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信息存储应用技术
  • 一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元
    一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元_上海科技大学_202211671185.X
    本发明的技术方案是提供了一种比特交错结构下可消除半选择干扰的超低电压SRAM单元，其特征在于，包括一组反相器环，两个N型写晶体管NM1、NM2，两个P型写晶体管PM1、PM2和两个N型晶体管NM3、NM4组成的读出路径。本发明可以被应用于超...
    2025-08-28
  • 用于测试非易失性存储器的系统和方法
    用于测试非易失性存储器的系统和方法_英飞凌科技有限责任公司_202380087892.0
    根据实施例，一种用于表征非易失性存储器的方法包括：在导电地耦合到非易失性存储器单元的字线上施加第一电压，以及响应于施加第一电压来测量流过非易失性存储器单元的电流。测量电流包括：使用感测放大器，将流过非易失性存储器单元的电流与由可调节电流源生...
    2025-08-28
  • 一种钠基电池型超级电容器及其制备方法
    一种钠基电池型超级电容器及其制备方法_贲安能源科技江苏有限公司_202510655765.7
    本发明公开了一种钠基电池型超级电容器及其制备方法，所述钠基电池型超级电容器包括正极、负极、隔膜和电解液，所述正负极包括正负极复配活性材料、导电剂和粘结剂，所述正负极复配活性材料包括正负极离子脱嵌型活性材料和包覆在所述正负极离子脱嵌型活性材料...
    2025-08-28
  • 基于金纳米颗粒与羧基化碳纳米管的聚吡咯柔性复合电极及其制备方法和应用
    基于金纳米颗粒与羧基化碳纳米管的聚吡咯柔性复合电极及其制备方法和应用_南京工业大学_202511012935.6
    本发明属于超级电容器技术领域，公开了基于金纳米颗粒与羧基化碳纳米管的聚吡咯柔性复合电极及其制备方法和应用。本发明以羧基化碳纳米管与聚吡咯制备了羧基化碳纳米管/聚吡咯复合材料，通过引入AuNPs与CNTs‑COOH、PPy构建三元协同体系，制...
    2025-08-28
  • 一种选择数据可扩展的单电源存算一体数据选择器
    一种选择数据可扩展的单电源存算一体数据选择器_宁波大学_202510445359.8
    本发明公开了一种选择数据可扩展的单电源存算一体数据选择器，其包括：预充电路，其输入端连接至电源信号输入端、控制端接入预充控制信号、输出端与输出驱动电路的输入端连接；至少两个基本数据输入电路，每个基本数据输入电路由一个铁电晶体管、一个nMOS...
    2025-08-28
  • 数字存算电路、字线输入切换电路及数字存算系统
    数字存算电路、字线输入切换电路及数字存算系统_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202510968984.0
    本申请公开了一种数字存算电路、字线输入切换电路及数字存算系统，该数字存算电路包括：第一开关管、第二开关管以及锁存电路；第一开关管的第一端连接位线，第一开关管的第二端连接第二开关管的第一端以及运算输出端；第二开关管的控制端连接字线；第一开关管...
    2025-08-28
  • 一种针对UHS PSRAM的刷新方法及装置
    一种针对UHS PSRAM的刷新方法及装置_集睿致远(厦门)科技有限公司_202510598050.2
    本发明公开了一种针对UHS PSRAM的刷新方法及装置。方法包括：基于UHS PSRAM两次刷新之间的最大时间间隔，确定猝发读写操作的最大猝发长度；基于UHS PSRAM控制器不断接收外部设备发送的猝发读写请求；针对接收到的当前猝发读写请求...
    2025-08-28
  • 微电子装置及相关方法及存储器装置
    微电子装置及相关方法及存储器装置_美光科技公司_202510187932.X
    本申请案涉及微电子装置及相关方法及存储器装置。一种微电子装置包含：存储器阵列结构；额外存储器阵列结构，其在存储器阵列结构之上且附接到存储器阵列结构；及控制电路系统结构，其在额外存储器阵列结构之上且附接到额外存储器阵列结构。存储器阵列结构包含...
    2025-08-28
  • 一种磁性存储单元及磁性存储器
    一种磁性存储单元及磁性存储器_浙江驰拓科技有限公司_202011604390.5
    本发明公开了一种本发明所提供的磁性存储单元，从下至上依次包括磁性参考层、隧道层、磁性自由层及盖帽层；所述磁性自由层包括多个存储结构单元；所述存储结构单元从下至上依次包括第一铁磁性层、非磁性金属间隔层、第二铁磁性层及氧化物界面层；所述磁性自由...
    2025-08-28
  • 一种编译方法、编译电路、模式寄存器和存储器
    一种编译方法、编译电路、模式寄存器和存储器_长鑫存储技术有限公司_202110778319.7
    本申请实施例提供了一种编译方法、编译电路、模式寄存器和存储器，该编译方法包括：接收待编译信号和电阻匹配信号；对待编译信号进行编译处理，得到编译结果信号；在待编译信号为预留码的情况下，基于电阻匹配信号对编译结果信号进行兼容选择处理，确定第一编...
