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最新专利技术
  • 一种提高钢材涂层耐候性与冷轧稳定性的复合处理方法
    一种提高钢材涂层耐候性与冷轧稳定性的复合处理方法_肇庆宏旺金属实业有限公司_202510713345.X
    本发明公开了一种提高钢材涂层耐候性与冷轧稳定性的复合处理方法， 属于金属表面处理技术领域。该方法包括以下步骤：对钢材表面进行机械打磨和超声波清洗预处理；设计Ti‑Al‑Cr‑Si多元合金靶材， 采用磁控溅射技术制备多层梯度复合涂层；进行磁过...
    2025-12-05
  • 一种抗电蚀的碳基-银复合涂层及其制备方法与应用
    一种抗电蚀的碳基-银复合涂层及其制备方法与应用_暨南大学_202510714966.X
    本发明公开了一种抗电蚀的碳基‑银复合涂层及其制备方法与应用。该方法在碳基薄膜表面沉积银涂层， 并结合离子液体润滑使用， 显著提升涂层的导电性、耐磨性及抗电蚀能力。本发明所构建的涂层与离子液体在载流摩擦环境中协同作用， 展现出优异的抗电蚀性能...
    2025-12-05
  • 一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法
    一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法_邱显发_202510767956.2
    本发明涉及电极制备技术领域， 具体涉及一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法， 本发明通过对基底的预处理， 有效增强了银合金电极与基底的结合力， 降低了因附着力问题导致的废品率。制备银合金溅射靶材及智能真空溅射系统的应用， 确保...
    2025-12-05
  • 一种采用PVD磁控溅射镀金的半导体凸块制备工艺
    一种采用PVD磁控溅射镀金的半导体凸块制备工艺_江苏晶度半导体科技有限公司_202510801529.1
    一种采用PVD磁控溅射镀金的半导体凸块制备工艺包括以下步骤：S1、清洁晶圆表面， 沉积导电层；S2、在导电层表面涂敷光刻胶， 通过光蚀刻的方式在光刻胶上开口得到待电镀区域；S3、将晶圆浸入电镀液， 在待电镀区域电镀沉积得到凸块；S4、去除晶...
    2025-12-05
  • 增强型碳复合纳米薄膜的制备方法、薄膜及应用
    增强型碳复合纳米薄膜的制备方法、薄膜及应用_西安交通大学_202510910848.6
    本发明增强型碳复合纳米薄膜的制备方法、薄膜及应用， 所述方法包括：预处理基片；将预处理后的基片送入溅射腔， 并将C靶材装在直流靶， Ti靶材装在脉冲靶；设置直流靶和脉冲靶功率进行预溅射；预溅射后对基片进行溅射， 生长得到增强型碳复合纳米薄膜...
    2025-12-05
  • 钛合金表面抗腐蚀-吸光一体化多层复合薄膜及制备方法
    钛合金表面抗腐蚀-吸光一体化多层复合薄膜及制备方法_中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司_202510913671.5
    本发明涉及功能薄膜材料技术领域， 具体涉及钛合金表面抗腐蚀‑吸光一体化多层复合薄膜及制备方法。薄膜包括钛合金基体及依次层叠的致密粘结层、吸光功能层和表面减反层。其制备方法包括：基体打磨抛光后超声清洗；真空腔体内Ar+离子清洗活化表面；采用高...
    2025-12-05
  • 一种Hf/HfN纳米多层膜涂层及其制备方法
    一种Hf/HfN纳米多层膜涂层及其制备方法_中科广化(重庆)新材料研究院有限公司_202510919074.3
    本发明涉及材料表面改性技术领域， 尤其涉及一种Hf/HfN纳米多层膜涂层及其制备方法， 该Hf/HfN纳米多层膜涂层交替层叠设置的金属Hf层和陶瓷HfN层， 单层所述金属Hf层的厚度为10‑200nm， 单层所述陶瓷HfN层的厚度为100‑...
    2025-12-05
  • 一种真空镀膜自动装卸系统及其控制方法
    一种真空镀膜自动装卸系统及其控制方法_上海米蜂激光科技有限公司_202511270581.5
    本发明涉及一种真空镀膜自动装卸系统， 包括活动工作台， 所述活动工作台上安装有机械臂， 还设置有用于存放周转架的空架堆叠区和待用架堆叠区， 所述机械臂的执行端设有真空吸盘， 所述周转架顶面设有用于盛放夹具组件的若干放置孔， 所述夹具组件能嵌...
    2025-12-05
  • 一种缓存装置、连续镀膜设备以及清洗设备
    一种缓存装置、连续镀膜设备以及清洗设备_扬州德沪智能装备有限公司_202510926861.0
    本发明公开了一种缓存装置、连续镀膜设备以及清洗设备。其中， 缓存装置的缓存筒用于容纳从下至上堆叠的N层缓存物， 每个缓存物的侧面底部边缘处开设有承载口， 缓存筒的下底面开设有下料口；联动组件的第一弹性结构的一端连接下料板， 下料板用于选择性...
