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最新专利技术
  • 层叠铁芯及其制造装置和制造方法
    层叠铁芯及其制造装置和制造方法_日本制铁株式会社_202480034939.1
    制造装置(100)具备冲头(12)、冲裁模具(14)、第一保持部(16)、第二保持部(18)以及加热部(20)。通过冲头(12)和冲裁模具(14)从钢带(1)冲裁出多个铁芯片(1a)，通过第一保持部(16)从侧方对冲裁出的多个铁芯片(1a)...
    2026-01-02
  • 垂直供电中的可扩展、模块化多MHz带宽跨电感稳压器(TLVR)
    垂直供电中的可扩展、模块化多MHz带宽跨电感稳压器(TLVR)_谷歌有限责任公司_202480029926.5
    本文描述的主题提供了用于将跨电感稳压器(TLVR)技术集成到垂直电源稳压器(VR)模块中的系统和技术。为了使模块成为单层，可以使用基于TLVR的垂直电源VR模块所供电的装置内部的电容，而不是输出电容板。在某些情况下，输出电容器可以集成到结构...
    2026-01-02
  • 电抗器、转换器及电力转换装置
    电抗器、转换器及电力转换装置_株式会社自动网络技术研究所_202480036289.4
    一种电抗器，具备：线圈，由绕组构成；及磁芯，具有内侧芯部及外侧芯部，所述内侧芯部配置于所述线圈的内侧，所述外侧芯部配置于所述线圈的外侧，所述外侧芯部具有切缺，并且从所述切缺引出所述绕组的端部。
    2026-01-02
  • 层叠陶瓷部件
    层叠陶瓷部件_株式会社村田制作所_202480036048.X
    提供一种层叠陶瓷部件，该层叠陶瓷部件具有即使在供层叠陶瓷部件安装的壳体小型化的情况下也不会妨碍安装性的外部电极厚度。层叠陶瓷部件(1)具有：层叠体(2)；以及外部电极(20)，其设于第1端面和第2端面，与内部电极层(10)连接，外部电极(2...
    2026-01-02
  • 具有固化剂的故障安全型液化气体电解质
    具有固化剂的故障安全型液化气体电解质_南8技术公司_202480034898.6
    本发明公开了一种离子导电电解质，其包含液化气体溶剂、固化剂和盐的混合物。液化气体溶剂在293.15K下的蒸气压在100kPa以上。固化剂在100kPa和293.15K下可以是固体、液体或气体。盐在100kPa和293.15K下可溶于离子导电...
    2026-01-02
  • 高压保护装置或高压继电器
    高压保护装置或高压继电器_皮尔伯格有限责任公司_202380098697.8
    本发明涉及一种高压保护装置(10)或高压继电器，其具有：电磁执行器(112)；带有内部的接触腔(42)的壳体(58)；伸入到接触腔(42)中的第一接触元件(54)；伸入到接触腔(42)中的第二接触元件(56)；与操纵元件(12)连接的接触桥...
    2026-01-02
  • 用于电气开关的底座组件以及由电气开关和这种底座组件组成的装置
    用于电气开关的底座组件以及由电气开关和这种底座组件组成的装置_西门子股份公司_202480034148.9
    本发明涉及一种用于电气开关的底座组件，其中，底座组件包括至少一个附件槽，用于安装至少一个附件，其中，电气开关能够安装在底座组件上，其中，底座组件包括至少一个操纵杆，用于操作安装在至少一个附件槽中的至少一个附件，其中，在电气开关安装在底座组件...
    2026-01-02
  • 引入铝至离子源的方法以及系统
    引入铝至离子源的方法以及系统_应用材料股份有限公司_202480036989.3
    公开一种可用于将掺杂剂材料引入至电弧室中的离子源。在亦进入电弧室的蚀刻气体的路径中设置有含有掺杂剂材料的组件。在一些实施例中，掺杂剂材料呈液体形式，且蚀刻气体行进经过所述液体。在其他实施例中，掺杂剂材料是固体材料。在一些实施例中，固体材料被...
    2026-01-02
  • 改善半导体直接等离子体处理的处理不均匀性的设备
    改善半导体直接等离子体处理的处理不均匀性的设备_应用材料公司_202480026995.0
    本公开内容的实施方式大致上涉及高效感应耦合等离子体源和等离子体处理设备。具体地，实施方式涉及用于改善等离子体均匀性的网格。在一个实施方式中，提供了一种等离子体处理设备。此等离子体处理设备包括处理腔室、设置在处理腔室内的基板支撑件、耦接至处理...
    2026-01-02
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202380096845.2
    本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括如下工序：准备第一半导体基板，该第一半导体基板具有第一基板主体、配置于第一基板主体上的第一电极及配置于第一基板主体上的第一电极的周围的第一绝缘层；准备第二半导体基板，该第二半导...
