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最新专利技术
  • 一种低压阳极铝箔用高介电复合阳极氧化膜的制备方法
    一种低压阳极铝箔用高介电复合阳极氧化膜的制备方法_聊城大学_202511004743.0
    本发明公开了一种低压阳极铝箔用高介电复合阳极氧化膜的制备方法。该制备方法是将铝箔置于弱碱性或弱酸性纯水溶液中， 加热至一定的温度， 蒸煮一定时间， 得到表面具有致密水煮膜的铝箔；再置于弱酸盐电解液中进行一级恒流阳极氧化处理；依次进行浸泡‑提...
    2025-11-27
  • 具有细致质感与消光表面的铝合金表面的处理方法
    具有细致质感与消光表面的铝合金表面的处理方法_可成科技股份有限公司_202410515474.3
    本申请涉及一种具有细致质感与消光表面的铝合金表面的处理方法。首先， 对铝合金表面进行化学抛光， 以使其具有介于10GU至1000GU的光泽。接着， 对经化学抛光的铝合金表面进行电解处理；电解处理的操作条件包括：电流密度在0.01A/dm2至...
    2025-11-27
  • 一种仿牙骨质超微结构的钛合金表面修饰方法及其应用
    一种仿牙骨质超微结构的钛合金表面修饰方法及其应用_中山大学附属第五医院_202510991916.6
    本发明公开了一种仿牙骨质超微结构的钛合金表面修饰方法及其应用， 属于生物医用材料表面改性技术领域， 包括：S1、预处理：将钛基材依次用蒸馏水、无水乙醇超声清洗；浸入硝酸和氢氟酸的混合酸中震荡酸洗1‑3分钟；S2、阳极氧化：以钛片为阳极， 惰...
    2025-11-27
  • 一种骨植入医用钛合金表面改性涂层
    一种骨植入医用钛合金表面改性涂层_晋中学院_202511095543.0
    本发明公开了一种骨植入医用钛合金表面改性涂层， 包括以下步骤：步骤(1)等离子辅助渗氮预处理：将钛合金基体置于真空腔室中， 通入高纯氮气、氢气和氩气混合气体， 气压维持在0.15~2.0 Pa， 基体施加‑50~‑400 V脉冲偏压， 温度...
    2025-11-27
  • 一种用于水处理的、固定微生物的固定化载体材料及其制备方法
    一种用于水处理的、固定微生物的固定化载体材料及其制备方法_浙江华仕管道科技有限公司_202510951344.9
    本发明涉及水处理技术领域， 具体是一种用于水处理的、固定微生物的固定化载体材料及其制备方法， 主要技术方案如下：包括多孔Co‑Cr‑Mo合金骨架和生物活化涂层；其中， 多孔Co‑Cr‑Mo合金骨架的孔隙率60％‑80％， 平均孔径100‑5...
    2025-11-27
  • 一种多元掺杂Co-Mn尖晶石涂层电泳共沉积–原位热转化短流程制备方法
    一种多元掺杂Co-Mn尖晶石涂层电泳共沉积–原位热转化短流程制备方法_北京信息科技大学_202511070855.6
    本申请涉及一种多元掺杂Co‑Mn尖晶石保护涂层的电泳共沉积‑原位热转化短流程制备方法。该方法无需预制尖晶石前驱粉体， 而是将商用Co3O4、Mn3O4、稀土氧化物R2O3(R为Y、Ce或La)及掺杂氧化物XxOy(X为Cu、Ni或Fe)按比...
    2025-11-27
  • 一种储能机箱外壳电泳喷塑涂装设备
    一种储能机箱外壳电泳喷塑涂装设备_西安格林斯精密制造有限公司_202511037372.6
    本发明属于电泳喷塑设备技术领域， 具体为一种储能机箱外壳电泳喷塑涂装设备， 包括电泳池、一次烘干机、二次烘干机、喷塑通道、三次烘干机和输送设备；所述电泳池、一次烘干机、二次烘干机、喷塑通道、三次烘干机组成流水线， 输送设备设置在流水线的正上...
    2025-11-27
  • 一种可清洁料带的连续点镀设备
    一种可清洁料带的连续点镀设备_惠州市和美科技有限公司_202511126557.4
    本发明公开了一种可清洁料带的连续点镀设备， 包括多个点镀轮， 呈两排错位设置， 每个点镀轮内设有点镀槽；待点镀带， 切向绕于第一导向辊， 再依次切向绕于多个点镀轮；压紧机构， 每个点镀轮匹配有一压紧机构， 所述压紧机构的一端呈弧形挤压待点镀...
    2025-11-27
  • 一种自锁螺母电镀设备
    一种自锁螺母电镀设备_浙江固尔耐紧固件制造有限公司_202511008006.8
    本发明涉及自锁螺母加工技术领域， 公开了一种自锁螺母电镀设备， 包括电镀槽、滚筒、设置在滚筒两端处且下端转动连接在滚筒端部的支撑板、设置在支撑板上的导电支杆、设置在电镀槽上侧且供导电支杆嵌入的支撑铜叉、设置在电镀槽侧边处且用于带动滚筒转动的...
    2025-11-27
  • 一种有轨电车尖轨镀钼设备
    一种有轨电车尖轨镀钼设备_芜湖中铁科吉富轨道有限公司_202511167381.7
    本发明公开了一种有轨电车尖轨镀钼设备， 包括：电镀池， 其内部盛装有电镀液， 侧壁设有供尖轨尖端伸入的放置口；封堵机构， 设置于所述放置口的外侧， 包括封堵块一、封堵块二、封堵块三及液压缸， 所述液压缸驱动封堵块一和封堵块二相向运动并靠近中...
