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  • 本发明公开了一种大功率半导体激光器结构,包括一对风冷结构,所述风冷结构的底部设有液冷模块,所述液冷模块的上方设有激光器模块,所述激光器模块位于所述风冷结构之间,所述激光器模块的上方设有光学结构,所述光学机构包括第一外壳,所述第一外壳上自外向...
  • 本发明公开了一种芯片热管理装置、方法及电子设备,涉及芯片技术领域。其中,装置包括第一、第二加热设备,导热构件,相变材料基座,控制器,第一加热设备与相变材料基座热耦合,第二加热设备、相变材料基座、芯片均与导热构件热耦合;控制器用于:在相变材料...
  • 本申请公开了一种半导体激光器、调制方法及制备方法,涉及半导体激光器技术领域。半导体激光器包括:沿出光方向依次设置的调制区、高卡帕光栅区以及低卡帕光栅区;调制区、高卡帕光栅区以及低卡帕光栅区共用从下至上依次堆叠的第一电极层、衬底层、第一限制层...
  • 本申请提供基于温度和电流双闭环的窄线宽激光光源设计方法及系统,获取激光增益介质的测量温度值;计算所述测量温度值和预设的目标温度值之间的温度偏差值,并将所述偏差值转换为流速控制信号;利用所述流速控制信号驱动传热结构,生成调节后温度分布数据;基...
  • 本发明公开了一种波长可调谐的高速EML激光器,包括衬底,以及设置于衬底上且依次连接的四个功能区:电吸收调制区(EAM)、增益区、相位调控区、分布式布拉格反射区(DBR);其中,各功能区的P/N型电极均布设于芯片同一主表面,形成共面电极结构;...
  • 本发明提出了一种基于工序优化的SGDBR激光器光栅均匀性改善的方法,包括:在衬底上首次外延生长外延层得到光栅层;在光栅层上进行光栅图案的光刻,采用干法刻蚀完成光栅结构的刻蚀;在完成光栅刻蚀的衬底上进行二次外延,整片生长量子阱结构,直至达到预...
  • 本公开涉及激光设备和制造激光设备的方法。本公开描述了能够在高速应用中操作的光子‑光子共振光子晶体面发射激光器(PPR PCSEL)。该PPR PCSEL包括位于同一制造层的第一光子晶体部分和第二光子晶体部分。第一光子晶体部分能操作为竖直地耦...
  • 本发明属于半导体激光器技术领域,涉及基于双氧化孔的垂直腔面发射激光器及其制备方法。基于双氧化孔的垂直腔面发射激光器包括有源层、P型DBR层和位于两者之间的氧化限制层,氧化限制层包括氧化层和大氧化孔层,P型DBR层上设有与大氧化孔层同轴且直径...
  • 本发明属于半导体激光器技术领域,具体涉及阵列式氧化孔结构的垂直腔面发射激光器及其制备方法。阵列式氧化孔结构的垂直腔面发射激光器包括台面结构,台面结构具有自下至上依次布置的有源层、氧化限制层、P型DBR层和GaAs盖层,台面结构上刻蚀有自上至...
  • 提供一种元件及其制造方法、有机半导体激光二极管。该元件具备基板和至少两个不同的光电器件,所述至少两个不同的光电器件在所述基板上以单片方式制作,所述元件满足以下的条件1和条件2中的至少一方:条件1:所述至少两个不同的光电器件具有彼此不同的衍射...
  • 本申请提供的一种能够提升芯片可靠性和寿命的外延结构涉及半导体激光器技术领域。该外延结构包括层叠结构本体,层叠结构本体从下往上依次包括衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型限制层,P型限制层的上侧从下往上依次设置有第一欧姆接触...
  • 本申请提供了一种激光器,包括:沿第一方向设置的第一接触层、第一限制层、有源区层和衬底;其中,所述第一接触层和第一限制层上集成有光栅结构;所述有源区层包括多层量子阱结构,所述有源区层用于产生蓝光激光。本方案能够支持产生窄线宽的蓝光激光,以提升...
  • 本发明公开了基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法,包括衬底,衬底上依次设有buffer层、N型DBR层、有源层、P型氧化限制层、P型DBR层、表面高掺GaAs层;N型DBR层包括N型的高Al组分层、Al组分过渡层、...
  • 本发明涉及一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法。该半导体激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlInP下限制层、第一下波导层、第二下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第一上波导层、...
  • 本发明提供了一种耐高温半导体激光器芯片及其制备方法。该耐高温半导体激光器芯片,由下至上依次包括:衬底、N限制层、下N波导层、载流子收集层I、上N波导层、量子阱层、下P波导层、载流子收集层II、上P波导层、P限制层、欧姆接触层。本发明通过在量...
  • 本发明涉及一种光子晶体表面发射激光器阵列(PCSEL‑阵列)及其制备方法,由驱动衬底以及阵列排布于驱动衬底一侧的多个激光器单元构成,每个激光器单元自下而上包括依次堆叠设置的底端电极层、缓冲层、第一导电层、出光层、第二导电层、光子晶体层和顶端...
  • 本发明公开了一种用于激光雷达、3D传感的可寻址VCSEL阵列芯片、驱动电路及驱动方法,将衬底上的所有所述发光单元分为两个发光区,两个相邻发光区之间设有共享区,当芯片处于第一扫描时段T1时,通过所述多路选择器,同时激活第一驱动电极组和共享电极...
  • 本发明提供能够降低电极头的消耗且提高点火性的火花塞。火花塞具备:绝缘体,其设有沿着轴线延伸的轴孔;中心电极,其配置于轴孔;主体金属壳体,其配置于绝缘体的外周;以及接地电极,其与主体金属壳体连接。中心电极和接地电极中的至少一者包含母材和与母材...
  • 本发明涉及石油机械技术装备领域,具体的涉及一种修井机天车避雷针收放装置,包括避雷针、连杆机构、执行机构;所述避雷针与天车围栏顶部回转连接,所述执行机构通过连杆机构驱动避雷针收放,通过连杆机构实现在修井机工作状态下展开避雷针,在修井机收车状态...
  • 本发明涉及建筑防雷技术领域,尤其为一种装配式建筑的防雷保护装置,包括装配建筑,所述装配建筑顶端安装有支撑组件,所述支撑组件顶端安装有引雷装置,所述引雷装置一侧安装有导雷组件,所述导雷组件安装在装配建筑外侧,本发明中,通过设置的支撑组件、引雷...
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