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最新专利技术
  • 漏液阀的检测系统、电池包及车辆
    漏液阀的检测系统、电池包及车辆_浙江极氪智能科技有限公司_202510882300.5
    本申请提供了一种漏液阀的检测系统，电池包及车辆。该检测系统包括：阀体；阀盖；膨胀件，设置于阀体的腔体内部，膨胀件用于：在吸收阀体内部的液体后膨胀以驱动阀盖开启，以使电池包内部的液体排至电池包外部；弹性件，用于在弹性力的作用下使阀盖闭合，以关...
    2025-10-31
  • 漏液阀的告警系统、告警方法及车辆
    漏液阀的告警系统、告警方法及车辆_浙江极氪智能科技有限公司_202510882299.6
    本申请提供了一种漏液阀的告警系统、告警方法、电池包及车辆，所述告警系统包括：控制单元，用于根据电池包中所述漏液阀的工作状态控制互锁回路的导通或断开，其中，若所述漏液阀的工作状态为开启状态则控制所述互锁回路断开，若所述漏液阀的工作状态为关闭状...
    2025-10-31
  • 一种Sb掺杂的固态电解质及其制备方法和应用
    一种Sb掺杂的固态电解质及其制备方法和应用_荆门市格林美新材料有限公司_202510881230.1
    本发明公开了一种Sb掺杂的固态电解质，所述Sb掺杂的固态电解质的化学式为Li10+2xP3‑ xSbxS12I，其中，0.05≤...
    2025-10-31
  • 一种微晶锡基卤化物固态电解质及其制备方法与全固态电池
    一种微晶锡基卤化物固态电解质及其制备方法与全固态电池_广州巨湾技研有限公司_202510880747.9
    本发明提供了一种微晶锡基卤化物固态电解质及其制备方法与全固态电池，所述微晶锡基卤化物固态电解质的化学通式为：Lib‑2d‑ 2yMySndX...
    2025-10-31
  • 硅基电池
    硅基电池_深圳市豪鹏科技股份有限公司_202510884958.X
    本申请涉及一种硅基电池，该硅基电池包括正极、负极和电解液，负极包括负极集流体，以及设置于负极集流体至少一侧的负极活性物质层，负极活性物质层包括负极活性物质，负极活性物质包括硅材料，硅材料的粒径为Wμm，电解液包括第一添加剂和第二添加剂，第一...
    2025-10-31
  • 一种锂固态电池电解质、负极和集流体一体化结构的制备方法
    一种锂固态电池电解质、负极和集流体一体化结构的制备方法_哈尔滨工业大学_202510880250.7
    一种锂固态电池电解质、负极和集流体一体化结构的制备方法，属于锂离子电池技术领域。所述方法为：将锂固态电池电解质溶液以100‑500um的厚度涂敷在负极上，在真空烘箱中80℃真空烘干12h，得到锂固态电池电解质、负极和集流体一体化结构；电解质...
    2025-10-31
  • 锂离子电池和用电装置
    锂离子电池和用电装置_蜂巢能源科技股份有限公司_202510879054.8
    本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种锂离子电池和用电装置；该锂离子电池包括正极、负极、隔膜和电解液：所述正极包括正极活性物质；所述正极活性物质包括磷酸铁锂；所述负极包括负极活性物质；所述负极活性物质包括石墨和硅碳复合材料；所述电解液包...
    2025-10-31
  • 一种燃料电池系统的怠速控制方法、装置、设备及介质
    一种燃料电池系统的怠速控制方法、装置、设备及介质_一汽解放汽车有限公司_202510881569.1
    本申请实施例公开了一种燃料电池系统的怠速控制方法、装置、设备及介质，涉及燃料电池系统技术领域。其中，该方法包括：若接收到用于指示燃料电池系统进入怠速运行状态的指令，则控制目标附件进入使能状态；将目标附件在使能状态下的总运行功率确定为电堆运行...
    2025-10-31
  • 基于界面扰流强化太阳能液流电池性能的方法
    基于界面扰流强化太阳能液流电池性能的方法_金博源新能源科技(苏州)有限公司_202510873527.3
    本发明涉及电池制造技术领域，公开了基于界面扰流强化太阳能液流电池性能的方法，包括：根据光电极基底类型和传质需求安装界面扰流装置，规划主通道与分支微通道组成的混合流道，对平板基底电极进行双阶段处理并设置宏观导流结构，根据实时采集太阳能液流电池...
    2025-10-31
  • 一种电极材料添加剂及其制备方法与应用
    一种电极材料添加剂及其制备方法与应用_深圳市贝特瑞新能源技术研究院有限公司_202510889480.X
    本发明公开了一种电极材料添加剂及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将硫化物固态电解质分散于酯类溶剂，形成第一溶液；按照化学计量比取卤化物电解质的原料LiA、MAn分散于醇类溶剂，形成第二溶液；其中，M选自In、Zr或...
