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最新专利技术
  • 脱氢硅的装锅方法
    脱氢硅的装锅方法_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410774521.6
    本申请公开一种脱氢硅的装锅方法。该方法包括选取块状硅和脱氢后的颗粒硅；将块状硅和脱氢后的颗粒硅一并装入坩埚中。如此，本申请实施方式通过将脱氢后的小尺寸的颗粒硅搭配大尺寸的块状硅一并装入坩埚中，使得初次填充至坩埚内的硅料较多的同时，经过脱氢后...
    2026-03-11
  • 单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉
    单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410775087.3
    本发明公开了一种单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉。方法包括：在单晶炉将坩埚中的第一固态硅料至少部分加热液化后，调节单晶炉的加热装置的功率，以使单晶炉的加热温度处于预设范围；向装有液态硅料的坩埚中复投入未脱氢的第二固态硅料；将单晶炉的加热温...
    2026-03-11
  • 单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉
    单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410775332.0
    本发明公开了一种单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉。方法包括：在同一料筒中装入第一固态硅料和第二固态硅料，第一固态硅料的尺寸小于第二固态硅料的尺寸；在单晶炉将坩埚中的第三固态硅料至少部分加热液化后，利用料筒将料筒中的第一固态硅料和第二固态硅...
    2026-03-11
  • 用于拉晶工艺的装料方法
    用于拉晶工艺的装料方法_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410777787.6
    本申请公开了一种用于拉晶工艺的装料方法，所述装料方法包括：向坩埚内装入第一块状硅并覆盖坩埚的底壁，直至第一块状硅的高度与坩埚高度的比值达到预设比例；向坩埚内装入预设重量的第一碎料硅，以使第一碎料硅覆盖第一块状硅；向坩埚内装入颗粒硅、第二块状...
    2026-03-11
  • 一种一体式多功能单晶坩埚
    一种一体式多功能单晶坩埚_江西匀晶光电技术有限公司_202511464432.2
    本发明属于实验器材技术领域，且公开了一种一体式多功能单晶坩埚，包括工作台，所述工作台顶部固接有保温外壳，所述保温外壳内螺旋固接有感应线圈，通过设置多匝线圈螺旋管、上端口管和下端口管等结构的配合，进而便利了装置既可生长同成分单晶，又可生长掺杂...
    2026-03-11
  • 一种人工晶体生长用稳定装置及方法
    一种人工晶体生长用稳定装置及方法_广东省科学院半导体研究所_202511695647.5
    本发明涉及人工晶体生长技术领域，且公开了一种人工晶体生长用稳定装置及方法，一种人工晶体生长用稳定装置，包括底座，底座顶部固定连接有提拉炉，还包括：坩埚，提拉炉底部固定连接有多组支撑架，坩埚固定连接在多组支撑架之间，提拉炉内设置有打开或封闭坩...
    2026-03-11
  • 一种晶种生长工作台
    一种晶种生长工作台_昆吾先进材料(江西)有限公司_202511298734.7
    本发明公开了一种晶种生长工作台，旨在解决现有晶体生长技术中因熔体对流及液面变化而导致晶体质量不佳的问题。本工作台包括同轴设置且底部连通的内、外坩埚，一位于坩埚底部的纵向磁场线圈，以及一设置于内外坩埚之间的、包含铁磁性环的自动加料部。工作时，...
    2026-03-11
  • 精准控制氟化钙晶体生长籽晶的熔接装置及方法
    精准控制氟化钙晶体生长籽晶的熔接装置及方法_河南微米光学科技有限公司_202511298339.9
    本发明公开了一种精准控制氟化钙晶体生长籽晶的熔接装置及方法，属于晶体生长技术领域。所述熔接装置由石墨坩埚、籽晶、导线回路组件、报警器和控制单元构成，所述导线回路组件包括第一电极、第二电极和直流电源模块，所述第一电极延伸至籽晶上端面，所述籽晶...
    2026-03-11
  • 一种从锌浸出渣中协同回收铟锗并制备单晶的工艺方法
    一种从锌浸出渣中协同回收铟锗并制备单晶的工艺方法_泸溪蓝天高科有限责任公司_202511689743.9
    本发明涉及半导体单晶材料制备工艺领域，公开一种从锌浸出渣中协同回收铟锗并制备单晶的工艺方法，包括：将粗提物与液态金属溶剂混合进行低温萃取获得混合浆料，对该混合浆料进行热相在位提纯，利用热梯度迁移分离液固相，再通过定向凝固提纯获得超净生长溶液...
    2026-03-11
  • 一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用
    一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用_湖北隆中实验室_202511228512.8
    本发明公开了一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用。所述SiC@C纳米晶须材料的制备方法包括如下步骤：将基底材料放入激光化学气相沉积设备的沉积腔中，将沉积腔中抽真空至10Pa以下，通入H2和携带前驱体的载气，调节沉积压强至目标值并使其...