    2026-01-02
  • 接合装置、接合系统以及接合方法
    接合装置、接合系统以及接合方法_东京毅力科创株式会社_202480033914.X
    本公开的接合装置(41)具备第一保持部(230)、第二保持部(231)、可动构件(281a)以及马达(281c)。第一保持部(230)从第一基板(W1)的上方吸附保持第一基板(W1)。第二保持部(231)配置在比第一保持部(230)靠下方的...
    2026-01-02
  • 用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体及包含这种载体的衬底
    用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体及包含这种载体的衬底_索泰克公司_202480035774.X
    本发明涉及一种用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体。该载体具有第一面(称为“正面”)和第二面(称为“背面”)，并且包括直接布置在正面的下面且电阻率大于或等于1Ω.cm的第一表面层，以及直接布置在背面的下面且电阻率严格小于1Ω.c...
    2026-01-02
  • 使用机器学习优化半导体制造过程
    使用机器学习优化半导体制造过程_三角设计公司_202480036884.8
    在一些实施例中，提供一种控制半导体制造过程的计算机实施方法。计算系统通过将计量预估输入提供到计量预估模型来产生目前运行及下一次运行的经预测计量值。所述计算系统使用所述目前运行及所述下一次运行的所述经预测计量值来产生用于执行至少一个半导体制造...
    2026-01-02
  • 用于双重层转移的方法
    用于双重层转移的方法_索泰克公司_202480033639.1
    本发明涉及一种方法，包括：#提供异质结构，该异质结构包括生长衬底(1)、二维材料中间层(2)和外延半导体层(3)；#提供刚性衬底(4)，该衬底包含弱化平面(5)；#通过将刚性衬底与异质结构结合来制造第一组件，第一面(F)和外延层(3)位于结...
    2026-01-02
  • 氧化硅热反射板及其制造方法
    氧化硅热反射板及其制造方法_株式会社古屋金属_202480036179.8
    本发明的目的在于提供一种氧化硅热反射板及其制造方法，所述氧化硅热反射板能够耐受最高1000℃下的使用，与以往相比，氧化硅板与反射体的密合性被良好地维持，反射体的金属成分的劣化被抑制，热反射特性良好，氧化硅板彼此的接合性良好，且使用寿命长。关...
    2026-01-02
  • 光加热装置
    光加热装置_优志旺电机株式会社_202480035343.3
    本发明提供一种能够更高效地提高加热光对加热对象物的周端部的照度的光加热装置。一种光加热装置，对加热对象物照射光而进行所述加热对象物的加热处理，其特征在于，具备：支承单元，支承所述加热对象物；光源单元，具有在沿被所述支承单元支承的所述加热对象...
    2026-01-02
  • 搬运设备、激光照射设备、搬运方法以及用于制造半导体装置的方法
    搬运设备、激光照射设备、搬运方法以及用于制造半导体装置的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380098719.0
    根据一实施方式的搬运设备(600)被构造成能够搬运衬底(100)，以用线状的激光(15)来照射衬底(100)，并且其包括：主浮起单元(10)，其包括照射区域，该照射区域被设置在激光的照射位置的正下方，并被构造成能够使衬底在其顶面上浮起；第一...
    2026-01-02
  • 制造具有凹部结构的部件的方法和具有凹部结构的部件
    制造具有凹部结构的部件的方法和具有凹部结构的部件_AGC株式会社_202480035726.0
    一种方法，具有如下步骤：在被处理体的第1表面的第1区域设置催化剂材料的步骤，第1表面由氟化物的沸点为550℃以下的元素构成，上述催化剂材料包含具有极性官能团的有机化合物，上述催化剂材料在截面观察下，具有彼此相对的具有第1高度H1的第1侧面和...
    2026-01-02
  • 硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片
    硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片_胜高股份有限公司_202380098575.9
    本发明的硅晶片的清洗方法是在平面图中，表层改性工序中的氧化剂溶液的供给位置和蚀刻工序中的蚀刻液的供给位置分别位于在径向上与旋转中心具有间隔的位置，在平面图中，所述氧化剂溶液的供给位置与所述蚀刻液的供给位置位于隔着所述旋转中心而相对的位置。本...
    2026-01-02
  • 半导体晶片的清洗方法
    半导体晶片的清洗方法_胜高股份有限公司_202480033976.0
    提出了一种半导体晶片的清洗方法，其能够减少半导体晶片的表面的附着颗粒。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：一边使半导体晶片旋转一边清洗所述半导体晶片的第1清洗工序；将所述第1清洗工序后的所述半导体晶片干燥的第1干燥工序；清洗所述第1干燥工序后...
    2026-01-02
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