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最新专利技术
  • 一种机器人金属管件表面用喷涂设备
    一种机器人金属管件表面用喷涂设备_南通安田机械科技有限公司_202511631999.4
    本发明公开了一种机器人金属管件表面用喷涂设备, 包括底座，所述底座的横向段通过摆动机构连接有用于对金属管进行输送的弧形板，所述底座竖直段的顶部连接有用于机器人金属管件单个供料的进料机构, 所述进料机构包括进料通道，所述进料通道的底部连通有出...
    2026-03-08
  • 一种空心活塞杆电镀卡具
    一种空心活塞杆电镀卡具_河南大丹江科技股份有限公司_202511259869.2
    本发明涉及电镀设备的技术领域，特别是涉及一种空心活塞杆电镀卡具，其包括安装架，所述安装架上端设置有移动单元，所述安装架内设置有放置架，所述放置架上设置有多个槽体，所述移动单元上还设置有抬升单元，所述移动单元包括移动板，所述移动板下端设置有第...
    2026-03-08
  • 一种磁保持继电器磁钢嵌件的生产设备
    一种磁保持继电器磁钢嵌件的生产设备_河南昱诚电子科技有限责任公司_202511312120.X
    本发明涉及磁钢嵌件电镀设备技术领域，且公开了一种磁保持继电器磁钢嵌件的生产设备，包括若干个U型架，若干个U型架的内壁处固定连接有金属板，金属板的内壁处滑动连接有滑动金属棒，本发明在绝缘握把带动顶部的U型架向上移动时，绝缘握把将带动底部的滑动...
    2026-03-08
  • 一种垂直电镀投料控制方法及系统
    一种垂直电镀投料控制方法及系统_江西山旭精密电路有限公司_202511231576.3
    本发明涉及电镀工艺控制技术领域，公开了一种垂直电镀投料控制方法及系统，该方法包括：实时监测阳极电流分布与电解液参数，判断投料速率匹配度；基于模糊控制模型评估镀层厚度均匀性风险等级，通过多变量回归分析与动态反馈机制量化温度波动对阳极钝化的累积...
    2026-03-08
  • 一种基于物联网的高效溶铜系统
    一种基于物联网的高效溶铜系统_湖南龙智新材料科技有限公司_202511266263.1
    本发明涉及电解铜箔生产溶铜技术领域，尤其涉及一种基于物联网的高效溶铜系统，本发明设置溶铜模块，特征采集模块，失衡预分析模块，区域识别模块，以及溶铜调控模块，通过失衡预分析模块根据各监测区域的表面气泡参数的比对情况确定失衡风险系数，以判定是否...
    2026-03-08
  • 一种加样针内壁表面复杂功能微结构的多模板电解转印方法
    一种加样针内壁表面复杂功能微结构的多模板电解转印方法_广州能源检测研究院_202511262409.5
    本发明公开了一种加样针内壁表面复杂功能微结构的多模板电解转印方法，属于医疗器械领域，包括：制备具有功能微结构图案的绝缘模板，将绝缘模板插入加样针内腔进行三维定位，获得模板与针体的组合体；在绝缘模板与加样针之间建立电解回路，获得电解加工系统；...
    2026-03-08
  • 一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用
    一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用_景德镇陶瓷大学_202511648091.4
    本发明属于半导体纳米薄膜技术领域，具体涉及一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用。本发明基于低温溶液工艺，创新的采用了两步法在衬底上原位制备三元金属硫化物纳米晶薄膜，通过使用短直链有机胺作为溶剂溶解金属盐制备分子前驱体，通过有机直链...
    2026-03-08
  • 一种利用非晶态二氧化硅为原料生长石英晶体的方法
    一种利用非晶态二氧化硅为原料生长石英晶体的方法_北京石晶光电科技股份有限公司_202511319431.9
    本发明公开一种利用非晶态二氧化硅为原料生长石英晶体的方法，属于晶体生长技术领域，步骤1：预处理：将非晶态二氧化硅作为营养体装入反应釜，然后向反应釜内填充碱液后封釜，然后根据设定值对反应釜进行升温升压，等待一段时间直至反应釜内的压力稳定后停釜...
    2026-03-08
  • 一种单晶三元正极材料及其制备方法和锂离子电池
    一种单晶三元正极材料及其制备方法和锂离子电池_苏州博萃循环科技有限公司_202511265411.8
    本发明涉及一种单晶三元正极材料及其制备方法和锂离子电池，所述制备方法包括：将镍钴锰混合盐溶液和第一锂源进行第一混合；将助熔剂、溶剂和所得氢氧化镍钴锰悬浊液进行第二混合；再将第二锂源和所得混合悬浊液进行第三混合，经砂磨和喷雾干燥、烧结、洗涤和...
    2026-03-08
  • 一种水平定向凝固炉装置及晶体生长方法
    一种水平定向凝固炉装置及晶体生长方法_上虞半导体材料研究中心_202511030381.2
    本发明属于晶体生长领域，公开了一种水平定向凝固炉装置及晶体生长方法，包括炉壳，所述炉壳内设置坩埚、加热组件、保温组件和温度检测组件，所述炉壳内部具有自前向后依次设置的第一温区、第二温区和第三温区，所述加热组件包括设置于第一温区中第一加热器、...