    2025-08-28
  • 微电子装置及相关方法和存储器装置
    微电子装置及相关方法和存储器装置_美光科技公司_202510190133.8
    本申请涉及微电子装置及相关方法和存储器装置。一种微电子装置包含存储器阵列结构、在所述存储器阵列结构之上并附接到其上的额外存储器阵列结构，及在所述额外存储器阵列结构之上并附接到其上的控制电路系统结构。所述存储器阵列结构包含具有存储器单元的阵列...
    2025-08-28
  • 相变存储器的数据访问方法、相关设备及存储介质
    相变存储器的数据访问方法、相关设备及存储介质_杭州阿里云飞天信息技术有限公司_202410192161.9
    本申请实施例提供一种相变存储器的数据访问方法、相关设备及存储介质。在本申请实施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM资源，在写阶段，利用SRAM提供的位图可以对各个粗粒度单位时间是否发生写操作进行记录；利用SRAM提供的布隆过滤器可以对...
    2025-08-28
  • 一种铁掺杂的柔性超级电容器电极、制备方法及超级电容器
    一种铁掺杂的柔性超级电容器电极、制备方法及超级电容器_益阳市万京源电子有限公司_202510625289.4
    一种铁掺杂的柔性超级电容器电极，包括基体和电极浆料，电极浆料粘接在基体上；电极浆料包括40‑60重量份的铁掺杂的石墨和2‑10重量份的粘接树脂；铁掺杂的石墨包括一阶和二阶插层的三氯化铁插层石墨，铁掺杂的石墨的粒径在600‑5000目之间；电...
    2025-08-28
  • 一种多孔碳纳米纤维/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元电极材料的制备方法及其用途
    一种多孔碳纳米纤维/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元电极材料的制备方法及其用途_武夷学院_202410186392.9
    本发明提供了一种多孔碳纳米纤维/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元电极材料的制备方法，其包括如下步骤：1)多孔碳纳米纤维的制备；2)多孔泡沫石墨烯的制备；3)将多孔碳纳米纤维、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在无水乙醇中，超声分散40m...
    2025-08-28
  • 存储器装置、存储器系统、存储器控制器及操作方法
    存储器装置、存储器系统、存储器控制器及操作方法_长江存储科技有限责任公司_202410190026.0
    本申请实施例提供一种存储器装置、存储器系统、存储器控制器及操作方法。其中，存储器装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，预设个数的存储单元形成一个码字；外围电路，与存储单元阵列耦接且被配置为：获取至少一个码字在目标读取电压下对应的第一结果...
    2025-08-28
  • 一种基于3D打印的结构超级电容器及其制备方法
    一种基于3D打印的结构超级电容器及其制备方法_吉林大学_202510803325.1
    本发明公开了一种基于3D打印的结构超级电容器及其制备方法，属于结构超级电容器领域。该结构超级电容器由两个碳纤维电极构成，所述两个碳纤维电极上分别通过3D打印方式在表面分别形成带有榫头和榫眼微阵列的特定结构，使两碳纤维电极组合成榫卯结构后，不...
    2025-08-28
  • 电极结构及其制造方法
    电极结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411225320.7
    本揭露提供一种电极结构。电极结构包含基板、导电层、纳米级导电结构以及数个导电粒子。导电层设置于基板上。纳米级导电结构设置于导电层上。纳米级导电结构掺杂有氮掺杂剂。导电粒子分布于纳米级导电结构上。本揭露的电极结构及其制造方法实现了电池快速充放...
    2025-08-28
  • 一种用于工件螺旋齿廓尺寸检测的方法及装置
    一种用于工件螺旋齿廓尺寸检测的方法及装置_郑州三磨超硬材料有限公司_202510659170.9
    本发明公开了一种用于工件螺旋齿廓尺寸检测的方法及装置，涉及工件螺旋齿廓检测技术领域，解决了现有技术中不能实现螺旋结构工件的齿形尺寸精确测定问题。包括以下步骤：调整工件姿态，获取工件法向截面轮廓影像；建立坐标系，取一组相邻的齿Ⅰ和齿Ⅱ的法向截...
    2025-08-28
  • 一种存储器的擦除方法和装置
    一种存储器的擦除方法和装置_合肥博雅半导体有限公司_202211509028.9
    本发明涉及存储器的擦除装置及方法。存储器的擦除装置控制开关和漏电流读出电路，控制开关的一端与存储单元连接，另一端连接有开关选通信号，漏电流读出电路包括跨阻放大器和电压放大器。其中的方法包括：根据当前阈值电压与初始阈值电压的当前差值，重复对存...
    2025-08-28
  • 一种柔性可拉伸透明MXene/AgNWs/PDMS复合薄膜电极的制备方法及应用
    一种柔性可拉伸透明MXene/AgNWs/PDMS复合薄膜电极的制备方法及应用_南京邮电大学_202510547162.5
    本发明属于柔性透明储能技术领域，公开一种柔性可拉伸透明MXene/AgNWs/PDMS复合薄膜电极的制备方法及应用，所述方法通过PDMS基底薄膜、AgNWs和MXene三者层层组装，一维AgNWs与二维MXene间形成肖特基势垒，使得MXe...
    2025-08-28
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