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最新专利技术
  • 一种IGBT芯片及其制备方法
    一种IGBT芯片及其制备方法_南京南瑞半导体有限公司_202511334198.1
    本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法，所述的IGBT芯片包括连续设置的P型阳极层、N型场截止层和N型衬底层，N型衬底层上设置有源区、过渡区和终端区。在有源区的对应场截止层的形成低掺杂浓度、非均匀分布的场截止层搭配高浓度的阳极区，实现了芯...
    2026-01-20
  • 用于显示装置的覆盖窗、制造用于显示装置的覆盖窗的方法和电子装置
    用于显示装置的覆盖窗、制造用于显示装置的覆盖窗的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510842699.4
    提供了用于显示装置的覆盖窗、制造用于显示装置的覆盖窗的方法和电子装置，该方法包括：在窗基底上形成掩模层，窗基底包括第一基底表面、第二基底表面和第三基底表面；以及使用蚀刻剂湿蚀刻窗基底。形成掩模层的步骤包括：在第一基底表面上形成第一掩模和第二...
    2026-01-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510416805.2
    一种半导体器件包括：下层间绝缘层；第一多个底部纳米片；第一多个上部纳米片；上部隔离层，在第一多个底部纳米片和第一多个上部纳米片之间；第一底部栅电极，在下层间绝缘层上；第一上部栅电极，在第一底部栅电极的上表面上；以及第一有源切口，在竖直方向上...
    2026-01-20
  • 碳化硅晶体管的制造方法及装置、晶体管和电子设备
    碳化硅晶体管的制造方法及装置、晶体管和电子设备_上海理想汽车科技有限公司_202410824843.7
    本公开提供的碳化硅晶体管的制造方法及装置、晶体管和电子设备，在所述晶体管中，按照晶体管中心区域中元胞结构的JFET区深度大于晶体管其他区域中的所述元胞结构的JFET区深度的方式，进行所述元胞结构的排布，得到制造完成的晶体管；其中，所述晶体管...
    2026-01-20
  • 具有金属背面场板的晶体管器件
    具有金属背面场板的晶体管器件_美国亚德诺半导体公司_202510828607.7
    本公开涉及具有金属背面场板的晶体管器件。使用各种技术，在工艺结束时形成金属背面场板。在一个示例中，生长GaN层，制造HEMT，并减薄基板。通过减薄的基板和GaN外延形成通孔，到达源极电极的下侧，然后沉积金属背面场板。在另一个例子中，用于背面...
    2026-01-20
  • 氮化镓功率器件的制造方法及氮化镓功率器件
    氮化镓功率器件的制造方法及氮化镓功率器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511300824.5
    本申请提供了一种氮化镓功率器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成外延结构、至少两个电极以及场板，在场板的上方形成TEOS层；在TEOS层的上方形成第一电荷平衡介质层，在第一电荷平衡介质层上方形成金属电极层，对金属电极层进行过度...
    2026-01-20
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511324499.6
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供外延结构，所述外延结构包括沟道层、形成在所述沟道层上方的势垒层；在所述势垒层上方形成第一钝化层，在欧姆电极区域处，将第一钝化层和势垒层进行刻蚀开口，从而将欧姆电极区域处下方的沟道层向外...
    2026-01-20
  • 沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备
    沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备_上海积塔半导体有限公司_202511418792.9
    本申请涉及一种沟槽型功率器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底，衬底内包括沿平行于衬底的第一表面的第一方向间隔排列的源沟槽结构；源沟槽内填充的有顶面与第一表面齐平的第一多晶硅层；形成位于相邻源沟槽结构之间的栅沟槽结构；栅沟槽内填充的有第...
    2026-01-20
  • 一种VDMOS结构及其制备方法
    一种VDMOS结构及其制备方法_西安微晶微电子有限公司_202511688124.8
    本发明提供了一种VDMOS结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。在无需新增光刻版的情况下，通过对介质层依次进行了两次湿法腐蚀处理，暴露出所述N+源区面向所述介质层一侧的部分表面；在形成金属电极之后，金属电极会至少与所述N+源区的侧壁、以及所...
    2026-01-20
  • 高电子移动率晶体管及其制作方法
    高电子移动率晶体管及其制作方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410895946.2
    本发明公开一种高电子移动率晶体管及其制作方法，其中高电子移动率晶体管包含一氮化铝镓层位于一氮化镓基底上、一氧化硅层位于该氮化铝镓层上，其中具有一开口露出该氮化铝镓层、一氟掺杂区形成在该开口正下方的该氮化铝镓层以及该氮化镓基底中、一氮化铟镓层...
