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  • 本申请实施例提供一种选帧方法及相关装置,涉及终端技术领域。该方法包括:响应于对拍照按钮的按下事件,从N帧图像中选择M帧图像;其中,N帧图像是按下事件发生之前存储在第一队列中的图像,第一队列存储的图像为已经生成的图像;在第二队列中待采集的Q帧...
  • 本申请提供一种扬声器模组和电子设备,涉及电子设备技术领域,能够减少扬声器模组的杂音,提升扬声器模组的音频体验。扬声器模组壳体、内核、吸音颗粒和隔网结构;内核的至少一部分设置在壳体内,内核与壳体的至少部分内壁面围合成扬声器模组的后腔;吸音颗粒...
  • 本申请公开了一种无源互调器件的定位方法及存储介质,方法包括:生成多个不同频率的尺寸分频信号;利用各尺寸分频信号和预设输入信号,对无源互调器件进行定位,得到各尺寸分频信号对应的测量距离;提取各测量距离的有效值,并基于有效值合并技术,确定无源互...
  • 本发明公开了一种基于人工噪声的协作NOMA终端安全通信方案,其技术方案包括以下步骤:步骤1:采集终端与主站和监听者之间通信速率关系函数构建;步骤2:量化安全通信链路需求;步骤3:进行边缘节点与中心节点的功率分配;步骤4:进行上行安全通信采集...
  • 本申请实施例提供一种小区驻留方法和装置,涉及通信领域,能够避免网络配置的Qrxlevmin不合理导致终端设备无法驻留到候选小区的问题。其方法为:终端设备进行小区搜索,搜索到的小区包括第一小区;终端设备获取第一小区的最小接收功率门限;若最小接...
  • 本申请公开了一种WiFi网络连接方法、电子设备、系统及可读存储介质,属于终端技术领域。该方法包括:第一电子设备与第二电子设备之间的距离小于第一距离时,与第二电子设备之间建立近场通信,接收第二电子设备通过近场通信发送的WiFi连接信息,显示第...
  • 本申请提供一种设备管理方法、通信系统及相关装置,可以在第一电子设备登录有云账号,第二电子设备未登录有云账号时,第一电子设备可以在配置第二电子设备连入所述第一电子设备所在的局域往后,通过和云服务器协商,将所述第二电子设备的设备信息与所述第一电...
  • 本申请提供了一种网络配置方法、电子设备和系统。网络配置方法可应用于手机、平板电脑等移动终端与打印机的系统上。移动终端在发现打印机时,可获取打印机的产品标识。移动终端可通过上述产品标识确定打印机的协议类型,进而获取与打印机匹配的协议包,然后,...
  • 一种通信方法及装置、计算机可读存储介质,所述通信方法包括:在锚点小区获取第一唤醒信号的配置信息;发送所述第一唤醒信号,所述第一唤醒信号指示第一非锚点小区或第一非锚点小区组的标识信息。采用上述方案,能够降低网络设备的功耗,提升网络设备的能效。
  • 本申请实施例提供一种本申请实施例提供的定位方法、装置、设备、芯片、存储介质及程序产品,涉及通信技术领域,方法包括:接收网络设备发送的第一指示信息;所述第一指示信息用于指示网络设备的至少一个小区的节能信息,所述节能信息与所述小区的非活动时间相...
  • 本发明公开了一种高精度独立对位的刚挠结合板制作方法,包括叠层方向上的刚性板板层、柔性板层、半固化片层,步骤为:制作假性覆盖膜层;对刚性板层及半固化片层制作刚性板开窗区,将各层依次叠排、压合,形成层压板;制作第一干膜图形,露出假性覆盖膜层,制...
  • 本申请实施例涉及电子设备技术领域,提供一种电子设备,所述电子设备包括辐射体、导电件和磁性损耗结构;所述导电件包括导电结构;所述辐射体和所述导电结构相邻设置,所述辐射体辐射出的电磁波可在所述导电结构上激励起沿第一方向传播的驻波,所述驻波具有多...
  • 本公开提供电子设备的控制方法及装置、终端和存储介质。电子设备的控制方法包括:获取电子设备的镜筒的第一温度;确定第一温度是否大于第一预设阈值;当确定第一温度大于第一预设阈值时,调整电子设备的第一冷却机构的工作状态,以降低镜筒的温度。通过比较镜...
  • 本申请公开了一种散热翅片、散热器及电子设备,属于电子设备散热技术领域。散热翅片包括:翅片板体,翅片板体具有进风端和出风端;协同角改善组件,协同角改善组件设置在翅片板体的第一侧,协同角改善组件包括协同角改善部;协同角改善部包括多个协同角改善结...
  • 本申请实施例提供了一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法,涉及半导体技术领域。其中,半导体器件包括衬底、鳍结构和栅极。其中,鳍结构设于衬底上,鳍结构包括沿第一方向交替设置的导电部和沟道部,沟道部包括沿远离衬底的方向层叠且间隔设置的...
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,该半导体器件包括:衬底;外延结构,位于衬底一侧;外延结构中形成有二维电子气;凹槽,位于外延结构中,且至少贯穿二维电子气;凹槽内设置有接触介质;接触介质的电子浓度大于外延结构的电子浓度;欧姆接触电极,欧...
  • 本发明公开了一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底以及位于衬底一侧的外延结构;源极和漏极位于外延结构远离衬底一侧,且源极和漏极均沿第一方向延伸,沿第二方向排列;背面电极位于衬底远离外延结构的一侧,且背面电极通过位于衬底和外延结构中的连接结构...
  • 本申请提供一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器,单光子雪崩二极管包括:N型衬底层,具有入光侧和背光侧;器件结构层,嵌设于N型衬底层内;器件结构层包括在入光侧朝向背光侧的方向上依次设置的N型掺杂雪崩倍增区和P型重掺杂光吸收区,且N型掺...
  • 本申请提供一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电探测器,单光子雪崩二极管包括:第一类型二维半导体层,其第一表面包括第一区域和第二区域;第二类型二维半导体层,设置在第一表面的一侧,并位于第二区域;第一金属触点,设置在第一表面的一侧,并与第一类...
  • 本申请提供了一种氧化亚铜薄膜电池及其制备方法。所述制备方法包括衬底制备,电子传输层制备,氧化亚铜吸光层制备,吸光层掺杂,空穴传输层制备及电极制备等步骤。其中,所述吸光层掺杂为自氧化亚铜薄膜远离电子传输层一侧的表面进行Ⅴ族元素掺杂,具体的,所...
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