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信息存储应用技术
  • 配备有电源门控电路的驱动电路
    配备有电源门控电路的驱动电路_美光科技公司_202080024812.3
    本文公开一种设备，其包含第一缓冲电路、被配置成驱动所述第一缓冲电路的多个第一驱动电路，以及被配置成分别将操作电压供应到所述第一驱动电路的多个第一开关电路。所述第一驱动电路共同布置于第一区中呈矩阵形式，且所述第一开关电路共同布置于不同于所述第...
    2025-11-23
  • 存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法
    存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法_北京超弦存储器研究院_202311667901.1
    一种存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法，存储单元包括：写入晶体管，包括第一电极、第二电极和第一栅电极；读取晶体管，包括第三电极、第四电极和第二栅电极；开关晶体管，包括第五电极、第六电极和第三栅电极；存储节点；其中，第四电极与第二电极连...
    2025-11-23
  • 一种磁存储器件及存储信息方法
    一种磁存储器件及存储信息方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202510913990.6
    本发明提供了一种磁存储器件及存储信息方法，存储信息方法包括：通过反铁磁层与铁磁自由层之间的交换耦合作用，生成交换偏置场；通过所述交换偏置场增强垂直磁矩的热稳定性；其中，所述垂直磁矩为信息存储的载体；对所述反铁磁层施加外加电荷电流，以生成面外...
    2025-11-23
  • 解决单粒子反转的电路结构以及解决单粒子反转的方法
    解决单粒子反转的电路结构以及解决单粒子反转的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066105.1
    本发明提供一种解决单粒子反转的电路结构以及解决单粒子反转的方法。该电路结构包括由第一六晶体管静态存储器单元改造而成的三组二输入与非门，以及由至少一个第二六晶体管静态存储器单元改造而成的一个三输入或非门。三组与非门的输出连接至或非门的输入，以...
    2025-11-23
  • 执行读取操作的系统和方法
    执行读取操作的系统和方法_长江存储科技有限责任公司_202380008341.0
    本公开提供了一种存储器装置，其包括具有存储单元的存储阵列、通过位线耦合到存储阵列的页缓冲器。页缓冲器包括锁存器和控制逻辑单元，该控制逻辑单元耦合到页缓冲器并且被配置为：对存储单元执行第一读取操作；基于第一读取操作来从存储单元中选择第一状态下...
    2025-11-23
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_株式会社索思未来_202480018780.4
    半导体存储装置(MD)包括存储单元(11)和写入/读出电路(3)。存储单元(11)包括P型驱动晶体管(TPM0、TPM1)、N型负载晶体管(TNM0、TNM1)以及与位线对(BL、BLB)连接的P型访问晶体管(TPM2、TPM3)。感测放大...
    2025-11-23
  • 感测放大器中的预感测核心节点放大
    感测放大器中的预感测核心节点放大_美光科技公司_202310268398.6
    本申请实施例涉及感测放大器中的预感测肠节点放大。存储器装置包含配置成存储数据的多个存储器单元。存储器装置还包含各自配置成将数据携载到相应存储器单元和从相应存储器单元携载数据的多个数字线。存储器装置进一步包含多个感测放大器，其各自选择性耦合到...
    2025-11-23
  • 一种基于飞秒激光加工表面微纳结构化石墨烯超级电容器及其制备方法
    一种基于飞秒激光加工表面微纳结构化石墨烯超级电容器及其制备方法_东北师范大学_202411602693.1
    本发明公开了一种基于飞秒激光加工表面微纳结构化石墨烯超级电容器及其制备方法，采用飞秒激光加工一种表面微纳结构化石墨烯叉指电极，其表面具有与叉指长轴方向平行的周期性光栅微纳结构；周期性微纳光栅结构平行于叉指电极方向的超级电容器，有利于增大比表...
    2025-11-23
  • 一种空位型ZIF-8赝电容材料及制备方法和应用
    一种空位型ZIF-8赝电容材料及制备方法和应用_西安交通大学_202511163676.7
    本发明公开了一种空位型ZIF‑8赝电容材料及制备方法和应用，属于超级电容器材料技术领域，本发明的制备方法为：在醇类有机溶剂中，加入锌源和咪唑类有机配体，发生配位反应，得到沸石咪唑酯骨架材料‑8；在空气气氛下，沸石咪唑酯骨架材料‑8进行热解，...
    2025-11-23
  • 低电压铁电存储器单元感测
    低电压铁电存储器单元感测_美光科技公司_202180012500.5
    本申请案针对于低电压铁电存储器单元感测。作为用于存储器单元的存取操作的部分，可对两个共源共栅结构的栅极加偏压以补偿相关联的阈值电压。对应于存储于所述存储器单元中的电荷的所提取信号可传送通过第一共源共栅结构以将第一电容器充电。类似地，在虚设数...
