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最新专利技术
  • 一种界面应力可控的磁电纳米异质结中空微球材料及其制备和应用
    一种界面应力可控的磁电纳米异质结中空微球材料及其制备和应用_复旦大学_202511305742.X
    本发明涉及一种界面应力可控的磁电纳米异质结中空微球材料及其制备和应用，采用喷雾干燥与两步煅烧法，合成了一种界面应力可控的磁电纳米异质结中空微球，其中，由磁性碳化铁与半导体氧化锌组成的磁电纳米异质结分散在中空结构的碳层框架中。本发明制备的界面...
    2025-12-31
  • 等离子体源的屏蔽结构及其设计方法、等离子体处理设备
    等离子体源的屏蔽结构及其设计方法、等离子体处理设备_中国科学院近代物理研究所_202511688435.4
    本发明提供一种等离子体源的屏蔽结构及其设计方法、等离子体处理设备，涉及电磁屏蔽技术领域，等离子体源包括螺线管，屏蔽结构包括包围所述螺线管的屏蔽体，屏蔽体上设有至少一个基于截止波导理论设计的屏蔽通道，用于在保证物理连通的前提下抑制电磁泄漏。屏...
    2025-12-31
  • 一种基于仿生蛛网结构的吸波材料及其制备方法与应用
    一种基于仿生蛛网结构的吸波材料及其制备方法与应用_中南大学_202511701423.0
    本发明公开了一种基于仿生蛛网结构的吸波材料及其制备方法与应用，属于功能复合材料技术领域。该材料包括仿生蛛网平板；所述仿生蛛网平板具有类蛛网结构；所述类蛛网结构由n个类扇形区域组成；同时所述类蛛网结构包括骨架和第二纤维搭接而成，其中骨架由n根...
    2025-12-31
  • 一种高速多轴贴片机及其控制系统
    一种高速多轴贴片机及其控制系统_北京博瑞先进科技有限公司_202511529422.2
    本发明涉及电子制造设备技术领域，公开了一种高速多轴贴片机及其控制系统，包括地脚，所述地脚的顶部设置有设备基座，所述设备基座的顶部转动连接有旋转承载台，所述旋转承载台的顶部设置有料盘，所述旋转承载台的底部设置有旋转切换机构，所述旋转切换机构用...
    2025-12-31
  • 一种存储器及其访问方法、电子设备
    一种存储器及其访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410764197.X
    一种存储器及其访问方法、电子设备，所述存储器包括：至少一个存储阵列、多条公共字线和多条公共位线；存储阵列包括多层存储单元阵列和垂直延伸的位线；存储单元阵列包括：多个存储单元和多条字线；多条所述字线分成多个字线组，每个字线组连接一条公共字线；...
    2025-12-31
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410764244.0
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在保证接触结构与晶体管之间的对应连接。本申请实施例提供的半导体柱结构包括半导体柱和接触结构，半导体柱位于隔离结构和栅极结构之间，接触结构通过外延工艺...
    2025-12-31
  • 使用多层遮罩的半导体元件及其制备方法
    使用多层遮罩的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411581670.7
    本公开提供一种使用多层遮罩的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、设置在该基底上多个下电极以及支撑该多个下电极的至少一支撑结构图案。该至少一支撑结构图案界定出一开口区域，该开口区域具有沿一第一方向的一第一尺寸以及沿一第二方向的一第...
    2025-12-31
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202411777373.X
    本公开提供一种半导体元件。此半导体元件包括：一基板；一下部支撑框架；一上部支撑框架；以及一电容构件。该下部支撑框架设置在该基板之上。该上部支撑框架设置在该下部支撑框架之上并与该下部支撑框架分隔。该电容构件设置在该基板之上。该电容构件包括一下...
    2025-12-31
  • 凹槽栅极和互连结构及其制备方法
    凹槽栅极和互连结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411780161.7
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板，具有一主动区域；一凹槽栅极结构，设置于该基板中并与该主动区域相交；一导电柱，设置于该基板之上并电性连接至该主动区域；一着陆垫，设置于该导电柱上并电性连接至该导电柱；以及一介电层堆...
    2025-12-31
  • 具有绝缘图案的半导体装置
    具有绝缘图案的半导体装置_三星电子株式会社_202510758813.5
    提供了具有绝缘图案的半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构；背栅极结构，设置在位线结构上，并且包括背栅电极和覆盖背栅电极的侧表面和下表面的背栅极介电层；字线结构，设置在位线结构上，并且包括字线和覆盖字线的侧表面和下表面的栅极介电层；有源图...
