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最新专利技术
  • 一种电镀装置及其工艺
    一种电镀装置及其工艺_台州市出新镀业股份有限公司_202511305106.7
    本申请涉及电镀设备的领域，一种电镀装置及其工艺包括电镀箱、转移机构、暂存架和悬挂架，电镀箱上端设有储液腔，储液腔用于容纳电镀液，悬挂架包括抵接杆和固定架，抵接杆用于抵接暂存架或电镀箱上端，固定架上端连接于抵接杆，固定架用于供工件放置，转移机...
    2026-03-10
  • 一种汽车配件电镀加工装置及方法
    一种汽车配件电镀加工装置及方法_丹阳市瑞麟汽车部件有限公司_202511379559.4
    本发明涉及汽车配件电镀加工技术领域，本发明公开了一种汽车配件电镀加工装置及方法，包括安装架一与两个安装架二，所述安装架二滑动连接在安装架一上，所述安装架二的内部前后两侧均开设有多个卡槽，所述卡槽的内部卡接有卡块，所述卡块滑动连接在安装架一的...
    2026-03-10
  • 一种关于深孔件内、外表面镀铬装置及方法
    一种关于深孔件内、外表面镀铬装置及方法_江南工业集团有限公司_202511613365.6
    本发明公开了一种关于深孔件内、外表面镀铬装置及方法，包括：导电板，上部设置有导电挂钩；辅助阳极，一端与导电板相连；绝缘支撑体，设置于辅助阳极上，两个绝缘支撑体之间形成安装位，用于安装深孔件，使辅助阳极处于深孔件内腔中间位置且不与深孔件接触。...
    2026-03-10
  • 一种厚铜板的高效均匀电镀制作方法及系统
    一种厚铜板的高效均匀电镀制作方法及系统_东莞康源电子有限公司_202511380006.0
    一种厚铜板的高效均匀电镀制作方法，其包括如下步骤：步骤一、对基板进行化学除油处理及微蚀粗化；步骤二、预浸处理及制作掩膜；步骤三、采用脉冲电镀装置对板边进行边缘辅助电镀，步骤四、镀液闭环调控：提供调控系统，所述调控系统包括镀液调控装置及自动补...
    2026-03-10
  • 一种玻璃封接射频同轴表贴焊接连接器局部电镀装置及工艺方法
    一种玻璃封接射频同轴表贴焊接连接器局部电镀装置及工艺方法_西安艾力特电子实业有限公司_202511241835.0
    本发明玻璃封接连接器与表面处理技术领域，尤其涉及一种玻璃封接射频同轴表贴焊接连接器局部电镀装置及工艺方法。该一种玻璃封接射频同轴连接器表贴焊接局部电镀装置包括导电挂钩、安装板、盖板、浮动模块、导电铜丝、紧固螺钉；安装板由两块绝缘板装配而成；...
    2026-03-10
  • 一种电镀治具自动装夹装置及操作方法
    一种电镀治具自动装夹装置及操作方法_苏州钧华半导体技术有限公司_202511338684.0
    本发明提供一种电镀治具自动装夹装置及操作方法，涉及一种自动装夹结构，包括外框架，外框架内安装有升降吊装机构和压迫夹紧机构，当小车移载机构转移电镀治具至外框架内时，升降吊装机构用于起吊电镀治具使其对位压迫夹紧机构，电镀治具包括与治具本体、治具...
    2026-03-10
  • PCB制造防错控制方法
    PCB制造防错控制方法_江门荣信电路板有限公司_202511116954.3
    本发明公开了一种PCB制造防错控制方法，应用于龙门电镀生产线，包括以下步骤：S100：当天车运行至下板工位时，通过光电感应探头扫描飞巴载具的PCB板存在状态；S200：当检测到PCB板未卸载时，向天车控制单元发送急停指令，触发声光报警模块的...
    2026-03-10
  • 一种镀镉产线的镀液在线监测与自动控制方法
    一种镀镉产线的镀液在线监测与自动控制方法_汨罗市紫航金属表面处理有限公司_202511314968.6
    本发明涉及镀液控制技术领域，具体涉及一种镀镉产线的镀液在线监测与自动控制方法。本发明将每个环节在当前时刻的分析时段划分为溶液处理时段与液位参考时段；根据电镀镉环节与前一个水洗环节在分析时段中液位参考时段的液位值、特定离子浓度值变化趋势，获取...
    2026-03-10
  • 一种超薄圆环形零件的通用电抛机构
    一种超薄圆环形零件的通用电抛机构_北京富创精密半导体有限公司_202511319814.6
    本发明涉及半导体设备零部件表面处理技术领域，具体涉及一种超薄圆环形零件的通用电抛机构, 包括挂钩、连接架、螺杆A和支撑组件，每个超薄圆环形零件分别由一个支撑组件平行支撑，多个支撑组件由螺杆A串联安装，螺杆A整体带有外螺纹，安装在连接架上，并...
    2026-03-10
  • 一种铁画表面除锈装置
    一种铁画表面除锈装置_安徽机电职业技术学院_202511376748.6
    本发明涉及除锈装置技术领域，具体是涉及一种铁画表面除锈装置，包括 : 主机体, 用于存放电解液，所述主机体的一侧设置有除锈箱，主机体的另一侧设置有电极箱；电极板，滑动设置在电极箱的内部并且能够通过导线与电源的负极相连；铁画限位组件，设置在除...
