炉本体，所述直拉炉本体的内部安装有坩埚，所述支撑座的上方且位于直拉炉本体的侧方安装有安装架，所述直拉炉本体的内部安装有籽晶轴，所述...
    2026-03-16
  • 一种单晶硅炉用底加热器
    一种单晶硅炉用底加热器_连城凯克斯科技有限公司_202511572330.2
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶硅炉用底加热器，包括底箱，底箱的上方设置有坩埚炉体，底箱的内部固定安装有电动伸缩杆，电动伸缩杆的驱动端固定安装有连接盘，连接盘的顶部固定安装有加热箱，加热箱的内壁固定安装有内箱，内箱的内部对称设置...
    2026-03-16
  • 晶棒牵引绳检测装置及检测方法
    晶棒牵引绳检测装置及检测方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511359250.9
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶棒牵引绳检测装置及检测方法，晶棒牵引绳检测装置，包括：牵引绳、定位件、颗粒采集单元和控制单元；牵引绳的下端用于连接晶棒；定位件上开设有定位孔，定位件的上端配置有一检测面；颗粒采集单元用于采集检测面附着的...
    2026-03-16
  • 一种单晶硅的制备方法及单晶硅
    一种单晶硅的制备方法及单晶硅_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511500850.2
    本申请提供一种单晶硅的制备方法及单晶硅。单晶硅的制备方法包括在对单晶硅进行收尾处理前，对单晶进行预收尾处理；预收尾处理的过程依次包括：调节步骤，包括控制单晶硅自第一生长速率v1mm/h降至第二生长速率v2mm/h，同时控制加热器自第一功率p...
    2026-03-16
  • 一种小型光伏单晶硅炉液压控制装置
    一种小型光伏单晶硅炉液压控制装置_连城凯克斯科技有限公司_202511572327.0
    本发明涉及单晶硅炉技术领域，公开了一种小型光伏单晶硅炉液压控制装置，包括底座台，底座台的上方设置有控制装置主体，控制装置主体的侧端开口处设有防尘滤网一，控制装置主体的内部边缘处固定安装有多个风扇单元，防尘滤网一一侧设置有替换组件，替换组件包...
    2026-03-16
  • 一种放肩降温方法
    一种放肩降温方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511692755.7
    本发明涉及单晶生产技术领域，尤其是涉及一种放肩降温方法。本发明提供的一种放肩降温方法，放肩依次包括第一放肩阶段、第二放肩阶段和第三放肩阶段；所述第一放肩阶段，根据放肩时间控制降温量；所述第二放肩阶段，根据晶体直径控制降温量；所述第三放肩阶段...
    2026-03-16
  • 一种锗单晶炉晶棒自动取出装备系统及其取出方法
    一种锗单晶炉晶棒自动取出装备系统及其取出方法_云南驰宏锌锗股份有限公司_202511449374.6
    本申请是关于一种锗单晶炉晶棒自动取出装备系统及其取出方法。所述的锗单晶炉晶棒自动取出装备系统包括：重载型AGV底盘车，重载型AGV底盘车上安装有机械手电池组及配重、HMI人机界面、电控系统和三轴取晶机械手；重载型晶棒抓取手爪安装在三轴取晶机...
    2026-03-16
  • 一种RIG薄膜及其制备方法
    一种RIG薄膜及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511501121.9
    本发明提供了一种RIG薄膜及其制备方法，涉及单晶薄膜技术领域，该RIG薄膜的制备方法包括：将第一原料加热至第一温度，保温第一时间，搅拌均匀，得到第一熔体；将衬底进行清洗处理后置于所述第一熔体中进行第一次液相外延生长，得到表面生长有A3Fe5...
    2026-03-16
  • 一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用
    一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用_成都飞锐特科技有限公司_202511290992.0
    本发明提供了一种用于磁光检测双面石榴石单晶薄膜及其制备方法、应用。所述制备方法包括如下步骤：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料，再加入K2CO3，进行混合、熔料，得到混合均匀的熔体；清洗衬底；将清洗后的衬底放入熔体中，在...
    2026-03-16
  • 一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法
    一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法_成都飞锐特科技有限公司_202511522204.6
    本发明提供了一种低饱和磁场石榴石单晶薄膜及其制备方法。所述方法包括：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料，Bi2O3‑K2CO3为助熔剂，进行混合、熔料，得到混合均匀的熔体；其中，Tm2O3与Fe2O3的摩尔比为0.1~0...
    2026-03-16
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