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最新专利技术
  • 一种植物根际土壤微生物培养装置
    一种植物根际土壤微生物培养装置_常州因普迈生物科技有限公司_202510855933.7
    本发明公开了一种植物根际土壤微生物培养装置，本发明涉及植物科学技术领域。包括罐体，所述罐体下方的外壁贯通连接有阀管，还包括：内胆设备，所述内胆设备卡接在罐体的内部，所述内胆设备包括内罐，所述内罐的内壁滑动连接有盛装组件，所述盛装组件的内部转...
    2025-12-04
  • 一种生产葡萄糖酸钠的发酵罐系统及方法
    一种生产葡萄糖酸钠的发酵罐系统及方法_广济药业(济宁)有限公司_202510856809.2
    本发明提供一种生产葡萄糖酸钠的发酵罐系统及方法，涉及发酵罐领域。该生产葡萄糖酸钠的发酵罐系统及方法，包括：筒体，所述筒体上设置有用于控温的管路系统，所述筒体的上下部均设置有椭圆封头，下部所述椭圆封头上设置有安装有控制阀的出料口，所述出料口的...
    2025-12-04
  • 基于倾斜控制的细胞换液培养皿、培养系统及其培养方法
    基于倾斜控制的细胞换液培养皿、培养系统及其培养方法_周杰_202510858442.8
    本发明提供一种基于倾斜控制的细胞换液培养皿、培养系统和培养方法,属于生物工程技术领域。细胞换液培养皿包括储液舱、培养舱和废液舱；通过将储液舱、培养舱和废液舱进行分层设计，在储液舱内基于第一方向倾斜实现高低位点的第一导液口和第二导液口，分别将...
    2025-12-04
  • 一种生产伊枯草菌素A的基因工程菌及其应用
    一种生产伊枯草菌素A的基因工程菌及其应用_天津大学_202510862226.0
    本发明公开了一种生产伊枯草菌素A的基因工程菌及其应用，构建方法为：在解淀粉芽孢杆菌HM618中敲除调控基因fapR；采用强启动子Ph03增强基因fabG的表达；敲除基因mmgA；敲除基因fadM与基因sdaAB；采用强启动子Ph03增强基因...
    2025-12-04
  • 一种基于微流控的FFPE样本单细胞转录组测序方法
    一种基于微流控的FFPE样本单细胞转录组测序方法_墨卓生物科技(浙江)有限公司_202510861252.1
    本发明提供了一种基于微流控的FFPE样本单细胞转录组测序方法，主要包括对FFPE单细胞核悬液进行前处理，以及后续的原位生化反应、上机捕获、二链合成和文库制备的过程。该方法对FFPE样本单细胞核悬液增加了低浓度甲醛短时固定这一处理步骤，具体是...
    2025-12-04
  • CYP4A11在制备用于糖尿病肾病防治药物中应用
    CYP4A11在制备用于糖尿病肾病防治药物中应用_郑州大学_202510854884.5
    本发明属于生物医学技术领域，具体涉及CYP4A11在制备用于糖尿病肾病防治药物中应用。本发明首提供了一种用于糖尿病肾病辅助诊断的生物标志物CYP4A11基因或CYP4A11基因的编码产物。CYP4A11在DKD患者肾小管中表达上调，CYP4...
    2025-12-04
  • 一种转基因作物对土壤微生物多样性的安全评价方法
    一种转基因作物对土壤微生物多样性的安全评价方法_中国农业科学院棉花研究所_202510863223.9
    本发明公开了一种转基因作物对土壤微生物多样性的安全评价方法，涉及转基因作物对非靶标土壤微生物的安全性评价技术领域，通过收集同时期转基因作物的土壤样品，提取DNA，扩增16s rRNA基因并进行高通量测序，利用各时期各样品的数据计算微生物群落...
    2025-12-04
  • 一种用于东方百合基因组识别的ND-FISH探针及其应用
    一种用于东方百合基因组识别的ND-FISH探针及其应用_四川农业大学_202510863193.1
    本发明公开了一种可特异性识别东方百合基因组染色体的寡核苷酸探针序列，该探针适用于ND‑FISH检测技术。通过该探针可实现对百合属杂交种中东方百合染色体片段的快速、简便且经济的识别，具备操作简便、检测周期短、成本低、信号特异性强、结果稳定可靠...
    2025-12-04
  • 一种高速钢加工用的快速淬火设备及方法
    一种高速钢加工用的快速淬火设备及方法_江苏伟建工具科技有限公司_202510855763.2
    本发明涉及高速钢加工用的快速淬火技术领域，且公开了一种高速钢加工用的快速淬火设备及方法，包括底座，底座的顶部固定连接有冷却液箱，冷却液箱的顶部固定连接有拢烟罩，底座的顶部固定连接有阻挡支架，底座的顶部固定连接有撑板，底座的顶部固定连接有支架...
    2025-12-04
  • 一种碟簧类和波簧类产品自动压淬模具
    一种碟簧类和波簧类产品自动压淬模具_浙江美力科技股份有限公司_202510862003.4
    本发明涉及一种碟簧类和波簧类产品自动压淬模具，涉及机械加工模具技术领域，解决了现有的压淬模具对碟簧、波簧进行加工处理时，产品定位较差，成型的后产品存在偏位，椭圆度大的缺陷，成品率较低的问题，包括上模和下模，下模上设置有成型模腔，上模和所述下...
