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最新专利技术
  • 等离子体蚀刻装置
    等离子体蚀刻装置_三星显示有限公司_202510469562.9
    本公开涉及等离子体蚀刻装置，所述等离子体蚀刻装置的实施例包括：室，在所述室中执行使用等离子体的蚀刻工艺，在所述蚀刻工艺之前，所述室的内部涂覆有绝缘层，在所述蚀刻工艺之后去除所述绝缘层；第一天线，连接至高频电力源并且定位在所述室上；第二天线，...
    2025-12-03
  • 工艺腔室的清洁方法
    工艺腔室的清洁方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511050288.8
    本申请提供一种工艺腔室的清洁方法，在往工艺腔室中通入前驱体气体进行预处理操作，以在工艺腔室的内壁形成一富硅保护层之后，通过调节施加到工艺腔室的高频段射频频率和低频段射频频率，对残留的前驱体气体以及预处理操作过程中产生的反应副产物进行电离，并...
    2025-12-03
  • 一种等离子体处理及上电极集成降温系统、方法
    一种等离子体处理及上电极集成降温系统、方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511475944.9
    本发明公开了一种等离子体处理设备及上电极集成降温系统及方法，应用于半导体制造装备技术领域。其中，降温系统包括气源供应装置、无运动部件纯气动的气流增压装置和旋流场生成装置。冷却所需的初始气流经气流增压加速后，形成覆盖腔盖表面的高速螺旋气流，实...
    2025-12-03
  • 质量分析数据处理方法及质量分析装置
    质量分析数据处理方法及质量分析装置_株式会社岛津制作所_202510491309.3
    本发明涉及质量分析数据处理方法及质量分析装置。装置具备：测量部(1)，对试样执行质量分析获取数据；峰信息获取部(34)，对基于数据的m/z谱进行峰检测，收集包含检测到的多个峰的m/z值的峰信息；概算质量计算部(35)，对峰信息所包含的各峰的...
    2025-12-03
  • 一种共聚焦成像辅助的二次离子提取系统的安装方法
    一种共聚焦成像辅助的二次离子提取系统的安装方法_中国地质科学院地质研究所_202511467495.3
    本申请提供一种共聚焦成像辅助的二次离子提取系统的安装方法，属于二次离子质谱领域。本申请提供的方法包括：一次离子光学系统发射的离子束轰击至样品，成像系统获取束斑成像图像，根据成像图像自动调整样品台位置使离子束的束斑中心与样品中心重合；确定样品...
    2025-12-03
  • 废旧铝背场电池片的分离回收方法
    废旧铝背场电池片的分离回收方法_天合光能股份有限公司_202410560576.7
    本申请涉及一种废旧铝背场电池片的分离回收方法，包括如下步骤：将废旧铝背场电池片依次浸泡于盐酸溶液和硝酸溶液中，分离回收所述废旧铝背场电池片上的金属；将所述分离回收金属后的废旧铝背场电池片浸泡于氢氟酸溶液中，得到初步去除氮化硅的电池片；将所述...
    2025-12-03
  • 一种碳化硅衬底的外延生长工艺
    一种碳化硅衬底的外延生长工艺_江苏卓远半导体有限公司_202410582620.4
    本发明公开一种碳化硅衬底的外延生长工艺，包括如下步骤：对放置于反应腔室内的碳化硅衬底进行刻蚀；对反应腔内通入刻蚀气体氢气，刻蚀温度为1750‑1800℃；在完成刻蚀的碳化硅衬底上生长缓冲层；缓冲层的生长中，对反应腔内通入碳源气体、硅源气体以...
    2025-12-03
  • 应用于半导体器件制备过程中的工艺方法
    应用于半导体器件制备过程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511055372.9
    本申请公开了一种应用于半导体器件制备过程中的工艺方法，包括：在衬底的正面沉积保护薄膜层，该保护薄膜层覆盖形成于衬底上的半导体器件，衬底的背面形成有背面氮化物层；通过ALD工艺在保护薄膜层上形成第一应力薄膜层；通过PE CVD工艺在第一应力薄...
    2025-12-03
  • 一种Bi3O2.5Se2半导体材料及其制备方法和应用
    一种Bi3O2.5Se2半导体材料及其制备方法和应用_中国科学院上海技术物理研究所_202511094247.9
    本发明涉及Bi3O2.5Se2半导体材料技术领域，尤其涉及一种Bi3O2.5Se2半导体材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种Bi3O2.5Se2半导体材料的制备方法，包括以下步骤：将氟晶云母衬底置于硒化铋的上方，且所述氟晶云母衬底的裂解...
