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最新专利技术
  • 一种利用助熔剂生长氟化铽锂磁光晶体的方法
    一种利用助熔剂生长氟化铽锂磁光晶体的方法_天津理工大学_202410841703.0
    本发明涉及一种利用助熔剂生长氟化铽锂磁光晶体的方法。其过程包括(1)将助熔剂与原料充分混合。(2)将混合料放进坩埚并送入高温熔盐炉中，将炉内抽真空，通入保护气体。(3)控制升温速率，加热至混合料完全熔化，恒温数小时。(4)缓慢降温至晶体完全...
    2026-03-12
  • 一种β-Ga2O3晶体的助熔剂及其单晶X射线探测器的制备方法
    一种β-Ga2O3晶体的助熔剂及其单晶X射线探测器的制备方法_合肥工业大学_202511454663.5
    本发明涉及β‑Ga2O3晶体材料生长技术领域，特别是涉及一种β‑Ga2O3晶体的助熔剂及其单晶X射线探测器的制备方法。生长β‑Ga2O3晶体的助熔剂包括碲氧化物和二价碱土金属碳酸盐。将氧化镓和助熔剂混匀得到混合物料；将所述混合物料移入晶体生...
    2026-03-12
  • 单晶铜热型连铸工艺及其设备
    单晶铜热型连铸工艺及其设备_安徽广宇电子材料有限公司_202511192077.8
    本发明公开了单晶铜热型连铸工艺及其设备，属于键合线技术领域。工艺关键为：控制熔化保温炉液位高于铸型出口5～10mm，铸型型口温度1100～1108℃，冷却水量25～50L/h、冷却距离30～40mm，连铸速度100～150mm/min，使固...
    2026-03-12
  • 一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用
    一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用_中山大学_202511476023.4
    本发明属于氧化物晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用。本发明基于化学气相沉积(CVD)技术，采用“气体渐变通入+温度精准控制”实现梯度涂层制备，在石墨内芯外侧依次沉积碳化硼(B4C)涂层、碳化硼‑热解氮化...
    2026-03-12
  • 一种晶体生长装置和晶体生长方法
    一种晶体生长装置和晶体生长方法_陕西迪泰克新材料有限公司_202511789708.4
    本发明提供了一种晶体生长装置和晶体生长方法，解决了现有芯片制造工艺中晶圆利用率低、晶体生长速度慢、效率低、均匀性差等技术问题。本发明摒弃传统圆柱形安瓿结构，创新性地采用环形安瓿设计，使晶体生长为与目标晶片规格高度适配的内中空圆筒状；将加热器...
    2026-03-12
  • 基于单晶定向生长提纯金属铟的方法
    基于单晶定向生长提纯金属铟的方法_郑州大学_202511398197.3
    本发明实施例公开的基于单晶定向生长提纯金属铟的方法，包括：将纯度不小于5N的金属铟原料填充在石墨舟内的空腔中；其中，石墨舟内的空腔的端部设置为圆锥形，石墨舟的内壁覆盖有热解碳或热解氮化硼层；加热石墨舟内的圆锥形空腔端部，使金属铟原料熔融填充...
    2026-03-12
  • 一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法
    一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511326092.7
    本发明公开了一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法，通过设置移动组件、定位组件、检测重锤位置的水平激光定位仪和径向激光定位仪，成加料筒在加料前的自动化定位和挂取，无需人工手动挂取，提高定位精度和工作效率，减少因人员操作引起的粉尘等污染。
    2026-03-12
  • 一种可降低功耗的单晶炉
    一种可降低功耗的单晶炉_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511326108.4
    本发明公开了一种可降低功耗的单晶炉，包括底盘本体、设置在底盘本体中心且与坩埚托相连的托杆，以及设置在底盘本体上表面的保温部件，所述保温部件包括炉底软毡、炉底下固毡、保温软毡和炉底上固毡，所述炉底软毡设置在底盘本体的上表面，所述炉底下固毡设置...
    2026-03-12
  • 基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统
    基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统_苏州清煜半导体科技有限公司_202511714549.1
    本申请提供一种基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统，液相生长方法包括前置准备阶段、第一生长阶段和第二生长阶段。前置准备阶段包括将籽晶承载部通过斜面承载离轴籽晶，斜面的法线方向与籽晶承载部的轴线方向所形成的夹角匹配离轴籽晶的离轴...
    2026-03-12
  • 一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法
    一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511804613.5
    本发明公开了一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法，属于半导体薄膜生长技术领域，该石墨舟主要包括：外壳、底板、滑块、活动块。其特点是：滑块滑动至衬底上方的生长位置时，活动块可以密封住母液槽保证外延薄膜的生长；当生长结束后，滑块继续滑动，...