    2026-03-08
  • 一种晶体生长装置及碲锌镉单晶体的制备方法
    一种晶体生长装置及碲锌镉单晶体的制备方法_江西铜业技术研究院有限公司_202511199532.7
    本申请涉及一种晶体生长装置及碲锌镉单晶体的制备方法，属于单晶生长技术领域。所述晶体生长装置包括晶体生长炉、吊装机构、坩埚、移动机构、旋转机构。本申请所述晶体生长装置通过设置吊装机构、移动机构4和旋转机构5，可在坩埚旋转和升降的同时进行晶体生...
    2026-03-08
  • 五级温控4.5吋磷化铟VGF单晶炉
    五级温控4.5吋磷化铟VGF单晶炉_华冠半导体(河源)有限公司_202511288367.2
    本发明涉及单晶炉技术领域，公开了一种五级温控4.5吋磷化铟VGF单晶炉，其中，炉体结构内部设置有支撑底座；加热系统包括五组独立设置的电加热线圈，沿炉体结构纵向分布，五组电加热线圈按预设温度梯度布置；测温系统包括五组温度探测点，分别与五组电加...
    2026-03-08
  • 一种4.5英寸磷化铟单晶生长温度梯度控制方法
    一种4.5英寸磷化铟单晶生长温度梯度控制方法_华冠半导体(河源)有限公司_202511288407.3
    本发明公开一种4.5英寸磷化铟单晶生长温度梯度控制方法，属于晶体的制备技术领域。利用五级温控磷化铟单晶生长炉进行控制，控制方法为对五级温控磷化铟单晶生长炉设置五个电加热区域，从下至上的温度设置范围依次为：1030‑1050℃，1040‑10...
    2026-03-08
  • 一种大尺寸磷锗锌单晶的布里奇曼生长方法
    一种大尺寸磷锗锌单晶的布里奇曼生长方法_哈尔滨工业大学_202511476025.3
    一种大尺寸磷锗锌单晶的布里奇曼生长方法，它涉及生长大尺寸、低缺陷磷锗锌单晶的方法。它是要解决现有的磷锗锌单晶的生长方法得到的晶体尺寸小、易开裂、光学均匀性差的技术问题。本方法：一、原料装填与密封；二、建立温场：将安瓿置于垂直布里奇曼炉中，所...
    2026-03-08
  • 一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术
    一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术_森一量子科技(厦门)有限公司_202511657795.8
    本发明涉及一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术，包含以下步骤：原料制备，熔体制备，将熔体降温至晶体生长温度，熔体温度稳定后，将安装有籽晶的籽晶杆缓慢下降，与熔体接触，籽晶以一定速度旋转；生长过程中，按照设定的变速降温曲线进行晶体...
    2026-03-08
  • 一种晶体生长组件、设备及方法
    一种晶体生长组件、设备及方法_眉山博雅新材料股份有限公司_202410745427.8
    本说明书实施例提供一种晶体生长组件、设备及方法，所述晶体生长组件包括第一坩埚、第二坩埚和连通结构；所述第一坩埚设于所述第二坩埚上方，且所述连通结构连通第一坩埚的第一内腔，并能够将第一坩埚中的熔融原料导入第二坩埚的第二内腔中。
    2026-03-08
  • 一种单晶炉二次加料装置、单晶炉及加料方法
    一种单晶炉二次加料装置、单晶炉及加料方法_上海汉虹精密机械有限公司_202511100324.7
    本发明涉及半导体设备技术领域。一种单晶炉二次加料装置，包括原料存储机构，原料存储机构包括下端开口的石英料筒以及用于封堵石英料筒的下端开口的封堵件；石英料筒的外壁固定有用于搭设固定在单晶炉的炉体内的限位台阶，石英料筒的内部固定有纵向滑动连接封...
    2026-03-08
  • 一种单晶硅棒的掺锑方法、掺锑单晶硅棒及其应用
    一种单晶硅棒的掺锑方法、掺锑单晶硅棒及其应用_青海高景太阳能科技有限公司_202511298994.4
    本发明涉及光伏技术领域，具体而言，涉及一种单晶硅棒的掺锑方法、掺锑单晶硅棒及其应用。一种单晶硅棒的掺锑方法，包括以下步骤：制备熔融硅料，对所述熔融硅料所处环境进行升压处理，采用掺杂装置将锑源加入所述熔融硅料中，得到锑掺杂熔料；对所述锑掺杂熔...
    2026-03-08
  • 一种复合铱坩埚及其制备方法和应用
    一种复合铱坩埚及其制备方法和应用_云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司_202511331543.6
    本发明涉及坩埚技术领域，提供了一种复合铱坩埚及其制备方法和应用。本发明提供的复合铱坩埚包括铱坩埚本体、碳化铪隔离层以及铼支撑体。本发明通过设置铼支撑体使复合铱坩埚的强度较纯铱坩埚提高了3.5~5.4倍，铱金属的用量和成本下降65~94%，使...
    2026-03-08
  • 一种半导体制备用高纯加热器及其制备方法
    一种半导体制备用高纯加热器及其制备方法_上海汉虹精密机械有限公司_202511088048.7
    本发明公开一种半导体制备用高纯加热器及其制备方法。一种半导体制备用高纯加热器包括一石墨发热器，还包括一石英封套，石英封套包覆在石墨发热器的外围；石英封套与石墨发热器之间夹设有石英棉；石英封套包括上封盖、支柱、内套和外套，内套以及外套均呈上端...
    2026-03-08
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