    2025-12-03
  • 一种凸起区窗口的制备方法
    一种凸起区窗口的制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511135885.0
    本发明提供了一种凸起区窗口的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括：制备一基体结构，基体结构包括基础层和至少一个位于基础层顶面处的凸起结构；在基体结构上依次沉积介质膜层和保护膜层；在第一刻蚀条件下刻蚀保护膜层，以使得保护膜层减薄至低于凸起...
    2025-12-03
  • 沟槽的刻蚀方法
    沟槽的刻蚀方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969209.7
    本申请提供一种沟槽的刻蚀方法，通过脉冲等离子体刻蚀工艺刻蚀部分厚度的衬底，以在衬底中形成深沟槽，其中，参与刻蚀的气体至少包括：O2和SF6，O2和SF6的比例在刻蚀过程中随着刻蚀时间线性递增，并且偏置电压的占空比随着刻蚀周期递减。本申请在刻...
    2025-12-03
  • 一种刻蚀掩膜层的方法
    一种刻蚀掩膜层的方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410567019.8
    本发明公开了一种刻蚀掩膜层的方法，包含：提供一基片，其包含设置在刻蚀主体层上的掩膜层，其表面具有开口图形；第一刻蚀阶段：通入刻蚀气体，纵向刻蚀掩膜层至设定深度，形成开口；过渡沉积步骤：通入含硅前驱体，以在开口侧壁粘附；然后，通入含氧气体，在...
    2025-12-03
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511074441.0
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括功能区和划片区，在衬底上形成图形化的硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜，刻蚀衬底，在衬底中的功能区形成若干间隔的沟槽，刻蚀气体包括：SF6、O2和He；同时，在衬底中的划片区形成测试凹槽，...
    2025-12-03
  • 图形化刻蚀方法
    图形化刻蚀方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066241.0
    本发明公开了一种图形化刻蚀方法，包括步骤：形成第一工艺层。形成第一SOC层。生长第一厚度的LTO层。形成第二SOC层。涂布光刻胶并进行曝光将第一区域打开。进行第一次等离子体刻蚀工艺将第一区域的第二SOC层去除并停止在LTO层上。进行第二次等...
    2025-12-03
  • 基于缺陷地结构BGA型SiP封装结构及其高阻线设计方法
    基于缺陷地结构BGA型SiP封装结构及其高阻线设计方法_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202511027920.7
    本发明涉及微波毫米波电路领域，提供一种基于缺陷地结构BGA型SiP封装结构的高阻线设计方法，该设计方法包括：在BGA型SiP封装结构中，去除BOTTOM层的部分大面积金属地，使得RF层射频带线的下层参考地为PCB复合基板的TOP层。本发明通...
    2025-12-03
  • 一种封装基板线路制备方法
    一种封装基板线路制备方法_广东工业大学_202511086837.7
    一种封装基板线路制备方法，包括以下步骤：S1、将铜粉与聚酰亚胺溶液混合形成复合材料；S2、将所述复合材料图案化沉积于封装基板的表面，形成线路图案复合材料层；S3、对沉积后的线路图案复合材料层进行干燥，在封装基板的表面形成干燥的复合材料层；S...
    2025-12-03
  • 半导体器件制备方法
    半导体器件制备方法_甬江实验室_202511100104.4
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件制备方法，用于在玻璃基板上形成通孔。玻璃基板的一侧叠置有硬掩膜层，硬掩膜由高稳定性材料制成，使得硬掩膜层的结构稳定，这样硬掩膜层在干法刻蚀工艺过程中的蚀刻速率较低，硬掩膜层相对于玻璃基板的选择比...
    2025-12-03
  • 共晶设备及共晶工艺
    共晶设备及共晶工艺_江苏联赢半导体技术有限公司_202511224970.4
    本发明提供了一种共晶设备及共晶工艺，共晶设备包括横梁、第一贴片机构、第二贴片机构、第一备料机构、第二备料机构和加热台，其中：第一贴片机构与第二贴片机构均可移动地设置于横梁，第一贴片机构包括支撑板和第一滑台，第一滑台沿第一方向可移动地设置于横...
    2025-12-03
  • 桥连封装方法和封装结构
    桥连封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438888.1
    本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该桥连封装方法包括提供具有金属层的可分离基底；金属层设有凹槽。在金属层上形成第一金属柱；在凹槽贴装第一芯片。第一芯片包括芯片主体和边缘层，芯片主体设有第一导电柱和第二金属柱。边缘层超出芯片主体的边缘；...
    2025-12-03
  • 无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板
    无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511449988.4
    本申请实施例提供一种无芯封装基板的加工方法及无芯封装基板，包括：提供支撑板，支撑板包括基材、附着于基材两侧的第一铜箔、附着于第一铜箔的第二铜箔；在第二铜箔上压合第一半固化片和第三铜箔；在第三铜箔上进行图形制作，以形成电路图形；在第三铜箔上压...
    2025-12-03
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