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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 一种氢能无人机
    一种氢能无人机_北京氢源智能科技有限公司_202411744088.8
    本申请涉及无人机技术领域，尤其是涉及一种氢能无人机。该无人机包括机体和设于机体上的电源仓，电源仓内设有包含电池本体和制氢装置的氢燃料电池；制氢装置包括储料罐、收纳仓、反应罐和管路系统，收纳仓上设置有多个收纳槽和锁定机构，反应罐通过连接器和连...
    2026-01-12
  • 一种芯片上下料用上料通道控制装置
    一种芯片上下料用上料通道控制装置_芯朋半导体科技(如东)有限公司_202510639987.X
    本发明涉及芯片上料通道控制技术领域，具体涉及一种芯片上下料用上料通道控制装置，包括侧面夹持机构、定位侧移机构和弹性缓冲座，侧面夹持机构位于输送轨道与侧导板之间，该芯片上下料用上料通道控制装置，通过顶升机构向上推动，使得侧面夹持机构对芯片进行...
    2026-01-12
  • 双极晶体管及其制备方法
    双极晶体管及其制备方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202111414757.1
    本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，所述双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触，环形掺杂区环绕基区，环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接。通过包围基区...
    2026-01-12
  • 一种电机
    一种电机_珠海格力电器股份有限公司_202211124926.2
    本发明提供了一种电机，属于电机技术领域。电机包括机壳以及分别设置在机壳内外两侧的电机绕组和磁电编码器；电机还包括设置在电机绕组和磁电编码器之间的保护结构，保护结构被配置为对磁电编码器进行保护；保护结构包括有隔磁部和隔热部；隔磁部被配置为屏蔽...
    2026-01-12
  • 影像处理装置及方法
    影像处理装置及方法_瑞昱半导体股份有限公司_202110776997.X
    本发明提供一种影像处理方法，其包括：检测影像帧输入序列中每一影像帧连续出现的次数，其中影像帧输入序列包括依序输入的至少一第一影像帧与至少一第二影像帧，每一第一影像帧的影像数据不同于每一第二影像帧的影像数据；依据至少一第一影像帧连续出现的第一...
    2026-01-12
  • 一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺
    一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺_上海韦尔半导体股份有限公司_202211620355.1
    本申请实施例提供的一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺，在沟槽栅MOSFET制造工艺中，在沟槽形成之后，通过多次离子注入同时在沟槽底部及沟槽之间外延层形成第一注入区和第二注入区，在随后沟槽侧壁形成栅氧化层过程中完成第一注入区和第二注入区中杂质...
    2026-01-12
  • 一种适合联盟链的高效的动态BFT共识实现方法
    一种适合联盟链的高效的动态BFT共识实现方法_无锡市区块链高等研究中心_202411719215.9
    本发明涉及区块链领域，且公开了一种适合联盟链的高效的动态BFT共识实现方法，用于解决当节点进行动态参与或退出时，会出现委员会节点的总数不断发生变化且无法被提前预知，相应的静态BFT共识协议失去活性的问题，包括，对网络中的协议进行初始化，对网...
    2026-01-12
  • 电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法
    电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法_意法半导体股份有限公司_202010756416.1
    本公开的各实施例涉及电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法。一种电荷平衡功率器件，包括具有第一导电类型的半导体主体。沟槽栅极在半导体主体中从第一表面朝向第二表面延伸。主体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且主体区域面对...
    2026-01-12
  • 用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装
    用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装_意法半导体公司_202010597210.9
    本公开的实施例涉及用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装。公开了一种半导体封装，其具有在裸片焊盘中的孔，并且在孔中的焊料与封装的表面共面。该封装包括裸片焊盘、多个引线、以及半导体裸片，该半导体裸片利用裸片附接材料耦合到裸片焊盘。通...
    2026-01-12
  • 一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺
    一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511271193.9
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有栅极纳米片的MOSFET结构及其制造工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层和源极，半导体外延层包括有N衬底层、N漂移层、N阱层、P+层和P...
    2026-01-12
  • 半导体装置以及半导体电路
    半导体装置以及半导体电路_株式会社东芝_202110835833.X
    实施方式提供能够降低开关损耗的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面及第二面、从第一面侧到第二面侧依次具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域和第二导电型的第四半...
    2026-01-12
  • 制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件
    制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件_北京清芯昇能半导体有限公司_202210768951.8
    本发明公开了制备具有垂直结构的半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：在第一衬底的一侧进行含H离子注入；在第一衬底以及第二衬底表面的至少之一处形成导电层；在所述导电层处进行键合以形成第一键合体；对所述第一键合体进行第一退火处理，使第一键...
    2026-01-12
  • 一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法
    一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法_桂林电子科技大学_202111006809.1
    本发明公开了一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料及其制备方法。一种硼、铝双掺的硅锗基热电材料的制备方法，包括如下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将原材料加入混合容器中，使原材料混合均匀，得到混合均匀的前驱粉体；(2)将上述(1)中的前驱粉体装入可上...
    2026-01-12
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202111019353.2
    本公开提供了半导体封装结构及其制造方法，通过在位于第一芯片和第二芯片之间间隙下方的桥接线路上设置加强结构，其中加强结构包括环绕在桥接线路周围的边缘侧向支撑件以及位于桥接线路上方的顶部支撑件。当加强结构承受应力时, 垂直于加强结构之应力分量可...
    2026-01-12
  • 一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法
    一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法_湖南大学_202510823664.6
    本发明公开了一种高压抗辐照碳化硅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：漏极金属；位于漏极金属上的SiCP++/N++网络；位于P++/N++网络上的N‑‑漂移区；位于N‑‑漂移区上的N型载流子存储层；位于N型载流子存储...
    2026-01-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511135008.3
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；漂移区，位于基底中，漂移区中具有第一型掺杂离子，漂移区包括多个掺杂离子浓度不同的子漂移区，靠近基底顶面一侧的任一子漂移区位于相邻的另一子漂移区中，且沿基底底面指向基底顶面的方向，各个子漂移区...
    2026-01-12
  • 屏幕组件穿排线装置及其方法
    屏幕组件穿排线装置及其方法_北京小米移动软件有限公司_202110551859.1
    本公开涉及一种屏幕组件穿排线装置及其方法。其中，屏幕组件穿排线装置包括屏幕组件拾取机构，用于拾取带有排线的屏幕；理排线机构，用于夹持限位排线；移动机构，驱动屏幕组件拾取机构及理排线机构移动，将被夹持限位的排线穿入中框对应的通孔。本公开通过理...
    2026-01-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202210727614.4
    一种抑制了在恢复动作时产生破坏的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上；多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域；多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个...
    2026-01-12
  • 一种柔性显示器件的制造方法
    一种柔性显示器件的制造方法_汕头超声显示器技术有限公司_202511341506.3
    本发明涉及一种柔性显示器件的制造方法，包括步骤：S1在透明母板上设置带有留空或镂空结构的遮挡层，以在透明母板上形成激光遮挡区和留空区；S2在透明母板上涂布无色聚酰亚胺前驱液并固化成CPI膜，CPI膜覆盖激光遮挡区和留空区；S3在CPI膜上设...
    2026-01-12
  • 磁存储器件
    磁存储器件_三星电子株式会社_202010633174.7
    公开了一种磁存储器件，该磁存储器件包括：在第一方向上延伸并且具有被固定在一个方向上的磁化方向的第一磁性图案；以及跨过第一磁性图案延伸的多个第二磁性图案。第二磁性图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开。每个第二磁性图案...
    2026-01-12
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