    2025-11-23
  • 一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元
    一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元_中国科学技术大学_202511476984.5
    本发明公开了一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元，属于存内计算领域。本文设计了一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元，包括MOS管M1‑MOS管M10、电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2、灵敏放大器SA。本发明利用...
    2025-11-23
  • 数据突发的休闲节奏
    数据突发的休闲节奏_美光科技公司_202510616647.5
    本申请涉及数据突发的休闲节奏。可以为数据选通信号实施休闲节奏。例如，控制器可以在预热时段的一或多个预热循环期间根据第一速率或休闲节奏驱动数据选通信号。在所述预热时段结束之后，第二数据选通速率可以用于使用数据通道来传送用于读取操作或写入操作的...
    2025-11-23
  • 测量系统
    测量系统_武汉惟景三维科技有限公司_202511208454.2
    本申请涉及检测技术领域，特别是涉及测量系统。在本申请实施例中，通过设置承载机构来承载环形件并带动环形件绕第一轴线转动，可以实现环形件绕第一轴线转动。通过设置弧形导轨和移动件，可以利用移动件带动第二调节单元绕第二轴线移动。通过设置第二调节单元...
    2025-11-23
  • 基于springbatch的任务容错处理方法及相关设备
    基于springbatch的任务容错处理方法及相关设备_中国平安人寿保险股份有限公司_202010182281.2
    本申请涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种基于springbatch的任务容错处理方法及相关设备，包括：获取待重新执行的批次任务，发送批次任务的编号至用户端，接收用户端的反馈信息，根据反馈信息，确定批次任务的运行模式；根据运行模式，运行批次任...
    2025-11-23
  • 一种锌电容器的阳离子混合电解液、其制备方法和水系锌电容器
    一种锌电容器的阳离子混合电解液、其制备方法和水系锌电容器_同济大学_202411772095.9
    本发明提供了一种锌电容器的阳离子混合电解液、其制备方法和水系锌电容器，属于锌电容器技术领域。该锌电容器的阳离子混合电解液包括：铵盐、锌盐及溶剂，其中，溶剂为去离子水。锌电容器的阳离子混合电解液的制备方法包括以下步骤：步骤一，称取一定摩尔比的...
    2025-11-23
  • 一种n型导电聚合物基超级电容器及其制备方法
    一种n型导电聚合物基超级电容器及其制备方法_聚镕光电(广州)新材料科技有限公司_202511069647.4
    本发明涉及一种n型导电聚合物基超级电容器，所述n型导电聚合物基超级电容器依次包括如下结构：正极、电解质层、负极；其中，所述正极和负极的结构为n型导电聚合物聚(苯并二呋喃二酮)(PBFDO)层以及集流体层；所述电解质层包含水系隔膜和浸润所述水...
    2025-11-23
  • 存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备
    存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410613139.7
    本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备，该存储器包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括主阵列和冗余阵列；其中，主阵列包括多个存储块，每个存储块耦接多条位线；冗余阵列耦接多条冗余位线，多条冗余位线中的修复位线被配置为修复...
    2025-11-23
  • 制备石墨烯碳化钛交联薄膜材料的方法及其在超级电容器的应用
    制备石墨烯碳化钛交联薄膜材料的方法及其在超级电容器的应用_北京航空航天大学_202211519772.7
    本发明涉及一种制备石墨烯碳化钛交联薄膜材料的方法及其超级电容器应用。薄膜在干燥程中经历毛细收缩以及弱界面作用，使得薄膜取向度和密实度低，使兼具高力学和高电导率的石墨烯碳化钛MXene薄膜的制备成为难点。为此，本发明采用将少量水分子限制在氧化...
    2025-11-23
  • 一种单譬挖掘机分层剥离厚度检测方法
    一种单譬挖掘机分层剥离厚度检测方法_内蒙古中坤能源科技发展有限公司_202511263437.9
    本发明涉及剥离厚度检测的技术领域，公开了一种单譬挖掘机分层剥离厚度检测方法，包括以下步骤：S1，结构安装；S2，初始数据采集；S3，作业数据采集；S4，数据处理与计算；S5，厚度判断与反馈；S6，数据存储。本发明通过设置激光测距传感器，倾角...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法、读写方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、读写方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410605380.5
    一种半导体器件及其制造方法、读写方法、电子设备，半导体器件包括设置在衬底上的至少一个存储单元列，所述存储单元包括设置在衬底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括垂直于所述衬底的第一栅极、环绕所述第一栅极侧表面的第一半导体层以及设置在...
    2025-11-23
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