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天线单元以及天线阵列
本公开提供了一种天线单元以及天线阵列,属于天线技术领域,旨在拓宽天线单元的阻抗带宽和轴比带宽,所述天线单元包括:馈电结构,包括用于馈电的金属元件;以及辐射结构,与馈电结构耦合,包括辐射贴片,所述辐射贴片包括目标点;其中,所述辐射贴片包括环绕...
二次电池及用电装置
本申请提供了一种二次电池及用电装置,二次电池包括由负极极片、隔离膜和正极极片层叠形成的层叠结构,负极极片和/或正极极片包括活性材料区和粘结区,粘结区沿第一方向位于活性材料区的两侧;在第二方向上,粘结区相对于活性材料区伸出,隔离膜相对于活性材...
隔膜及其制备方法、以及锂离子电池
本申请的实施例提供了隔膜,该隔膜包括:基底膜层和设置在基底膜层上的补锂层,补锂层具有:补锂剂、导电剂、以及聚酰亚胺,其中,聚酰亚胺包覆补锂剂与导电剂。本申请的实施例提供的隔膜由于具有补锂层,能够用于补充活性锂离子,另外,聚酰亚胺包覆补锂剂,...
电芯、电池、车辆及电芯补锂方法
本申请公开了一种电芯、电池、车辆及电芯补锂方法,涉及锂电池技术领域。该电芯包括电芯本体、端盖、正电极、负电极和含锂电极。所述端盖设置在所述电芯本体的一端,所述端盖设有第一极柱、第二极柱和第三极柱;所述正电极、所述负电极和所述含锂电极每一者的...
一种弹性电池水冷散热器、电池和用电装置
本发明涉及新能源领域,尤其涉及电池散热领域。一种弹性电池水冷散热器,包括由散热芯内部安装弹片形成的弹性结构,或者由两列散热芯将弹片夹在中间形成的弹性结构,或者由两列散热芯和弹片交替安装形成的弹性结构。电池放置在散热芯的外侧,由弹片的弹力保持...
二次电池、凝胶电解质前驱液、制备方法和用电装置
本申请涉及一种二次电池、凝胶电解质前驱液、制备方法和用电装置。该二次电池包括电极极片;任一个电极极片独立地包括电极活性材料层;二次电池包括凝胶电解质,凝胶电解质包括第一凝胶电解质和第二凝胶电解质,第一凝胶电解质位于电极活性材料层的内部,第二...
一种氟氮共掺杂的碳包覆正极材料及其制备方法
本申请涉及一种氟氮共掺杂的碳包覆正极材料及其制备方法,通过在正极活性物质表面设置氟氮共掺杂的碳包覆层,有效改善了正极材料的循环性能。将本申请的正极材料应用到电池体系中,能够提高电池的循环寿命。
一种预锂化负极材料及其制备方法、负极和含锂电池
本公开涉及一种预锂化负极材料及其制备方法、负极和含锂电池。包括以下步骤:S1、将第一含硅基质与有机碳源接触,进行碳包覆处理,得到碳包覆含硅基质;S2、将金属锂与第二含硅基质接触,进行第一球磨处理,得到预锂前驱体;S3、将预锂前驱体与第一有机...
一种具有核壳结构的三元正极材料及其制备方法和应用
本公开涉及一种具有核壳结构的三元正极材料及其制备方法和应用,该方法包括以下步骤:S1、将锂源与镍钴锰氢氧化物三元前驱体混合,将得到的混合物在第一含氧气氛下进行第一热处理,得到第一物料;S2、将所述第一物料与含有铵盐的溶液接触并进行浸渍,将得...
一种预锂化锂离子电池负极片及其制备方法和锂离子电池
本公开涉及一种预锂化锂离子电池负极片及其制备方法和锂离子电池。所述方法包括以下步骤:S1、将金属锂与基质材料混合,进行球磨处理,得到预锂化前驱体,基质材料选自硅和氧化亚硅中的一种或两种;S2、将预锂化前驱体与电解液混合,进行稳定化处理,得到...
