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最新专利技术
  • 用于制备交沙霉素的发酵培养基及其方法
    用于制备交沙霉素的发酵培养基及其方法_重庆乾泰医药研究院有限公司_202311834654.X
    本发明涉及一种用于发酵制备交沙霉素的发酵培养基，其中，所述发酵培养基包含碳源和氮源，所述碳源选自大豆油、花生油、菜籽油、橄榄油中的一种或多种；所述氮源选自玉米蛋白粉、芝麻饼粉、黄豆饼粉、棉籽饼粉、生物氮素、L‑亮氨酸中的一种或多种。利用本发...
    2025-08-05
  • 一种蚀刻残留物去除组合物
    一种蚀刻残留物去除组合物_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311830979.0
    本发明提供了一种铝铜蚀刻后残留物去除组合物及其应用。所述化学蚀刻组合物包括有机碱、缓蚀剂、有机溶剂、多元醇和去离子水等。采用本发明的组合物，能够有效去除蚀刻后残留物，同时避免对AlCu、TiN/Ti和氧化硅刻蚀，在半导体蚀刻工艺中具有良好的...
    2025-08-05
  • 一种高回收C3+轻烃优化瓦斯组分的方法
    一种高回收C3+轻烃优化瓦斯组分的方法_中国石油天然气股份有限公司_202311845999.5
    本发明属于轻烃回收技术领域，尤其是涉及一种高回收C3+轻烃优化瓦斯组分的方法，包括以下步骤：S1、利用焦化装置，常减压、汽油加氢、柴油精制、柴油改质装置高C3+燃料气集中收集；S2、利用液环泵将燃料送入入口分液罐，脱去其中的液相组分，气相组...
    2025-08-05
  • 一种钙钛矿量子点及制备方法、墨水及其应用
    一种钙钛矿量子点及制备方法、墨水及其应用_广东聚华印刷显示技术有限公司_202311841574.7
    本申请属于显示技术领域，涉及一种钙钛矿量子点及制备方法、墨水及其应用。所述钙钛矿量子点制备方法，包括如下步骤：提供卤素前驱体溶液；提供金属前驱体溶液；将所述金属前驱体溶液与所述卤素前驱体溶液混合，在第一温度下反应，得到钙钛矿量子点。本申请解...
    2025-08-05
  • 一种用于油田油井生产的降粘防蜡剂及其制备方法
    一种用于油田油井生产的降粘防蜡剂及其制备方法_中国石油天然气股份有限公司_202311847451.4
    本发明属于油田化学技术领域，尤其是涉及一种用于油田油井生产的降粘防蜡剂及其制备方法，包括以下质量百分比的组分：马来酸酐15.08％～17.92％、壬基酚聚氧乙烯醚18.01％～26.88％、苯甲胺溶液23.2％～25.4％、5％硫酸亚铁水溶...
    2025-08-05
  • 浸泡式介电组成物
    浸泡式介电组成物_博来得投资有限公司_202311835285.6
    一种浸泡式介电组成物，包含：30‑40重量份的全氟有机化合物；25‑30重量份的含氟聚体物；15‑20重量份的全氟己酮；7.5‑14重量份的含氟类醚；以及0.075‑0.4重量份的全氟硅氧烷。本发明提供了一种具灭火特性的绝缘、高效、环保、安...
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液及其用途
    一种化学机械抛光液及其用途_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311839036.4
    本发明提供了一种化学机械抛光液，包括：包括：二氧化硅研磨颗粒、磺酸基化合物和含有两个及以上羟基的化合物。本发明中的化学机械抛光液具有较高的碳材料的去除速率，和较低的氮化硅去除速率，可实现较高的碳材料和氮化硅去除速率选择比。
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液及其用途
    一种化学机械抛光液及其用途_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311838988.4
    本发明提供了一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒、磺酸基化合物、唑类化合物及其衍生物和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液能够提高氮氧化硅/铜去除速率选择比，能够对混合键合表面的碟型凹陷进行修复，满足不同的工艺需求。
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液及其使用方法
    一种化学机械抛光液及其使用方法_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311838809.7
    本发明提供了一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，含氮杂环化合物，有机酸，孪连阴离子表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液具有较高的铜的去除速率，同时能够显著降低抛光后图形晶圆上铜线区的碟型凹陷和介质层侵蚀。
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液及其使用方法
    一种化学机械抛光液及其使用方法_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311838702.2
    本发明提供了一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，含氮杂环化合物，有机酸，氨基酸衍生物，阴非离子表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液具有较高的铜的去除速率，同时能够显著降低抛光后图案晶圆上铜线区的碟型凹陷和介质层侵蚀，降低铜的静态腐蚀速...