    2025-12-04
  • 一种双级热振复合时效超低温变形构件残余应力消减方法
    一种双级热振复合时效超低温变形构件残余应力消减方法_中南大学_202510859191.5
    本发明涉及构件残余应力控制方法领域，尤其涉及一种双级热振复合时效超低温变形构件残余应力消减方法，包括：提供残余应力消减装置，所述方法包括：将超低温变形构件通过压板装夹至热振平台中心位置；将时效炉升温至157‑177℃后超低温变形构件预时效2...
    2025-12-04
  • 一种高效散热金刚石-金属复合靶材微结构及其制备方法
    一种高效散热金刚石-金属复合靶材微结构及其制备方法_中国科学院电工研究所_202510858263.4
    本发明公开了一种高效散热金刚石‑金属复合靶材微结构及其制备方法，属于高效散热复合靶材技术领域，由上下两个不同金属占空比的结构以及中间占空比梯度过渡结构组成，最上层结构金刚石占空比20%，厚度为电子束能量降为金属特征X射线Ka能量的3~5倍处...
    2025-12-04
  • 一种应用于超导纳米线单光子探测器的硅化钼超导薄膜及其制备方法
    一种应用于超导纳米线单光子探测器的硅化钼超导薄膜及其制备方法_南京工业职业技术大学_202510863023.3
    本发明提供了一种应用于超导纳米线单光子探测器的硅化钼超导薄膜及其制备方法，硅化钼超导薄膜包含三层，底层为衬底，用于支撑超导薄膜的生长，中间层为硅化钼超导薄膜，用于吸收单光子并进行响应，顶层为六氮五铌保护层，用于防止硅化钼超导薄膜氧化；采用直...
    2025-12-04
  • 蒸镀源
    蒸镀源_合肥维信诺科技有限公司_202510864651.3
    本发明提供了一种蒸镀源，包括加热室及限位机构；加热室形成有至少一组蒸镀腔室，各组蒸镀腔室沿第一方向延伸，蒸镀腔室具有至少一个喷嘴孔，限位机构位于喷嘴孔的出射方向上，限位机构包括第一限位板及第二限位板，第一限位板与第二限位板沿第二方向排布，第...
    2025-12-04
  • 一种绿色高活性电催化二氧化碳还原制备甲酸盐的方法
    一种绿色高活性电催化二氧化碳还原制备甲酸盐的方法_西安热工研究院有限公司_202510861173.0
    本发明属于电催化二氧化碳还原技术领域，具体涉及一种绿色高活性电催化二氧化碳还原制备甲酸盐的方法。包括以下步骤：将阴极催化剂负载于阴极碳纸上，得到催化阴极；将阳极催化剂负载于阳极钛毡上，得到催化阳极；利用所述催化阴极和催化阳极，构建流动电解池...
    2025-12-04
  • 一种电解铜箔用电解液更换装置
    一种电解铜箔用电解液更换装置_嘉元科技(宁德)有限公司_202510860330.6
    本发明公开一种电解铜箔用电解液更换装置，涉及电解铜箔技术领域，包括电解箱，电解箱中盛有电解液，电解箱底部对称固定并连通有排液管，电解箱一侧设置有出液管，出液管远离电解箱的一端连通有混合箱，出液管倾斜设置，出液管低端与电解箱连通，混合箱内安装...
    2025-12-04
  • 电泳工艺
    电泳工艺_河南淮海汽车部件制造有限公司_202510857816.4
    本发明提供一种电泳工艺，将待电泳的零件挂到挂具上，将挂具输送至电泳线上电泳工艺包括以下步骤：S1、预脱脂冲淋；S2、超声波脱脂；S3、超声波清水清洗；S4、表调冲淋；S5、磷化处理；S6、阴极电泳；S7、超滤清洗；S8、固化；S9、冷却，本...
    2025-12-04
  • 一种新助熔剂生长大尺寸CLBO晶体的方法
    一种新助熔剂生长大尺寸CLBO晶体的方法_天津理工大学_202510861618.5
    本发明公开一种新助熔剂生长大尺寸CLBO晶体的方法，属于非线性光学晶体领域。所采用的新助熔剂为Cs2O‑Li2O‑B2O3‑YF3，通过高温溶液顶部定向籽晶生长法，可生长获得大尺寸CLBO晶体。本发明的新助熔剂可有效降低溶液粘度，减少晶体缺...
    2025-12-04
  • 晶体生长方法、晶圆制作方法和晶体生长控制装置
    晶体生长方法、晶圆制作方法和晶体生长控制装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510858615.6
    本发明涉及晶体生长方法、晶圆制作方法和晶体生长控制装置，晶体生长方法采用直拉法生长单晶硅晶棒，包括：在等径生长阶段，晶体拉速设定为0.95mm/min～1.1mm/min，使得晶棒整体为V‑rich区域。在等径生长阶段，增加晶体生长拉速，使...
    2025-12-04
  • 吊渣装置及晶体生长设备、单晶炉渣料去除方法
    吊渣装置及晶体生长设备、单晶炉渣料去除方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510863056.8
    本公开提供了一种吊渣装置及晶体生长设备、单晶炉渣料去除方法，吊渣装置包括：籽晶绳，布置在炉体，沿竖直方向可运动；支撑组件，包括中空的定位管及支撑结构，籽晶绳穿过定位管设置，支撑结构连接在定位管上；重锤组件，与籽晶绳轴向底端连接，重锤组件的重...
    2025-12-04
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