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  • 本发明提供了一种基于常规RF溅射的低温高质量氮化硅薄膜制备方法,属于薄膜材料制备技术领域。该制备方法包括以下步骤:步骤1、将基片预处理后固定在载物台上;步骤2、将靶材固定在磁控溅射系统腔体内,之后抽真空;步骤3、加热基底,使基底温度为30℃...
  • 本发明公开了一种硬质合金表面强结合力的类金刚石功能层的制备方法,真空变脉冲渗碳阶段,将加工后的硬质合金刀具采用分段加热的方式从室温加热到650~850°C,保温至心表均温后,再升温至渗碳温度950°C~1350°C;通入渗碳介质以变脉冲方式...
  • 本发明公开了一种高速真空镀膜环境下调控钙钛矿薄膜微观结构的方法,采用两步法,第一步利用气相传输沉积工艺沉积金属卤化物薄膜层;第二步喷涂有机胺盐溶液,形成微观结构优化的钙钛矿薄膜;其中,沉积金属卤化物薄膜层的步骤中,以金属卤化物为原料,采用高...
  • 一种高温选频辐射抑制材料薄膜及其设计方法、制备方法,属于红外热防护领域。其最下层为高温耐用基底,基底表面设有由高折射率掺杂B元素的Ge组成的高透过率薄膜层和低折射率掺杂TiO2陶瓷组成的低透过率薄膜层交替组合的叠层薄膜,顶层为低透过率薄膜层...
  • 本发明公开了一种燃料电池双极板涂层改性方法及改性用清洗装置,属于燃料电池的双极板制备工艺。本发明通过清洗机用酒精、丙酮、去离子水和氩气对双极板进行清洗,接着通过磁控溅射制备Ti/C复合涂层,再通过化学合成,进行预处理,形成一种液膜,再进行搅...
  • 一种自适应抗氧化复合涂层及其制造方法,属于耐热涂层领域。该涂层包括基底层、形成层和保护层。其中,基底层为底层,其成分为纯Cr;形成层设置在基底层上,为晶态组织,成分含有Cr、Si、O;保护层为在形成层表面原位生成的非晶态SiO2层;形成层与...
  • 一种高韧抗氧化涂层及其制造方法,属于耐热涂层领域。该高韧抗氧化涂层按重量比计含有0.01%‑1%的Si、0.01%‑0.7%的O,余量为Cr。其中,涂层的基体为晶态Cr,至少部分Si与O以非晶SiO2的形式分散于基体中。该高韧抗氧化涂层具有...
  • 一种抗氧化涂层及其制造方法,属于涂层领域。该抗氧化涂层设置在锆合金基体表面,抗氧化涂层为纯Cr涂层,其硬度沿厚度方向成梯度分布,表层的硬度大于底层硬度,抗氧化涂层底层的硬度>4GPa,1/2厚度处的硬度>5GPa,表层的硬度>6GPa。该抗...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述制备方法包括以下步骤:通过磁控溅射工艺在电池片上沉积电极打底层,在所述磁控溅射工艺的过程中,控制靶材表面的磁场强度逐渐升高。上述太阳电池的制备方法在磁控溅射制备电极打底层,在起始阶段,靶材表面的磁场强...
  • 本发明涉及镀铝膜生产相关技术领域,公开了一种用于镀铝膜生产的集成型智能设备,包括悬挂输送机构,悬挂输送机构上设有若干夹持组件;夹持组件包括框体,框体的内部两端分别滑动设有一个圆板,圆板上设有第一支撑组件,第一支撑组件的一端滑动设有第二支撑组...
  • 本申请公开了一种半导体设备的装料方法。该半导体设备的装料方法包括:在半导体设备的多个托盘内分别装填物料,多个托盘内装填的物料的尺寸范围不同;其中,多个托盘沿第一方向依次堆叠于半导体设备的罐体内。
  • 本发明提供了一种翻盖开合装置和镀膜设备,涉及镀膜技术领域,该翻盖开合装置包括翻盖门板、门板驱动件和第一锁止机构,翻盖门板活动设置在一开口处;门板驱动件传动连接于翻盖门板,被配置为带动翻盖门板转动,以打开或闭合开口;第一锁止机构被配置为在翻盖...
  • 本申请涉及涂层材料技术领域,具体涉及防护涂层部件及其制备方法。本申请提供的防护涂层部件的制备方法,包括以下步骤:在基体表面制备金属粘结层;采用阴极电弧复合磁控溅射法于金属粘结层背离基体的一侧表面制备MAX相材料涂层;其中,MAX相材料的化学...
  • 一种AlCrSiVN复合涂层及其制备方法,所述AlCrSiVN复合涂层沉积于WC‑Co硬质合金表面,由CrN过渡层、AlCrSiVN功能层叠加而成,其中所述CrN过渡层、AlCrSiVN功能层均为单层结构。制备方法,包括:步骤一基底预处理:...
  • 本发明涉及靶材制备技术领域,尤其涉及一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法,包括以下步骤:步骤1、真空熔炼:取出钽锭;步骤2、正向轧制;步骤3、斜轧制;步骤4、叠轧制;步骤5、热处理:将轧制后的钽靶坯进行热处理;步骤6、机械加工:将热处理后的钽...
  • 本申请提供了一种金属钇靶材及其制备方法,属于溅射靶材技术领域,更广范围地属于电子专用材料领域。该金属钇靶材的制备方法,包括如下步骤:将金属钇置于悬浮炉中,抽真空至≤10‑2Pa,通入保护性气体并升温至1500℃~1700℃熔炼,待金属钇充分...
  • 本发明涉及辐射屏蔽涂层制备技术领域,公开了一种方舱辐射屏蔽涂层及制备方法,包括在恒定物理溅射环境中,通过周期性地脉冲注入反应气体,在涂层生长界面原位触发选择性化学反应,生成硬质相与纳米韧化相交替的微观结构,并利用电源谐波反馈对生成过程进行闭...
  • 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备,涉及半导体领域。一种工艺腔室,包括:腔体、进气组件、第一加热组件和隔热组件;所述进气组件设于所述腔体,用于向所述腔体内通入工艺气体;所述第一加热组件设于所述腔体内,并连接于所述进气组件的边缘区域,用...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,尤其是一种磁控溅射镀膜工艺用偏压系统,包括偏压电源;磁控溅射镀膜机包括真空室以及设置于真空室内的基板和磁铁,基板和磁铁相近一侧分别连接有溅射靶材和基板,基板上安装有电池片;偏压电源的正极通过绝缘导线连接至基板,电池片...
  • 本发明提供了一种类金刚石基复合涂层及制备方法,所述复合涂层形成于不锈钢基体或铸铁基体上,所述复合涂层包括依次层叠设置的过渡层、耐磨层和抗咬合层;所述过渡层包括第一Me层、MeN层、Me(W)N层以及MeWN层;所述耐磨层包括WC‑DLC复合...
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