    2026-01-20
  • 一种氮化镓外延结构及其制备方法和半导体器件
    一种氮化镓外延结构及其制备方法和半导体器件_北京中博芯半导体科技有限公司_202511168616.4
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓外延结构及其制备方法和半导体器件，所述的氮化镓外延结构，包括从下到上依次堆叠的衬底、成核层、氮化镓2D层、高阻层、沟道层、插入层、势垒层；所述成核层包括从下到上依次堆叠的AlN1层、AlN2层、Al...
    2026-01-20
  • 一种具有过温保护电阻的氮化镓功率器件及制造方法
    一种具有过温保护电阻的氮化镓功率器件及制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511211785.1
    本申请提供了一种具有过温保护电阻的氮化镓功率器件，包括：衬底、形成于衬底上方的外延结构、形成在外延结构上的源极、漏极、栅极；第一场板层，第一场板层位于栅极的上方；氮化镓功率器件还包括过温保护电阻，过温保护电阻与第一场板层经由同种材料淀积刻蚀...
    2026-01-20
  • 一种氮化镓器件及其制作方法
    一种氮化镓器件及其制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511211788.5
    本申请提供了一种氮化镓器件，包括：外延结构；形成在外延结构上的源极、漏极及栅极，源极包括源极金属，栅极和漏极之间具有漂移区；第一钝化部，至少部分的第一钝化部覆盖栅极及漂移区；第二钝化部，第二钝化部包括形成在第一钝化部上的第一钝化单元，并且至...
    2026-01-20
  • p-GaN HEMT器件及其制备方法
    p-GaN HEMT器件及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511256347.7
    本申请涉及一种p‑GaN HEMT器件及其制备方法。包括：衬底；漂移层，设置于衬底的一侧；势垒层，设置于漂移层背离衬底的一侧；电极层，设置于势垒层背离衬底的一侧，且包括依次形成的p‑GaN层、第一钝化层、源极和漏极；电极层上设置有开口，开口...
    2026-01-20
  • 一种抗单粒子烧毁的加固p-GaN增强型氮化镓器件及其制备方法
    一种抗单粒子烧毁的加固p-GaN增强型氮化镓器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511290428.9
    本发明公开了一种抗单粒子烧毁的加固p‑GaN增强型氮化镓器件及其制备方法，主要解决氮化镓器件在空间辐射环境下易发生单粒子烧毁、可靠性不足的问题。包括：衬底和在其上依次生长的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和p‑GaN帽层，刻蚀形成的栅极，以及...
    2026-01-20
  • 一种用于氮化镓HEMT功率器件及其制造方法
    一种用于氮化镓HEMT功率器件及其制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511300825.X
    本申请提供了一种用于氮化镓HEMT功率器件，包括：衬底、形成在所述衬底上的外延结构、形成在所述外延结构上的源极、漏极、栅极；所述用于氮化镓HEMT功率器件还包括场板、金属电极层以及形成于所述场板和金属电极层之间的TEOS层，所述用于氮化镓H...
    2026-01-20
  • 一种具有抗单粒子效应能力的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法
    一种具有抗单粒子效应能力的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511380977.5
    本发明公开了一种具有抗单粒子效应能力的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，主要解决现有技术抗单粒子烧毁能力有限，无法在高能粒子强辐射环境下长期稳定应用的问题。包括：自下而上的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及与势垒层上表面接触的p‑GaN帽...
    2026-01-20
  • 一种GaN HEMT器件
    一种GaN HEMT器件_苏州华太电子技术股份有限公司_202511554011.9
    本申请提供一种GaN HEMT器件，包括：第二掺杂类型的衬底；缓冲层，形成在所述衬底之上；GaN HEMT结构层，所述GaN HEMT结构层包括有源区和高阻区；第一深孔，自高阻区的上表面向下形成，且第一深孔的底端进入到衬底内；第二掺杂类型区...
    2026-01-20
  • 一种具有低关态漏电的增强型PSJ-HEMT器件及制备方法
    一种具有低关态漏电的增强型PSJ-HEMT器件及制备方法_南京大学_202511742539.9
    本发明公开了一种具有低关态漏电的增强型PSJ‑HEMT器件，其结构依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p+GaN/p‑GaN/U‑GaN复合帽层；所述复合帽层的一侧被刻蚀到p‑GaN层，形成p‑GaN/U‑GaN台...
    2026-01-20
  • 一种半导体器件及其制备方法、半导体芯片和电子设备
    一种半导体器件及其制备方法、半导体芯片和电子设备_上海光通信有限公司_202410805066.1
    本申请公开一种半导体器件及其制备方法、半导体芯片和电子设备，所述半导体器件包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构形成在所述衬底的上方；形成在所述栅极结构的侧壁的侧墙结构，所述侧墙结构包括多层侧墙；形成在所述衬底上的轻掺杂漏结构，所述轻掺杂漏结构...
    2026-01-20
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