    2025-12-05
  • 镀膜材料的加热方法及加热设备
    镀膜材料的加热方法及加热设备_光驰科技(上海)有限公司_202510958172.8
    本发明属于蒸镀工艺技术领域， 公开了一种镀膜材料的加热方法及加热设备。镀膜材料的加热方法包括提供一膜料容器、一固定装置和一加热装置， 膜料容器用于盛放镀膜材料， 固定装置用于固定膜料容器， 加热装置用于加热固定装置；在加热装置的初始加热功率...
    2025-12-05
  • 超高真空转移装置
    超高真空转移装置_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202510042324.X
    本发明公开了一种超高真空转移装置， 其包括：真空转移腔体、第一磁力杆、第二磁力杆、第三磁力杆、样品台、样品压片和样品转移托， 第一磁力杆、第二磁力杆、第三磁力杆分别与样品台、样品压片、样品转移托固定连接， 样品台、样品压片、样品转移托设置在...
    2025-12-05
  • 一种基于CVD与热轧嵌入法的铜箔-石墨烯复合材料及其制备工艺
    一种基于CVD与热轧嵌入法的铜箔-石墨烯复合材料及其制备工艺_瓯锟科技(北京)有限公司_202510927316.3
    本发明公开一种基于CVD与热轧嵌入法的铜箔‑石墨烯复合材料及其制备工艺。以0.5mm铜箔为基底， 通过CVD法在1000‑1100℃下通入CH1/H2混合气(CH15‑15sccm， H2 30‑70sccm)生长双层石墨烯；随后在氩气保护...
    2025-12-05
  • 一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料
    一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料_湖南德智新材料股份有限公司_202511256014.4
    本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域， 提供一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料。方法包括如下步骤：将基底放置于化学气相沉积设备中， 对所述化学气相沉积设备抽真空， 随后通入惰性气体；硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积设备，...
    2025-12-05
  • 双向荷载下螺杆防滑纹路磨损摩擦退化控制方法
    双向荷载下螺杆防滑纹路磨损摩擦退化控制方法_嘉兴易达新材料科技股份有限公司_202510911378.5
    本发明公开了一种双向荷载下螺杆防滑纹路磨损摩擦退化控制方法， 涉及耐磨材料技术领域， 本通过制备芯部为形状记忆合金(SMA)与金属基复合材料、表层为耐磨陶瓷相的梯度结构螺杆， 并在螺纹牙侧加工填充磁流变液(MRF)的封闭沟槽及微型电磁线圈，...
    2025-12-05
  • 多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品
    多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510900297.5
    本申请提供了多元氧化物的制备方法， 包括以下步骤：a)向反应腔内通入第一金属前驱体进行沉积， 在基底上形成第一金属沉积层；b)向反应腔内通入第二金属前驱体进行沉积， 形成沉积层；c)向反应腔内通入氧源， 进行氧化反应；d)对所述步骤c)得到...
    2025-12-05
  • 一种雾化化学气相沉积反应腔、薄膜制备系统及方法
    一种雾化化学气相沉积反应腔、薄膜制备系统及方法_山东大学_202511001362.7
    本发明公开了一种雾化化学气相沉积反应腔、薄膜制备系统及方法， 涉及半导体薄膜生长技术领域。本发明的雾化化学气相沉积反应腔， 包括反应腔本体， 反应腔本体上设有微通道， 微通道用于供雾化气流流通， 反应腔本体上还设有第一凹槽， 第一凹槽位于微...
    2025-12-05
  • 折流旋转反应器原子层沉积设备
    折流旋转反应器原子层沉积设备_中国科学院山西煤炭化学研究所_202511133969.0
    本发明公开了一种折流旋转反应器原子层沉积设备， 涉及原子层沉积技术领域， 包括安装平台、保温外壳体、内筒体、折流挡板和旋转驱动机构， 保温外壳体和内筒体的轴线均与安装平台的顶面平行， 内筒体设置于保温外壳体内， 内筒体与旋转驱动机构的输出端...
    2025-12-05
  • 一种化学气相沉积喷淋头及其加工工艺
    一种化学气相沉积喷淋头及其加工工艺_北京子牛亦东科技有限公司_202511248829.8
    本申请涉及半导体技术领域的一种化学气相沉积喷淋头及其加工工艺， 化学气相沉积喷淋头包括：喷气盘， 所述喷气盘上设有多个气孔；顶盖， 所述顶盖设于所述喷气盘一侧并与所述喷气盘固定， 所述顶盖与所述喷气盘之间形成气腔， 所述顶盖上设有气道；中空...
    2025-12-05
  • 一种水平式等离子体增强低压Mist-CVD装置
    一种水平式等离子体增强低压Mist-CVD装置_苏州镓和半导体有限公司_202510668413.5
    本发明公开了一种水平式等离子体增强低压Mist‑CVD装置， 属于半导体装备技术领域， 所述装置包括：反应腔室4、真空控制和尾气处理模块7、雾化源供应模块21、混合气室26、气体供应模块28和等离子体激发模块36。本发明采用多个前驱体溶液独...
    2025-12-05
  • 一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置
    一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置_珠海宝丰堂半导体股份有限公司_202511194841.5
    本发明涉及材料表面处理技术技术领域， 且公开了一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置， 包括等离子发生腔、PECVD工艺腔与微波磁控管， PECVD工艺腔连通在等离子发生腔的下方， 微波磁控管设置在等离子发生腔的外侧， 等离子发生腔的外侧设置...
    2025-12-05
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