    2026-03-11
  • 一种降低大尺寸碳化硅晶体螺位错缺陷密度的方法
    一种降低大尺寸碳化硅晶体螺位错缺陷密度的方法_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511283792.2
    本发明公开了一种降低大尺寸碳化硅晶体螺位错缺陷密度的方法，运用物理气相传输法(PVT)生长碳化硅晶体，通过控制系统自动调节气体流量，精确调控晶体生长过程中的气相组分浓度，即气相混合物中Si/C摩尔比的范围，减少了晶体生长界面处的气相组分浓度...
    2026-03-11
  • 碳化硅晶体生长装置及其方法
    碳化硅晶体生长装置及其方法_山西天成半导体材料有限公司_202511399538.9
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及其方法，属于碳化硅结晶技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括外坩埚、升降机构和基座，还包括：检测部包括光线发射器和光线传感器，光线发射器能发射两条位于同一水直面内的第一光线束以及两条位于同一水平面内的第二光线...
    2026-03-11
  • 铁基超导薄膜及其制备方法
    铁基超导薄膜及其制备方法_中国长江三峡集团有限公司_202511309719.8
    本发明涉及超导材料技术领域，公开了一种铁基超导薄膜及其制备方法，铁基超导薄膜的制备方法包括：采用脉冲激光沉积工艺在基底的表面沉积超导薄膜，基底为CaF2单晶，所采用的靶材为FeSe1‑xTex(0.1≤x≤0.4)块体，超导薄膜具有单一相。...
    2026-03-11
  • 一种实现金刚石色心的定位生长的方法
    一种实现金刚石色心的定位生长的方法_内蒙古科技大学_202511295445.1
    本发明涉及金刚石色心量子光源技术领域，具体涉及一种定位制备金刚石色心的方法，包括以下步骤：以单面抛光蓝宝石片为基底，采用微波等离子体化学气相沉积方法制备具有(001)表面的单晶金刚石；采用物理气相沉积方法在单晶金刚石表面制备金属层并进行脱湿...
    2026-03-11
  • 一种大面积单层过渡金属硫族化合物单晶阵列及其制备方法和生长设备
    一种大面积单层过渡金属硫族化合物单晶阵列及其制备方法和生长设备_国家纳米科学中心_202511360474.1
    本发明提供了一种大面积单层过渡金属硫族化合物单晶阵列及其制备方法和生长设备。所述制备方法包括以下步骤：S1：于生长基底表面形成纳米成核点阵列，得到待反应生长基底；S2：在S1所述待反应生长基底的成核点进行过渡金属硫族化合物的单核生长，得到单...
    2026-03-11
  • 多片外延装置及外延生长测试方法
    多片外延装置及外延生长测试方法_上海新傲科技股份有限公司_202511000534.9
    本发明涉及一种多片外延装置及外延生长测试方法。所述多片外延装置包括：外延生长腔室；外延生长结构，位于所述外延生长腔室内，包括间隔排布的多个容纳腔，所述容纳腔用于容纳晶圆；进气法兰，位于所述外延生长腔室内，用于向所述外延生长腔室内传输反应气体...
    2026-03-11
  • 一种用于矢量磁场测量的定向NV色心金刚石层的制备方法及其应用
    一种用于矢量磁场测量的定向NV色心金刚石层的制备方法及其应用_哈尔滨工业大学_202511521937.8
    一种用于矢量磁场测量的定向NV色心金刚石层的制备方法及其应用，本发明是要解决基于NV色心的金刚石量子磁传感系统中，由于随机取向的NV色心导致的测量信号各向异性衰减和灵敏度降低等技术问题。制备方法：一、籽晶片置于混酸中预处理；二、使用氢气等离...
    2026-03-11
  • 一种硅衬底上单晶硅外延生长方法
    一种硅衬底上单晶硅外延生长方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511337951.2
    本发明公开了一种硅衬底上单晶硅外延生长方法，包括步骤：a)提供单晶硅衬底，经清洗后装入LPCVD反应室，抽真空后，然后通入氢气，在H2氛围下进行高温原位氢刻蚀退火；高温原位氢刻蚀退火的压力为10‑100Pa，温度为700‑900℃；b)在H...
    2026-03-11
  • 碲化锌多晶的制备方法
    碲化锌多晶的制备方法_广东晶智光电科技有限公司_202511314768.0
    一种碲化锌多晶的制备方法包括步骤：S1，按照摩尔比1 : (1.044‑1.059)称取5N碲块和锌块，锌块过量；S2，将碲块和锌块分别装入两个石英舟内；S3，将装有碲块的石英舟和装有锌块的石英舟水平放入石英管内；S4，保持石英管水平放置，...
    2026-03-11
  • 一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法
    一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法_金瑞泓科技(衢州)有限公司_202511213868.4
    本发明涉及一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法，包括以下具体步骤：S1：获得加工完毕的抛光片；S2：对硅片正面进行清洗；S3：将硅片正面朝上放入到背封炉内进行低温氧化物生长，使得硅片正面形成氧化硅层；S4：取出硅片，并对硅片背面进...
    2026-03-11
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