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最新专利技术
  • 一种旋转氧化铌靶材及其制备方法和应用
    一种旋转氧化铌靶材及其制备方法和应用_广州市尤特新材料有限公司_202511052163.9
    本发明属于旋转氧化铌靶材技术领域， 公开一种旋转氧化铌靶材， 包括氧化铌主体层和内衬管， 氧化铌主体层包括氧化铌工作表层和金属过渡底层， 氧化铌主体层在氧化铌工作表层和金属过渡底层之间设有功能梯度中间层；该功能梯度中间层由Nb2O5和TiO...
    2025-11-28
  • 一种新型卷绕镀膜磁控阴极系统装置
    一种新型卷绕镀膜磁控阴极系统装置_北京北方华创真空技术有限公司_202511231096.7
    本申请涉及一种新型卷绕镀膜磁控阴极系统装置， 属于真空镀膜设备的领域， 其包括真空腔室、镀膜辊系、支撑架体、滑移架、阴极系统和锁定件， 镀膜辊系设置在真空腔室内且用于将基材卷料输送至阴极系统镀膜后再进行收卷， 支撑架体设置在真空腔室外部， ...
    2025-11-28
  • 一种加强真空舱密封的磁控溅射镀膜机
    一种加强真空舱密封的磁控溅射镀膜机_德州金奈尔新材料科技有限公司_202511369130.7
    本发明公开了一种加强真空舱密封的磁控溅射镀膜机， 属于镀膜机技术领域， 包括真空箱， 真空箱内部一端固定安装有套块， 套块内部滑动安装有移动杆， 移动杆下端一侧开设有滑槽， 滑槽内部滑动安装有检测组件， 检测组件用于对靶材表面的粗糙度进行检...
    2025-11-28
  • 一种基于镓离子注入铁及铁合金的改性涂层及其制备方法、可降解铁和应用
    一种基于镓离子注入铁及铁合金的改性涂层及其制备方法、可降解铁和应用_北京航空航天大学_202510995051.0
    本发明公开了一种基于镓离子注入铁及铁合金的改性涂层的制备方法， 包括：将铁基体预处理后固定于离子注入机的样品盘上， 将Fe‑Ga合金靶材安装在离子注入机中， 真空环境下设置离子注入参数， 进行离子注入后在所述铁基体表面形成所述改性涂层；其中...
    2025-11-28
  • 一种用于磁控溅射镀膜机的承载装置
    一种用于磁控溅射镀膜机的承载装置_江苏派莱特光电科技有限公司_202511358341.0
    本发明提供一种用于磁控溅射镀膜机的承载装置， 属于镀膜机技术领域， 包括箱体， 所述箱体的内底部设置有旋转电机， 所述旋转电机的上方设置有快换机构， 快换机构包括转轴、承载主轴和连接轴， 所述承载主轴的下端通过环形套块和插接块一插接在转轴上...
    2025-11-28
  • 一种NCVM不导电真空镀膜工艺执行监控方法及系统
    一种NCVM不导电真空镀膜工艺执行监控方法及系统_江苏新思达电子有限公司_202510958497.6
    本发明公开了一种NCVM不导电真空镀膜工艺执行监控方法及系统， 涉及真空镀膜相关领域， 包括：对基材表面进行检测单元网格动态划分；通过红外热成像仪对自适应网格基材表面进行实时扫描， 得到基材动态温度分布矩阵；根据镀膜厚度与温度梯度的映射关系...
    2025-11-28
  • 一种超高真空双面镀膜立方光学腔的结构设计与优化方法
    一种超高真空双面镀膜立方光学腔的结构设计与优化方法_北京新南智科光学技术有限公司_202511040156.7
    本发明公开了一种超高真空双面镀膜立方光学腔的结构设计与优化方法， 涉及超高真空双面镀膜立方光学腔技术领域， 本发明通过结构‑算法‑工艺三重协同设计， 显著改善超高真空双面镀膜立方光学腔的可靠性：采用双级缓冲层， 纳米多孔镀膜和波纹管物理吸收...
    2025-11-28
  • 一种膜厚监控机构及真空镀膜室
    一种膜厚监控机构及真空镀膜室_光驰科技(上海)有限公司_202511144917.3
    本发明属于真空镀膜技术领域， 公开一种膜厚监控机构及真空镀膜室。膜厚监控机构包括转动机构和监控机构， 转动机构被配置为设置于真空腔室， 转动机构包括驱动组件、公转盘和行星组件， 行星组件包括转动架， 转动架转动设于公转盘， 驱动组件用于驱动...
    2025-11-28
  • 一种光学镜片镀膜厚度精准调控及智能加工方法及系统
    一种光学镜片镀膜厚度精准调控及智能加工方法及系统_江苏浩纳光电股份有限公司_202511307442.5
    本发明公开了一种光学镜片镀膜厚度精准调控及智能加工方法及系统， 属于自动化过程控制技术领域， 其包括建立基于光学镜片三维模型与目标膜系结构的工艺过程数字孪生模型进行虚拟镀膜仿真， 生成理想厚度生长曲线；采集镀膜腔体内预设的多个光谱反射探头的...
    2025-11-28
  • 一种锅具PVD镀膜连续生产设备
    一种锅具PVD镀膜连续生产设备_浙江康巴赫科技股份有限公司_202510236995.X
    本申请提供一种锅具PVD镀膜连续生产设备。所述锅具PVD镀膜连续生产设备用于对锅具批量镀膜， 其包括：至少一个镀膜室， 其用于形成真空镀膜环境；以及承载装置， 其用于承载多个锅具并被输送至所述镀膜室内， 所述承载装置包括移动托盘和放置在该移...
