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  • 本发明公开了显示器包括背光模组及时序控制器。背光模组包括目标背光区块及相邻背光区块,相邻背光区块相邻于目标背光区块。时序控制器耦接于背光模组,依据影像帧的画素数据产生目标背光区块的初始工作周期及相邻背光区块的初始工作周期,及至少依据目标背光...
  • 本公开涉及一种显示方法、装置、存储介质及电子设备,该方法包括:确定待处理图像中各像素点在原始色域下的原始颜色值;基于各像素点的原始颜色值和预设色域对应关系,确定待处理图像中各像素点在目标色域下的目标颜色值,预设色域对应关系用于表征原始色域中...
  • 本申请提供了一种音素预测的方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品;方法包括:获取待处理文本并对待处理文本进行文本编码处理,得到文本特征,基于待处理文本构建待处理文本的句法树信息,并对句法树信息进行图卷积处理,得到句法树特征...
  • 本申请提供了一种语音识别性能测试方法、装置、电子设备及存储介质,涉及计算机技术领域,可以通过流量回放数据中语音识别请求所携带的音频数据,高度还原车辆使用过程中的语音交互场景。在该语音交互场景下,测试语音识别设备的性能,可以有效地提升语音识别...
  • 本申请公开了一种基因变异筛选方法、装置及电子设备。其中,该方法包括:将待识别的测序序列映射到参考基因组序列,并采集待识别的测序序列的映射质量指标;依据映射质量指标,在待识别的测序序列中识别多个基因变异;依据预设过滤规则对多个基因变异进行过滤...
  • 本发明提供一种干预任务规划系统、装置和方法,属于数字疗法的技术领域,包括所述系统利用患者指标数据与预配置的包含干预元数据的多个群体治疗模板进行匹配,将匹配到的群体治疗模板作为第一规划数据;根据患者指标数据与干预元数据,生成基于AIGC的第二...
  • 本申请公开了一种三维超声体数据位姿调整方法、装置、设备及介质,应用于超声技术领域,包括:从三维超声体数据中确定初始点和初始切面;基于所述初始点与所述初始切面以及最佳视角信息确定位姿调整参数;所述位姿调整参数包括平移参数和/或旋转参数;所述最...
  • 本申请实施例提供一种用于医学成像的受检者追踪方法、计算机可读存储介质以及医学成像系统,该方法包括:获取经由摄像装置拍摄的包含受检者的多帧图像数据;检测该多帧图像数据中每帧图像数据中的解剖学关键点的信息;根据该解剖学关键点的信息确定该受检者的...
  • 一种健康管理方法与相关设备,用于实时的了解家人的日常行为以及身体状况。例如,第一设备接收通知消息,通知消息用于向第一用户通知第二用户的状态。第一用户是第一设备对应的用户。第二用户与第一用户存在关联关系,第二用户的状态包括第二用户的日常行为和...
  • 本发明公开接触器动触头组件和接触器。接触器动触头组件包括:安装框,包括绝缘底座;动端子,可移动地设置在安装框中,用于与接触器的静端子电接触;弹簧,设置在安装框中并将动端子浮动地支撑在安装框的绝缘底座上;驱动轴,与安装框的绝缘底座相连,用于驱...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供待刻蚀层;提供反应腔,所述反应腔用于在待刻蚀层表面形成硬掩膜结构;在待刻蚀层表面形成硬掩膜结构,所述硬掩膜结构包括至少两层薄膜层,所述硬掩膜结构的形成过程包括:将待刻蚀层移入反应腔,在待刻蚀层表面形成第一...
  • 一种缺陷检测方法、存储介质及终端,其中方法包括:提供待检测晶圆,待检测晶圆包括若干行沿第一方向排布的待检测芯片;获取每行待检测芯片的数量且判断是否达到检测数量阈值;获取每个待检测芯片的待检测图像数据;当任意一行A中的待检测芯片的数量小于检测...
  • 本发明公开一种喷淋基体、喷淋头组件及半导体处理设备,涉及半导体领域。喷淋基体,用于与喷淋板形成匀气腔,包括一体气密连接的背板、侧壁部和密封缘,所述背板上形成有用于气体传输管道供气的通道,所述背板包括固定为一体的中心板和边缘部,所述边缘部位于...
  • 本发明涉及集成电路封装技术领域,尤其是涉及一种D2W混合键合芯片贴装方法,在D2W芯片拾取贴装过程中,通过顶针或压力调节控制芯片和晶圆的形貌,使芯片和晶圆从中心开始键合,或通过调节机械手的位置,使芯片呈倾斜角度与晶圆键合。该贴装方式可以使键...
  • 本申请公开了一种半导体器件封装结构及植球装置,半导体器件封装结构,其特征在于,包括封装基板、设于封装基板一侧的半导体器件,以及,覆盖半导体器件的塑封体;其中,封装基板背离半导体器件的一侧包括第一焊接区和第二焊接区,第一焊接区设有第一焊球,第...
  • 本申请提供了一种功率板,包括:若干个功率芯片;第一预制板,所述若干个功率芯片嵌入在所述第一预制板中;多层导电图形层和多层绝缘层,所述多层导电图形层和所述多层绝缘层交替堆叠在所述第一预制板的上方和/或下方,其中,所述若干个功率芯片与所述多层导...
  • 一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构及其制作方法。该电容器结构包括:衬底,其上具有导体区;以及多个独立电容单元,直接设置在所述导体区上,其中,所述多个独立电容单元各自包括被电容介电层包裹的第一电容电极,以及围绕所述电容介电层与所述第一电容电极的...
  • 本申请提供一种正极极片及其制备方法、电池单体、电池和用电装置,正极极片包括:正极集流体;第一正极活性材料膜层,设置于正极集流体至少一侧,第一正极活性材料膜层包括实心的第一正极活性材料颗粒;第二正极活性材料膜层,设置于第一正极活性材料膜层和正...
  • 本发明属于电极材料领域,公开了一种自支撑高能量密度的电极材料及其制备方法和应用。该电极材料为片状,由石墨烯复合物压合制得,所述石墨烯复合物包括片层状的石墨烯和分散在所述石墨烯片层中的金属氧化物;以所述电极材料的总重量为100wt%计,所述石...
  • 本发明涉及电极材料,公开了一种橄榄状非均相共生氧化物/石墨烯复合电极材料及其制备方法和应用。该氧化物/石墨烯复合电极材料包括石墨烯和分散在所述石墨烯中的两种金属氧化物颗粒;所述两种金属氧化物颗粒各自为一维纳米颗粒。本发明的氧化物/石墨烯复合...
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