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液
    一种化学机械抛光液_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311833202.X
    本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液。该抛光液包含二氧化硅研磨颗粒、唑类化合物，有机羧酸，烷基甜菜碱和双氧水。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，并能有效的降低抛光后晶圆表面缺陷数量。
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液及用途
    一种化学机械抛光液及用途_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311832368.X
    本发明提供了一种化学机械抛光液，该抛光液包含研磨颗粒，含羧基的化合物以及磷酸酯类表面活性剂。本发明的化学机械抛光液具有较高的氮化硅去除速率和较低的SOD材料去除速率，可应用于对氮化硅/SOD材料的去除选择性要求较高的化学机械抛光工艺制程中。
    2025-08-05
  • 一种化学机械抛光液
    一种化学机械抛光液_安集微电子科技(上海)股份有限公司_202311831485.4
    本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液。该抛光液包含二氧化硅研磨颗粒、苯并三氮唑及其衍生物，吐温，有机羧酸，双氧水和水。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，具有较高的金属腐蚀控制能力和图...
    2025-08-05
  • 一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包
    一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包_海信家电集团股份有限公司_202311842661.4
    本申请实施例提供了一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包，涉及可食用包装袋技术领域。该制备方法包括：配置琼脂糖溶液、结冷胶溶液和羧甲基纤维素钠溶液；按照预设比例将琼脂糖溶液、结冷胶溶液和羧甲基纤维素钠溶液进行混合；其中，预设比例为：琼脂糖溶...
    2025-08-05
  • 一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包
    一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包_海信家电集团股份有限公司_202311841652.3
    本申请实施例提供了一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包，涉及可食用包装袋技术领域。该制备方法包括：将壳聚糖和香兰素加入乙酸溶液中，搅拌10小时以上，得到第一混合膜液；在50℃‑70℃下配置可得然胶溶液；将第一混合膜液和可得然胶溶液按照预设...
    2025-08-05
  • 一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包
    一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包_海信家电集团股份有限公司_202311840289.3
    本申请实施例提供了一种可食用膜及其制备方法、可食用调料包，涉及可食用包装袋技术领域。该制备方法包括：称取如下原料：酚酸‑大豆多糖接枝共聚物、水、结冷胶和甘油；将酚酸‑大豆多糖接枝共聚物溶于水中，得到酚酸‑大豆多糖接枝共聚物溶液；在50℃‑8...
    2025-08-05
  • 一种血小板衍生生长因子B突变体及应用
    一种血小板衍生生长因子B突变体及应用_华芢生物科技(青岛)股份有限公司_202311838963.4
    本发明提供了一种PDGF‑B突变体，所述PDGF‑B突变体的氨基酸序列如SEQ ID NO.3所示，所述突变体具有更高的诱导表达浓度，产量和生物活性都得到了显著提升。
    2025-08-05
  • 一种丙酸交沙霉素晶型I及其制备方法、应用
    一种丙酸交沙霉素晶型I及其制备方法、应用_重庆乾泰医药研究院有限公司_202311841137.5
    本发明属于医药化学领域，具体而言，本发明涉及丙酸交沙霉素的晶型I及其制备方法、应用。本发明的丙酸交沙霉素晶型I，X‑射线粉末衍射图在以下衍射角2θ处具有特征峰：4.81°±0.2、5.93°±0.2、7.27°±0.2、8.98°±0.2、...
    2025-08-05
  • 一种交沙霉素衍生物及其制备方法和用途
    一种交沙霉素衍生物及其制备方法和用途_重庆乾泰医药研究院有限公司_202311840946.4
    本发明公开了一种交沙霉素衍生物及其制备方法和用途。本发明的交沙霉素衍生物式I是从交沙霉素发酵液中经酸化、固液分离、萃取、反萃、析晶、高效液相制备等方法分离出来，具有较优的抗菌活性，
    2025-08-05
  • 异噁唑啉脲嘧啶类化合物的新晶型、制备方法与应用
    异噁唑啉脲嘧啶类化合物的新晶型、制备方法与应用_南通江山农药化工股份有限公司_202311851631.X
    本发明涉及C07D413/10技术领域，更具体地，本发明涉及异噁唑啉脲嘧啶类化合物的新晶型、制备方法与应用。异噁唑啉脲嘧啶类化合物的新晶型，其X射线粉末衍射图谱，在衍射角2θ为6.3±0.2、7.2±0.2、11.2±0.2、14.3±0....
    2025-08-05
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