    2025-10-31
  • 碳材料及其制备方法、硅碳复合材料及其制备方法、负极、锂离子电池
    碳材料及其制备方法、硅碳复合材料及其制备方法、负极、锂离子电池_兰溪致德新能源材料有限公司_202510881534.8
    本发明提供了一种碳材料及其制备方法、硅碳复合材料及其制备方法、负极、锂离子电池，涉及硅碳复合材料的技术领域，该碳材料包括碳材料颗粒；该碳材料颗粒的表面上至少含有一个平面；以碳材料颗粒表面积为基准，该平面的总面积占比为0.1％～100％。本发...
    2025-10-31
  • 负极浆料、负极片及制备方法和电池
    负极浆料、负极片及制备方法和电池_天津力神新能源科技有限公司_202510872951.6
    本发明涉及储能电池技术领域，特别是涉及一种负极浆料、负极片及制备方法和电池。负极浆料包括负极活性物质97.0‑98.0份，增稠剂0.5‑1.0份，粘结剂1.0‑1.2份，导电剂0.5‑1份以及溶剂。本发明提出了一种低成本锂离子电池负极浆料配...
    2025-10-31
  • 独立熔合制备的低极化单晶三元正极材料及其应用
    独立熔合制备的低极化单晶三元正极材料及其应用_广东邦普循环科技有限公司_202510881493.2
    本发明提供了独立熔合制备的低极化单晶三元正极材料及其应用，所述单晶三元正极材料在3.1g/cm3～3.8g/cm3压实密度下的吸油值为OACD，电阻率为ρCD
    2025-10-31
  • 双频空化诱导制备的均孔三元正极材料及应用
    双频空化诱导制备的均孔三元正极材料及应用_广东邦普循环科技有限公司_202510881486.2
    本发明属于电池技术领域，涉及一种双频空化诱导制备的均孔三元正极材料及应用，本发明通过优化三元正极材料的二次颗粒内部的孔隙率和等效孔径，控制三元正极材料中二次颗粒内部孔分布和孔径大小的均匀性，同时使二次颗粒间具有适宜的堆积空隙，使得由该均孔三...
    2025-10-31
  • 一种改性富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池
    一种改性富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池_荆门市格林美新材料有限公司_202510881777.1
    本发明提供一种改性富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池。所述改性富锂锰基正极材料包括富锂锰基材料内核以及包覆层于所述富锂锰基材料内核表面的氧化硼包覆层；所述富锂锰基材料内核包括富锂锰基基础材料以及掺杂于所述富锂锰基基础材料中的铝和硼。本...
    2025-10-31
  • 有机框架原位衍生的低能隙磷酸铁锂材料及其应用
    有机框架原位衍生的低能隙磷酸铁锂材料及其应用_广东邦普循环科技有限公司_202510881532.9
    本发明公开了有机框架原位衍生的低能隙磷酸铁锂材料及其应用，涉及锂电池技术领域。本发明利用磷酸铁锂(101)晶面间距d、晶体离子空位V、磷酸铁锂常温带隙E1、磷酸铁锂低温带隙E2，构建优化度κ的表达...
    2025-10-31
  • 负极极片、包含该负极极片的二次电池及用电设备
    负极极片、包含该负极极片的二次电池及用电设备_浙江锂威能源科技有限公司_202510876859.7
    本申请公开了负极极片、包含该负极极片的二次电池及用电设备。该负极片包括依次设置的三维骨架层，包括金属纳米线、一维碳材料和氮化锂；界面层，包括金属锂、氮化锂和功能助剂。该负极片在金属纳米线、碳纤维、氮化锂相互交联的三维骨架层表面设计具有高离子...
    2025-10-31
  • 一种干法电极、制备方法和电池
    一种干法电极、制备方法和电池_扬州纳力新材料科技有限公司_202510877626.9
    本发明公开了一种干法电极、制备方法和电池，制备包括以下步骤：S1：将导电剂与活性物质混合均匀；S2：向导电剂与活性物质的混合物中加入粘结剂，进行预混合；S3：将预混合后的导电剂、活性物质和粘结剂的混合物进行纤维化处理；S4：将纤维化处理后的...
    2025-10-31
  • 一种半导体封装对位标记制作方法及其产品
    一种半导体封装对位标记制作方法及其产品_华天科技(昆山)电子有限公司_202510877800.X
    本发明公开了一种半导体封装对位标记制作方法及其产品，包括以下步骤：在光玻璃上且与TSV区对应的位置制备围堰；在围堰上涂布键合胶；将晶圆键合在光玻璃上并研磨减薄；刻蚀形成一阶槽和对位Mark；完成硅通孔刻蚀；在晶圆上制备介电层；在介电层上制备...
    2025-10-31
  • 一种空气桥制程方法及空气桥
    一种空气桥制程方法及空气桥_福建省福联集成电路有限公司_202510879285.9
    本发明涉及一种空气桥制程方法及空气桥，包括如下步骤：在半导体材料上完成第一电极，第二电极，并涂布第一光阻层，经曝光/显影后进行烘烤，烘烤后在整体的上表面整面沉积一介质层；在介质层上与第一光阻层相对应的位置涂布第二光阻层，经曝光/显影后，蚀刻...
    2025-10-31
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