    2025-11-28
  • 一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法
    一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法_北京大学_202511351473.0
    本发明提供一种二维硒氧化铋薄膜的转移方法及其异质集成方法， 涉及半导体材料技术领域。本发明提供的二维硒氧化铋薄膜的转移方法通过TRT层/支撑层/应力层/氧化物层的复合转移媒介， 实现硒氧化铋薄膜的无损、洁净转移， 在转移过程中氧化物层作为接...
    2025-11-28
  • 一种用于高超声速飞行器前缘的抗氧化/抗烧蚀碳化硅基复合陶瓷涂层及其化学气相沉积工艺
    一种用于高超声速飞行器前缘的抗氧化/抗烧蚀碳化硅基复合陶瓷涂层及其化学气相沉积工艺_洛阳理工学院_202510812612.9
    本发明提供了一种用于高超声速飞行器前缘的抗氧化/抗烧蚀碳化硅基复合陶瓷涂层及其化学气相沉积工艺， 可适用于高超声速飞行器外蒙皮的热防护。该涂层是由SiC以及稀土掺杂的铪基陶瓷复合而成， 涂层在基材上覆盖完整， 组织致密， 无裂纹等缺陷。通过...
    2025-11-28
  • 外延沉积纳米界面层提高石墨烯-铜复合材料电导率的方法
    外延沉积纳米界面层提高石墨烯-铜复合材料电导率的方法_上海交通大学_202410508656.8
    一种外延沉积纳米界面层提高石墨烯‑铜复合材料电导率的方法， 采用化学气相沉积(CVD)技术在铜箔表面沉积石墨烯， 形成石墨烯/铜复合箔片；在此基础上经磁控溅射沉积纳米级别厚度的铜层并热压键合， 制备得到纳米铜层‑石墨烯/铜复合基元；然后将若...
    2025-11-28
  • 具有超薄碳层包覆结构的吸波导热一体化材料及其制备和吸波导热片
    具有超薄碳层包覆结构的吸波导热一体化材料及其制备和吸波导热片_中国石油大学(北京)_202510791237.4
    本发明提供了一种具有超薄碳层包覆结构的吸波导热一体化材料及其制备和吸波导热片， 其中制备方法包括：将导热基底填料转移至气固流化床内垂直设置的石英管中， 组装气固流化床后检查气密性， 气密性符合要求后向石英管中通入惰性气体使导热基底填料处于流...
    2025-11-28
  • 石墨碳化硅涂层件及其制备方法
    石墨碳化硅涂层件及其制备方法_苏州铠欣半导体科技有限公司_202511031391.8
    本申请涉及半导体材料技术领域， 特别是涉及一种石墨碳化硅涂层件及其制备方法。该制备方法包括：通入刻蚀气体对石墨基体表面进行刻蚀， 得到预处理石墨基体；对预处理石墨基体进行化学气相沉积处理形成碳化硅涂层， 制备石墨碳化硅涂层件；所述刻蚀气体包...
    2025-11-28
  • 耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法及设备
    耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法及设备_光驰半导体技术(上海)有限公司_202511072377.2
    本发明提供一种耐电击及耐激光损伤膜的镀膜方法和设备， 方法包括：S1：对镀膜基底进行预处理， 将预处理后的镀膜基底至于真空反应室内；S2：输入臭氧至真空反应室内预处理后的镀膜基底表面；S3：输入铪源至真空反应室内， 调控真空反应室内温度以及...
    2025-11-28
  • 成膜装置和清洁方法
    成膜装置和清洁方法_东京毅力科创株式会社_202510458044.7
    本公开提供一种成膜装置和清洁方法， 能够去除沉积于排气装置的内部的反应产物。本公开的一个方式的成膜装置进行包含硅和氧的膜的成膜， 该成膜装置具备：处理容器， 在该处理容器内部对所述膜进行成膜；供给流路， 其用于向所述处理容器的内部供给清洁气...
    2025-11-28
  • 一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法
    一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法_派珂纳米科技(苏州)有限公司_202511341459.2
    本发明提供了一种间歇派瑞林真空镀膜装置及其方法， 所述间歇派瑞林真空镀膜装置重点对沉积系统进行改进， 在沉积腔体内部， 正对进气口的位置， 设置六边形分流板。在实际应用过程中， 来自裂解加热系统的派瑞林活性单体从进气口进入沉积腔体内部， 冲...
    2025-11-28
  • 控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置
    控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410525503.4
    本发明提供一种控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置， 控温装置用于对前驱体盛放主体进行温度控制， 包括第一导流主体和第二导流主体， 第一导流主体用于与盛放主体的外周壁以形成第一导流通道， 第二导流主体用于与盛放主体的底壁外侧形成第二导流...
    2025-11-28
  • 通气面板及其制备方法、沉积腔体
    通气面板及其制备方法、沉积腔体_江苏首芯半导体科技有限公司_202510924989.3
    本公开实施例涉及半导体领域， 提供一种通气面板及其制备方法、沉积腔体。通气面板包括：面板主体、铝层和防护层。铝层位于面板主体与防护层之间， 防护层为氧化铝层和/或氟化铝层；氧化铝层包括氧化铝梯度膜和氧化铝膜， 在铝层指向氧化铝膜的方向上， ...
    2025-11-28
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