半导体结构及其制造方法
半导体结构包括基板、主动元件、至少一放电结构、栅极接垫、多层互连金属层以及熔丝结构。基板具有主动区和虚设区。主动元件设置于基板的主动区。放电结构设置于基板的虚设区。栅极接垫设置于主动元件与放电结构上方。多层互连金属层设置于基板上方并位于栅极...
基板、封装结构、电子设备和基板的制备方法
本申请实施例提供了一种基板、封装结构、电子设备和基板的制备方法,涉及电子设备技术领域。其中,基板包括层叠结构、导电芯、磁性件和导磁件。层叠结构包括多层布线层和多层介质层,布线层和介质层交替层叠设置。导电芯嵌设在层叠结构中,且贯穿至少一层介质...
封装结构、电子设备和封装结构的制备方法
本申请实施例提供了一种封装结构、电子设备和封装结构的制备方法,涉及电子设备技术领域。其中,封装结构包括第一芯片、第一布线层、第二布线层、第一封装层、第一连接部和第二芯片。第一布线层设于第一芯片的第一表面所在一侧且与第一芯片电连接。第二布线层...
功率模组及功率变换装置
本申请实施方式提供一种功率模组及功率变换装置。功率模组包括第一基板、第一芯片、互连件、第一阻挡结构、连接物及封装体,第一芯片与第一基板层叠设置,第一阻挡结构设于互连件的外表面,第一芯片与互连件之间通过连接物连接,第一阻挡结构、连接物、第一芯...
一种电子电路器件及电子设备
本申请实施例公开了一种电子电路器件及电子设备。该电子电路器件包括本体结构和接口焊点,该本体结构包括有机材料,接口焊点与本体结构电连接;在本体结构的外周表面包覆有防潮层,防潮层包括无机膜层,且接口焊点外露于防潮层,以构建相应的电连接。如此设置...
压环组件、半导体工艺腔室及其控制方法
本发明提供一种压环组件、半导体工艺腔室及其控制方法。压环组件包括环形本体;在环形本体内沿其周向环绕设置有环形负压通道,环形负压通道在环形本体上形成有抽入口和抽出口;环形本体可升降地在第一位置和第二位置之间移动,在环形本体处于第一位置的情况下...
清洁方法及半导体设备
本发明提供一种清洁方法及半导体设备,半导体设备包括传输腔室、及用于对传输腔室抽真空的抽气泵组和高抽速泵,传输腔室的腔壁上设有出气口及多个充气口,出气口和多个充气口的分布方式配置成使传输腔室的各个拐角区域均能够被气体吹扫;抽气泵组的抽速低于高...
电子设备、电子器件及其制作方法
本申请实施例公开了一种电子设备、电子器件及其制作方法,涉及金刚石技术领域,解决了现有金刚石在半导体异质材料成膜时生长界面的结合力差,导致容易脱膜失效的问题。该电子器件包括缓冲层、钝化层、金刚石层及半导体器件层。其中,缓冲层具有相对设置的第一...
调节双腔体系统中偏置发生器相位延迟的设备和方法
本发明涉及调节双腔体系统中偏置发生器之间相位延迟的设备和方法,双腔体系统包括:第一腔体装置,包括:包括第一卡盘的第一腔体和与该第一卡盘相连接的第一偏置发生器;第二腔体装置,包括:包括第二卡盘的第二腔体和与该第二卡盘相连接的第二偏置发生器,其...
一种框架断路器或隔离开关用静触头引弧角
一种框架断路器或隔离开关用静触头引弧角,所述静触头引弧角a设置在灭弧栅片组一侧端的外侧方,所述静触头引弧角一端与静触头连接,另一端延伸到所述灭弧栅片组一端的外侧方,所述静触头引弧角另一端的端点位于所述灭弧栅片组高度的3/5~4/5位置处。框...
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