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信息存储应用技术
  • 本申请公开了一种激光焊枪出光质量的测量方法,涉及焊接设备领域,其中,测量方法包括:在激光焊枪的测试光束照射成像片的衰减成像区域生成光束成像时,利用相机拍摄成像片,获得成像片图像,其中,成像片还包括背景区域和参照物区域,参照物区域内设置有至少...
  • 本发明公开了一种NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法,包括:步骤一、对选定位进行编程擦除循环操作。各编程操作中,字线栅的第一编程电压根据循环次数进行设置,第一编程电压为初始编程电压加上第一偏移电压,第一偏移电压用以补偿字线栅的第一阈值电压的第...
  • 柔性超级电容器长期面临电极与凝胶电解质界面解离问题。通过在凝胶电解质上原位生长电极材料形成一体化器件可有效解决此难题并提升性能。本发明成功开发出一种缓慢反应动力学下的原位聚合策略:在聚乙烯醇/海藻酸钠基水凝胶中添加氧化石墨烯(GO),实现苯...
  • 本实施方式提供一种能够高速执行压缩的非易失性存储器、存储器系统及非易失性存储器的控制方法。根据本实施方式,非易失性存储器具备存储器芯片及指令处理部。在从控制器接收到用于压缩的第1指令的情况下,指令处理部将从存储器芯片的第1位置读取的数据保存...
  • 本发明涉及一种锂离子电容器电解液和电解液添加剂的关键技术,可有效提高锂离子电容器电解液的电化学性能。其主要内容为一种卤化锂、硅藻土和石墨粉与聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸单体制备的电解液添加剂,以及此添加剂与包含六氟磷酸锂、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...
  • 本发明提供一种非易失性存储器的自测系统以及方法,由从机通过SDA以及SCL端口接收由外部主机发送的I2C指令并进行解码,再由BIST模块基于解码信息以数据‑补码形式储存数据信息,并生成模式控制信息与数据地址信息发送MTP模块依次执行擦除操作...
  • 本发明涉及工程降噪领域,具体了提供了一种低频宽带吸声降噪模块,包括从外至内嵌套设置的最外侧吸声单元和内部吸声单元,最外侧吸声单元包括封闭底板、围合于封闭底板周侧的封闭侧板一和位于封闭侧板一远离封闭底板一端的穿孔板一;内部吸声单元位于封闭底板...
  • 本申请公开了一种线缆互连检测方法、设备、存储介质及程序产品,涉及服务器技术领域,本申请通过引入第一存储模块和第一开关,并将第一存储模块通过第一开关与待检测接口连接,能够在待检测接口与对端设备的待检测接口连接后,获取对端设备的第二校验信息,进...
  • 一种光学变焦标定治具,包括:治具外廓、光照灯、治具支架和治具本体;所述治具外廓为遮光板,用于安装光照灯及隔绝环境光对标定结果的影响;所述光照灯用于为标定提供稳定光源;所述治具支架为治具铝型材框架,用于固定治具本体;所述治具本体的前端为固定产...
  • 本申请公开了一种火焰图的生成方法和装置、存储介质及电子设备。涉及计算机技术领域,其中,该方法包括:在目标线程运行时,对所述目标线程在处理器上执行时的时间信息进行采样,得到所述目标线程对应的第一时间占比信息;对所述目标线程被调出所述处理器和调...
  • 本公开的实施例公开了数据导入装置。该方法的一具体实施方式包括:数据导入装置包括数据中转导入装置、数据上传装置和光盘存储装置。其中,数据中转导入装置包括第一控制装置、第一人机交互屏幕、识别装置、光驱处理装置、第一电机、第一机械臂、第一机械臂限...
  • 本申请实施例提供了一种测试单元、处理器、片上系统和测试方法,该测试单元包括:总线从接口、输入缓冲器和控制器;所述总线从接口,用于接收总线主接口通过功能高速总线发送的扫描输入数据,并将所述扫描输入数据存储到所述输入缓冲器;所述控制器,用于从所...
  • 本发明公开了一种铁钴双金属MOF电极上电沉积钴掺杂氢氧化镍的纳米阵列材料及其制备方法,包括:通过水热法在泡沫镍上生长FeCo‑MOF纳米片阵列,并在其表面电沉积一层适量钴掺杂的纳米片状α‑Ni(OH)2晶体,成功制备了...
  • 本发明公开了一种耐低温超级电容器及其制备方法和应用。本发明的耐低温超级电容器的组成包括电极、电解液、隔膜和封装壳,电解液中的电解质为有机磷化合物,电解液的玻璃化转变温度为‑60℃~‑30℃,室温电导率≥1.0×10 ...
  • 公开了一种位线读出放大器和一种半导体装置。该位线读出放大器包括:P型读出放大器,其包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,其中,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管电连接到第一感测使能线;N型读出放大器,其包括第一NMOS晶体管和第二...
  • 提供搭载了能够将PCB配置于HDD的壳体侧面的连接器的盘装置。实施方式的盘装置具有多个磁盘、构成为使多个磁盘旋转的主轴马达、以及壳体。壳体具有安装有主轴马达的底壁、和与底壁一体成型的侧壁。还具有安装于侧壁的第1基板、和安装于第1基板并与外部...
  • 本发明提供一种分栅存储器阵列结构的操作方法,该存储器操作方式基于分栅型SONOS结构,一个存储单元由一个选择管和两个置于选择管两侧的存储管构成,两侧存储管栅极可以共接,作为一个存储管使用,也可以两个存储管分别存储数据,增加存储密度。写入数据...
  • 本发明公开了一种非接触式测量光学元件间隔的方法,具体涉及光学元件测量技术领域,包括步骤S01:非接触式测量、步骤S02:原始光学元件间隔获取、步骤S03:光学元件结构稳定性数据采集、步骤S04:光学元件热稳定性数据处理、步骤S05:光学元件...
  • 本发明涉及一种榫接式声学超构单元模块、声学超构材料组件及其制备方法,榫接式声学超构单元模块,包括插接凸台和榫接端,插接凸台底端和榫接端顶端相连,插接凸台内部和榫接端内部连通构成吸声腔体,插接凸台由前封板和侧封板组成,侧封板一端与前封板相连,...
  • 本发明公开一种存储器的外围电路和存储器,存储器包括多个存储单元。外围电路包括位线解码器,位线解码器包括多个选通单元。各选通单元包括与任一存储单元的位线耦接的第一端、用于输出选中的存储单元的读取信号的第二端、耦接于第一端和第二端之间且与存储器...
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