    2026-03-12
  • 一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置
    一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置_江苏天科合达半导体有限公司_202511482406.2
    本发明涉及碳化硅技术领域，尤其涉及一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置，所述装置包括：坩埚；所述坩埚的顶部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶；所述坩埚底部设置有导电料；所述导电料内部设置有圆柱形的石墨纸环。本发明在碳化硅(SiC)晶体生长过程中...
    2026-03-12
  • 一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置
    一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置_湖南顶立科技股份有限公司_202511393911.X
    一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置，包括混合室、独立管道、波导部件、反应机壳，所述混合室通过独立管道与反应机壳连通，所述混合室具有多个入口管道，多个所述入口管道分两组设置在混合室的底部和侧面并垂直混合室进气；所述独立管道上设置有特斯拉...
    2026-03-12
  • 用于气相沉积的公自转结构及包括其的气相沉积设备
    用于气相沉积的公自转结构及包括其的气相沉积设备_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511802645.1
    本发明公开了一种用于气相沉积的公自转结构及包括其的气相沉积设备。根据本发明实施例的用于气相沉积的公自转结构包括承载盘；太阳盘，所述太阳盘设置在所述承载盘上；至少一个行星盘，所述行星盘设置在所述承载盘上，且位于所述太阳盘的一侧；所述行星盘与所...
    2026-03-12
  • 一种喷淋组件及碳化硅外延设备
    一种喷淋组件及碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511766733.0
    本申请公开一种喷淋组件及碳化硅外延设备，该喷淋组件包括进气模块，其包括相对设置的第一匀气腔体及第二匀气腔体，多个第一进气道及多个第二进气道，且第一进气道与第二进气道交替设置，第一进气道连通至第一匀气腔体，第二进气道连通至第二匀气腔体，第一进...
    2026-03-12
  • 一种碳化硅外延片及其生长方法
    一种碳化硅外延片及其生长方法_中天晶科(宁波)半导体材料有限公司_202511328938.0
    本发明提供一种碳化硅外延片及其生长方法，该生长方法包括以下步骤：将碳化硅衬底载入外延炉的生长腔室；调节所述生长腔室内的外延生长温度，以及碳源与硅源的碳硅比，在所述碳化硅衬底上生长目标规格的外延层；其中，定义所述外延生长温度与所述碳硅比的比值...
    2026-03-12
  • 一种高温高压合成纯八面体形貌金刚石单晶的方法
    一种高温高压合成纯八面体形貌金刚石单晶的方法_修武县鑫锐超硬材料有限公司_202511757182.1
    本发明涉及八面体金刚石晶体的晶体生长领域，公开了一种高温高压合成纯八面体形貌金刚石单晶的方法，将金属合金粉在真空环境下通入氮气进行氮化处理，得到氮化后的金属合金粉；将氮化后的金属合金粉与石墨粉混合均匀成型后组装到金刚石合成腔内，在高温高压下...
    2026-03-12
  • 一种磷硅铟钡红外非线性光学晶体及其制备方法和应用
    一种磷硅铟钡红外非线性光学晶体及其制备方法和应用_中国科学院新疆理化技术研究所_202511529491.3
    本发明涉及一种磷硅铟钡红外非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，该晶体的化学式为BaIn2Si7P12，分子量为746.92，结晶于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为a=b=13.2045(6) Å，c=8.9694(7) Å；γ=120°...
    2026-03-12
  • 一种复合薄膜、制备方法及其应用
    一种复合薄膜、制备方法及其应用_济南晶正电子科技有限公司_202511373787.0
    本发明提供了一种复合薄膜、制备方法及其应用，涉及半导体材料领域；所述复合薄膜包括衬底层和VTE铌酸锂层；所述VTE铌酸锂层的锂铌原子比为≥0.96 : 1；所述复合薄膜能够使薄膜界面质量提升，消除了薄膜微裂纹与界面缺陷，并且具有稳定的化学计...
    2026-03-12
  • 一种用于晶体生长的坩埚、晶体生长设备和晶体生长方法
    一种用于晶体生长的坩埚、晶体生长设备和晶体生长方法_眉山博雅新材料股份有限公司_202410854456.8
    本说明书实施例提供一种用于晶体生长的坩埚、晶体生长设备和晶体生长方法。在垂直于坩埚的轴线的任一截面上，坩埚的壁厚包括第一壁厚值和第二壁厚值，第一壁厚值为坩埚的壁厚的最大值，第二壁厚值为坩埚的壁厚的最小值，第一壁厚值与第二壁厚值不同。晶体生长...
    2026-03-12
  • 一种高质量碳化硅单晶及其生长方法
    一种高质量碳化硅单晶及其生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511808595.8
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高质量碳化硅单晶及其生长方法。与现有技术相比，本发明提供的生长方法通过热场的设计，创造合适的生长界面(微凸或者平界面)，并通过籽晶充分回熔和旋转，将气泡排出生长界，从而消除气泡包裹，提高晶体质量。另外，...
    2026-03-12
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