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最新专利技术
  • 发光二极管、制作方法及发光装置
    发光二极管、制作方法及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511124248.3
    本申请提供了一种发光二极管、制作方法及发光装置，该发光二极管包括基板、位于基板上表面之上的缓冲层以及半导体叠层，半导体叠层由下至上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，缓冲层未被半导体叠层覆盖的至少部分表面设置为粗化结构。通过在缓冲层...
    2025-12-29
  • 一种LED芯片和发光装置
    一种LED芯片和发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511104566.3
    本发明提供一种发光二极管的半导体外延叠层、LED芯片和发光装置。本申请的半导体外延叠层中的有源层包括多个周期的多量子阱结构，所述有源层包括M个序列，最靠近所述N型半导体层的序列为第一序列，第Q序列包含ZQ个周期的势阱层和势垒层，其中，M≥2...
    2025-12-29
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202511214706.2
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括外延结构及第一电极结构。外延结构沿发光二极管的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层；第一电极结构形成于第二半导体层上。其中，第一电极结构自第二半导体层的表面沿发光二极管的...
    2025-12-29
  • 一种高可靠性垂直结构的四元红外芯片及其制备方法
    一种高可靠性垂直结构的四元红外芯片及其制备方法_深圳市奥伦德元器件有限公司_202511262805.8
    本发明涉及一种高可靠性垂直结构的四元红外芯片及其制备方法，高可靠性垂直结构的四元红外芯片包括多量子阱有源区、P电极、间隔层、N型宽带隙包覆层、N型砷化镓衬底、N电极和钝化层，P电极设置在多量子阱有源区的上方，间隔层设置在多量子阱有源区的下方...
    2025-12-29
  • 一种微型发光二极管芯片
    一种微型发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202511358242.2
    本申请提出一种微型发光二极管芯片，包括：发光台面；第一顶部导电层，位于发光台面的侧面和顶面；第一隔绝层，至少部分包覆发光台面的侧面，并且第一隔绝层位于发光台面与第一顶部导电层之间；电绝缘层，位于第一隔绝层和驱动背板之间，电绝缘层围绕发光台面...
    2025-12-29
  • 一种高亮度的倒装LED芯片及其制备方法
    一种高亮度的倒装LED芯片及其制备方法_华引芯(武汉)科技有限公司_202511449643.9
    本申请提供一种高亮度的倒装LED芯片及其制备方法，倒装LED芯片包括衬底、半导体层、金属反射层和第一钝化层，半导体层设置在衬底的一侧，半导体层包括依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；金属反射层设置在半导体层背离衬底的一侧；第一...
    2025-12-29
  • 一种高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法
    一种高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法_华引芯(武汉)科技有限公司_202511450537.2
    本申请提供一种高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法，倒装LED芯片包括依次层叠设置的衬底、半导体层、金属反射层、第一钝化层、金属接触层、第二钝化层，半导体层包括N型半导体层、有源层、P型半导体层；金属反射层与P型半导体层电性连接；第一钝化层...
    2025-12-29
  • 一种窄光谱超辐射发光二极管结构
    一种窄光谱超辐射发光二极管结构_厦门亨光芯睿科技有限公司_202511082697.6
    本发明涉及半导体发光器件领域，公开了一种窄光谱超辐射发光二极管结构，包括：封装壳体、半导体芯片、准直镜、滤光器、汇聚透镜和耦合光纤；准直镜用于准直半导体芯片出射的光束并调整光束的光斑强度分布参数；滤光器用于调控半导体芯片出射的光束的光谱参数...
    2025-12-29
  • 一种发光器件
    一种发光器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511378210.9
    本发明公开了一种发光器件，所述发光器件包括：基板、设置在基板上的一个以上的发光芯片；所述基板包括：两个以上的金属部件和塑封层，所述金属部件容纳在所述塑封层内，且所述金属部件的顶部设置有顶面电极，所述金属部件的底面设置为底面电极，所述顶面电极...
    2025-12-29
  • 一种发光器件
    一种发光器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511378722.5
    本发明公开了一种发光器件，包括基板、发光芯片、荧光层、白胶层，发光芯片设置在基板上，荧光层叠合在基板上，并包覆发光芯片，封装层叠合在荧光层上；基板包括金属支架和基于金属支架填充形成的塑封支架，金属支架包括顶面电极焊盘、底面电极焊盘和侧面连筋...