    2025-11-27
  • 一种合金件自动转移式连续滚镀设备
    一种合金件自动转移式连续滚镀设备_安徽九池金属表面处理有限公司_202511304053.7
    本发明提供一种合金件自动转移式连续滚镀设备， 包括底板和滚镀设备， 所述底板的顶面等间距安装有箱体组件， 所述箱体组件的两侧分别安装有辅助滚镀组件；所述滚镀设备包括悬挂杆， 所述悬挂杆设置有两组， 所述悬挂杆的表面两端分别固定连接有T型块，...
    2025-11-27
  • 一种电解液中阳极泥的有效过滤装置及方法
    一种电解液中阳极泥的有效过滤装置及方法_中铜东南铜业有限公司_202511011844.0
    本发明公开了一种电解液中阳极泥的有效过滤装置及方法， 包括过滤主体冲洗装置和控制系统。所述过滤主体呈长方体状， 内部设置多层过滤单元， 所述过滤主体左侧连接进液管， 右侧上部连接出液管， 右侧下部连接冲洗进液管， 底部靠左侧连接冲洗出液管道...
    2025-11-27
  • 一种用于铜及铜合金的电化学抛光液以及抛光方法
    一种用于铜及铜合金的电化学抛光液以及抛光方法_强一半导体(苏州)股份有限公司_202511216077.7
    本申请提供了一种用于铜及铜合金的电化学抛光液， 1.括碱性抛光剂和酸性抛光剂， 所述的碱性抛光剂以质量百分比含量计， 包括：20％‑50％的氢氧化钠或氢氧化钾、1％‑10％的导电盐、1％‑5％的硝酸钠、1％‑10％的铜离子络合剂、其余为去离...
    2025-11-27
  • 一种单晶铜箔及印制电路用覆铜板
    一种单晶铜箔及印制电路用覆铜板_九江德福科技股份有限公司_202510988492.8
    本发明涉及电子材料技术领域， 特别涉及一种单晶铜箔及印制电路用覆铜板。本发明选择多晶铜箔进行粗糙化表面处理， 然后使用单晶铜箔作为模板， 诱导粗糙化处理的多晶铜箔向单晶化转变， 通过对模板诱导处理参数的调控实现多晶基体铜箔和多晶粗糙化铜瘤的...
    2025-11-27
  • 一种沸石结构单晶及其制备方法和应用
    一种沸石结构单晶及其制备方法和应用_宁波杭州湾新材料研究院_202511019095.6
    本发明公开了一种沸石结构单晶的制备方法和应用， 属于沸石结构晶体制备技术领域。本发明公开的制备方法包括以下步骤：将氧化物粉末和CsCl‑CsF共晶盐混合后， 在惰性气氛中进行热处理， 得到生成物；将生成物进行后处理后， 得到沸石结构单晶；所...
    2025-11-27
  • 一种具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单晶及其制备方法与应用
    一种具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单晶及其制备方法与应用_苏州大学_202510834388.3
    本发明涉及一种具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单晶及其制备方法与应用， 属于钙钛矿技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：CsBr、BiBr3和AgBr于HBr溶液中进行水热反应， 经降温、过滤、洗涤、干燥得到具有横向异质结结构的非铅钙钛矿单...
    2025-11-27
  • 基于四电弧提拉取向晶体的磁性合金制备方法、磁性合金及应用
    基于四电弧提拉取向晶体的磁性合金制备方法、磁性合金及应用_天津工业大学_202511008587.5
    本发明公开了一种基于四电弧提拉取向晶体的磁性合金制备方法、磁性合金及应用， 属于磁性材料领域。其技术要点在于采用四电弧提拉取向晶体方法， 首先， 所获得的多晶材料放入能够旋转的水冷铜坩埚中， 调整四个电弧相对于样品的位置， 关闭腔体；然后，...
    2025-11-27
  • 一种单晶炉下腔体硅液导流装置
    一种单晶炉下腔体硅液导流装置_上海汉虹精密机械有限公司_202510831096.4
    本发明提供一种单晶炉下腔体硅液导流装置， 包括装置主体， 装置主体包括第一导流管、第一封装加热器、第一固定安装板、第二导流管、第二固定安装板、第二封装加热器、第三导流管、双层坩埚和腔体， 第一封装加热器与第二封装加热器均为结构一致的封装加热...
    2025-11-27
  • 单晶炉的复投方法、装置及计算机设备
    单晶炉的复投方法、装置及计算机设备_内蒙古中环晶体材料有限公司_202511038073.4
    本申请实施例提供了单晶炉的复投方法、装置及计算机设备， 涉及单晶硅生产技术领域。该方法包括：复投化料阶段， 基于当前硅料剩余量确定目标位置；调节导流筒位置至目标位置。由此， 能在复投化料阶段自动地降低导流筒位置， 减小导流筒与硅液面之间的间...
    2025-11-27
  • 一种基于双层石英皿与氮气腔镀膜的减少颗粒的SiC晶体籽晶保护方法
    一种基于双层石英皿与氮气腔镀膜的减少颗粒的SiC晶体籽晶保护方法_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511036919.0
    本发明涉及半导体材料制备与晶体生长技术领域， 公开了一种基于双层石英皿与氮气腔镀膜的减少颗粒的SiC晶体籽晶保护方法， 旨在解决SiC晶体生长过程中颗粒污染及籽晶表面微观完美性差的问题。该保护方法其特征在于， 包括：双层石英皿制备与颗粒动态...
    2025-11-27
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