    2026-03-10
  • 一种基于超声驻波悬浮的可调式电化学抛光装置
    一种基于超声驻波悬浮的可调式电化学抛光装置_长春理工大学_202511380122.2
    本发明公开了一种基于超声驻波悬浮的可调式电化学抛光装置，属于精密制造技术领域。该装置包括凹球面超声阵列、驱动系统、电解槽和电极组件，凹球面超声阵列由72个压电式超声换能器阵元按圆环间距16.5mm、曲率半径70mm排列组成，工作频率为40k...
    2026-03-10
  • 一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置
    一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置_杭州龙助科技有限公司_202511523488.0
    本发明属于无机材料领域。本发明提供了一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置，其制备方法为，将含硅物料、含碳物料置于装置内，然后使装置处于密闭状态，对装置抽真空，然后充入惰性气体进行充压，通过焦耳热加热系统进行原料预热，加热至300‑500℃...
    2026-03-10
  • 一种基于重原子序数元素掺杂钙钛矿单晶的高灵敏度中子探测器及其制备方法
    一种基于重原子序数元素掺杂钙钛矿单晶的高灵敏度中子探测器及其制备方法_中国电能成套设备有限公司_202511040451.2
    本发明公开了一种基于重原子序数元素掺杂钙钛矿单晶的高灵敏度中子探测器及其制备方法，包括，甲基溴化铵、溴化铅溶于N, N‑二甲基甲酰胺中加入碘化铋搅拌得到前驱液，将前驱液分成两份，取第一份进行第一次加热，再加入再加入第二份进行第二次加热，得到...
    2026-03-10
  • 一种全无机CsPbCl3(I)单晶及其制备方法和探测器
    一种全无机CsPbCl3(I)单晶及其制备方法和探测器_陕西师范大学_202511297876.1
    本发明公开了一种全无机CsPbCl3(I)单晶及其制备方法和探测器，属于钙钛矿单晶制备技术领域。该方法通过设计新的铯源，同时在多溶剂体系中调控反应物比例，生长出全无机CsPbCl3(I)钙钛矿单晶。该制备方法一方面通过设计新的铯源，解决了传...
    2026-03-10
  • 颗粒硅的脱氢方法和单晶炉
    颗粒硅的脱氢方法和单晶炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410777802.7
    本申请公开了一种单晶炉颗粒硅的脱氢方法。所述颗粒硅的脱氢方法包括将颗粒硅放入高纯石英坩埚内通过单晶炉加热；对所述颗粒硅进行脱氢处理。本申请的颗粒硅的脱氢方法通过采用单晶炉加热对颗粒硅进行脱氢，大大降低了颗粒硅内部及表面的氢气含量，减少了溅硅...
    2026-03-10
  • 一种Nb3Sn超导线材用单晶铜制备方法
    一种Nb3Sn超导线材用单晶铜制备方法_西安聚能超导线材科技有限公司_202511220928.5
    本申请公开了一种Nb3Sn超导线材用单晶铜制备方法，该方法包括以下步骤：将铜锭加入石墨舟中，启动加热程序以对铜锭提纯，将提纯后的铜锭放入石墨坩埚中熔化，加热铜熔体并保温，将籽晶夹持在籽晶杆上，使籽晶下降至铜熔体的液面处，籽晶杆接通水冷机组，...
    2026-03-10
  • 一种单晶硅生长炉热屏结构及其优化方法及应用
    一种单晶硅生长炉热屏结构及其优化方法及应用_兰州大学_202511328593.9
    本发明涉及一种单晶硅生长炉热屏结构及其优化方法及应用，属于晶体生长技术领域，所述热屏结构的底部所处平面与熔体区的熔体自由界面所处平面的夹角为0‑45°，优化方法包括研究与模型适配的单晶硅晶体的等径生长阶段；确定热场控制方程、晶体热应力控制方...
    2026-03-10
  • 一种单晶炉的高效节能供水系统及水泵负荷优化方法
    一种单晶炉的高效节能供水系统及水泵负荷优化方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511616700.8
    本发明涉及单晶炉的冷却水供给与节能控制技术领域，具体是涉及一种单晶炉的高效节能供水系统及水泵负荷优化方法，包括供水管路和回水管路，供水管路包括供水总管和进水分水器，回水管路包括回水总管和回水分水器，供水系统的上下游分别设有水池和单晶炉，进水...
    2026-03-10
  • 颗粒硅的加料方法、加料装置、加料系统及存储介质
    颗粒硅的加料方法、加料装置、加料系统及存储介质_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410772494.9
    本申请公开了一种颗粒硅的加料方法、加料装置、加料系统及存储介质。本申请实施方式的颗粒硅的加料方法包括：将第一份颗粒硅加入到第一石英筒内；将第一石英筒吊入单晶炉内，第一石英筒底部自导流筒穿出并位于导流筒下沿的下方预定距离以使得第一份颗粒硅的温...
    2026-03-10
  • 脱氢硅的装锅方法
    脱氢硅的装锅方法_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410774521.6
    本申请公开一种脱氢硅的装锅方法。该方法包括选取块状硅和脱氢后的颗粒硅；将块状硅和脱氢后的颗粒硅一并装入坩埚中。如此，本申请实施方式通过将脱氢后的小尺寸的颗粒硅搭配大尺寸的块状硅一并装入坩埚中，使得初次填充至坩埚内的硅料较多的同时，经过脱氢后...
    2026-03-10
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