    2025-12-29
  • 一种支架阵列、LED器件及制备方法
    一种支架阵列、LED器件及制备方法_佛山市国星光电股份有限公司_202511379823.4
    本发明公开了本发明提供了一种支架阵列、LED器件及其制备方法，所述LED器件包括：基板和设置在基板上的若干个发光芯片；所述基板包括金属支架和绝缘胶体，所述绝缘胶体包覆在所述金属支架的外侧，且所述金属支架部分裸露在所述绝缘胶体外，所述金属支架...
    2025-12-29
  • 一种发光器件及其制备方法
    一种发光器件及其制备方法_佛山市国星光电股份有限公司_202511377835.3
    本发明公开了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件基于整板封装结构切割而成，所述发光器件包括：基板、发光芯片、以及依次覆盖在发光芯片上方的荧光层、透光层以及白胶层；所述透光层覆盖在所述荧光层表面，且所述荧光层完全容纳在所述透光层内。通过在发...
    2025-12-29
  • TOP型LED显示面板及TOP型LED显示屏
    TOP型LED显示面板及TOP型LED显示屏_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511188543.5
    本申请公开了一种TOP型LED显示面板及TOP型LED显示屏，涉及显示技术领域。本申请提供的TOP型LED显示面板包括电路板、至少一个LED灯珠和焊接材料，电路板包括基板和至少一个焊盘组，至少一个焊盘组设置在基板的第一表面，每个焊盘组包括至...
    2025-12-29
  • 超表面光子传播调控层及其深紫外LED应用
    超表面光子传播调控层及其深紫外LED应用_厦门大学_202511346975.4
    本发明公开一种超表面结构的光子传播调控层及其应用。为解决由全反射引起的深紫外LED的低光提取效率难题，本发明开发了一种倒金字塔型超表面的纳米光提取结构，通过超表面结构的光操控提升器件的光提取效率。该倒金字塔型超表面光子传播调控层在提升深紫外...
    2025-12-29
  • LED封装结构、制作方法及发光装置
    LED封装结构、制作方法及发光装置_朗明纳斯光电(厦门)有限公司_202511225451.X
    本申请提供了一种LED封装结构、制作方法及发光装置。该LED封装结构包括：基板和位于基板之上的LED芯片，其中LED芯片远离基板的一侧为出光侧；位于LED芯片之上的荧光层，用以接收来自LED芯片的入射光并将其转化出射；位于基板上方并且填充至...
    2025-12-29
  • 发光组件及其制备方法、显示面板和显示装置
    发光组件及其制备方法、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410749032.5
    本申请公开了一种发光组件及其制备方法、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。发光组件包括衬底基板，以及位于衬底基板上的驱动单元和发光单元。驱动单元包括的第一绝缘层的第四绝缘部分靠近衬底基板的一侧和驱动单元包括的驱动电路层之间具有第一散热层。...
    2025-12-29
  • 一种引线框架、发光装置及其制造方法
    一种引线框架、发光装置及其制造方法_唯亮科技香港有限公司_202511362706.7
    本申请涉及一种引线框架、发光装置及其制造方法。引线框架包括设置在金属基材上的多个芯片单元，多个芯片单元沿着第一方向并排排列，形成芯片单元的纵向芯片带；相邻的纵向芯片带之间设有第二连接部；所述芯片单元包括金属基材和封装体，所述金属基材沿第二方...
    2025-12-29
  • 一种金属复合结构LED灯支架及生产工艺
    一种金属复合结构LED灯支架及生产工艺_中山市木林森精密科技有限公司_202511346669.0
    本申请涉及LED灯的技术领域，尤其涉及一种金属复合结构LED灯支架及生产工艺，包括第一金属支架、第二金属支架，第一金属支架为兼具导电和散热的铜材料制成，用于导电和散热，且第一金属支架上设有第一金属支架安装区、用于充当负极的第一焊盘区；第二金...
    2025-12-29
  • 一种发光器件的制作方法及发光器件
    一种发光器件的制作方法及发光器件_佛山市国星电子制造有限公司_202511211706.7
    本发明公开了一种发光器件的制作方法及发光器件，制作方法包括：在基板上形成第一功能层和第二功能层，并形成连接第一功能层和第二功能层的铜柱；将基板划分为若干个基板单元，在每个基板单元上粘接发光芯片；在发光芯片上焊接焊线连接第一功能层；将设置有通...
    2025-12-29
  • 一种低缺陷高光提取率的Micro LED器件及其制作方法
    一种低缺陷高光提取率的Micro LED器件及其制作方法_季华实验室_202511708150.2
    本申请涉及LED技术领域，主要涉及一种低缺陷高光提取率的Micro LED器件及其制作方法。制作方法包括以下步骤：配置衬底，在衬底上形成图形化像素基底；再依次沉积填平的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；在P型半导体层上制备阳极结构，得...
    2025-12-29
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