    2025-12-31
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_福建省晋华集成电路有限公司_202511132857.3
    本发明公开了一种半导体存储装置，其包括衬底；衬底内包括多个有源区与浅沟槽隔离；多个埋藏字线，埋设在衬底内，穿过浅沟槽隔离与有源区；多个第一绝缘侧壁与多个存储节点插塞交替排列，设置在衬底上，其中，第一绝缘侧壁位于埋藏字线的正上方，存储节点插塞...
    2025-12-31
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511284548.8
    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，同一通道结构两侧壁上的第一栅极和第二栅极通过一接触插塞连接导出，且设置在不同栅极结构上的接触插塞的截面形状可不同。
    2025-12-31
  • 存储器件ONO膜层的制备方法
    存储器件ONO膜层的制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511134703.8
    本申请提供了一种存储器件ONO膜层的制备方法，在掺氯热氧化形成第一氧化硅层之后，对半导体结构进行高温退火工艺，将制备第一氧化硅层过程中产生的副产物分解为挥发性气体，随后往工艺腔室通入工作气体，利用工作气体吹扫半导体结构以及工艺腔室，并将挥发...
    2025-12-31
  • 改善半导体器件中薄膜稳定性的方法
    改善半导体器件中薄膜稳定性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511101987.0
    本发明公开了一种改善半导体器件中薄膜稳定性的方法。为解决现有技术第一氧化物层质量欠佳及氮化硅层厚度不稳定的问题，本发明提出：在衬底上形成第一氧化物层时，包括沉积至少部分第一氧化物层，随后对其执行基于含N2O气体的退火处理；接着，在退火后的第...
    2025-12-31
  • NORD闪存结构及其制造方法、测试方法
    NORD闪存结构及其制造方法、测试方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511223894.5
    本发明提供一种NORD闪存结构及其制造方法、测试方法。NORD闪存结构包括存储单元阵列和一浮栅引出区。在浮栅引出区内，一浮栅接触插头直接电性连接至一浮栅多晶硅层，且该浮栅多晶硅层的上方不设置控制栅多晶硅层。通过该结构，可将先前电学悬浮的浮栅...
    2025-12-31
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511165848.4
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法。本申请通过引入中性元素的离子对闪存器件区域的衬底以及部分MOS器件区域的衬底进行非晶化处理，并对上述衬底进一步进行均匀性处理加强非晶化效果，简化了工艺流程，显著提高了器件的擦写稳定性，非晶层的形成有效抑...
    2025-12-31
  • 三维存储装置及其形成方法
    三维存储装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410763970.0
    在某些方面中，三维(3D)存储装置包括：第一堆叠结构，其包括交错的导电层和电介质层；第二堆叠结构，其在第一方向上在第一堆叠结构上方并且包括交错的导电层和电介质层；以及接触结构，其在第一方向上延伸穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构并且与第一堆叠结...
    2025-12-31
  • 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
    铁电场效应晶体管存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410722765.X
    本申请涉及微电子技术领域的一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，所述铁电场效应晶体管存储器包括依次层叠设置的衬底层、栅电极、铁电层、半导体沟道层和源漏电极层，所述栅电极的材料的功函数WF＜4.5eV。本申请的铁电场效应晶体管存储器可以降低...
    2025-12-31
  • 氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器及其制备方法
    氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器及其制备方法_西安电子科技大学_202511277995.0
    本发明公开了一种氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器，包括漏端电极、氧化物半导体沟道层、氧化物介质层、源端电极、浮栅金属层、铁电介质层和控制端电极；所述浮栅金属层位于衬底上，所述氧化物介质层和铁电介质层位于浮栅金属层上且相互隔离，所述铁电介...
    2025-12-31
  • 制造半导体装置的方法
    制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510790178.9
    一种用于制造半导体装置的方法包括：在基底上顺序地形成下电极层、磁性隧道结结构层、第一上电极层和第一蚀刻停止层。去除第一蚀刻停止层的一部分，并且形成第二上电极层。在第二上电极层上顺序地形成第二蚀刻停止层和牺牲电极层。将下电极层、磁性隧道结结构...
    2025-12-31
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