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电卡热源组件和换热系统
本申请涉及制冷技术领域,公开一种电卡热源组件,包括:换热壳体和电卡芯片。换热壳体围合成换热腔室,换热壳体设置有与换热腔室相连通的工质入口和工质出口。电卡芯片包括电卡膜层和衬底层,且电卡芯片设置于换热腔室内,从工质入口流入的换热工质与电卡芯片...
电卡换热器件和电卡换热系统
本申请涉及制冷技术领域,公开一种电卡换热器件,包括:喷淋壳体,围合成喷淋腔室,喷淋壳体设置有与喷淋腔室相连通的工质入口和工质出口;电卡喷淋换热组件,设置于喷淋腔室内,电卡喷淋换热组件包括电卡制冷元件和向电卡制冷元件喷淋换热工质的喷淋元件,其...
透镜模块及发光装置
本申请提供一种透镜模块及发光装置,透镜模块包括透镜、调节支架、基座、弹性抵压部件、位置调节部件和锁止件,透镜安装于调节支架,基座包括相连接的安装座体和侧围壳体,弹性抵压部件连接于安装座体并将调节支架往安装座体抵压,位置调节部件包括第一调节件...
阻尼组件以及终端装置
本申请提供一种阻尼组件,包括固定组件、第一弹性件、第一卡持件和阻尼摆臂。固定组件包括第一凸伸部,第一凸伸部包括第一转动面,第一转动面为圆弧面,第一转动面用于确定沿第一方向延伸的轴线;第一卡持件抵持于第一弹性件;阻尼摆臂与第一转动面相互配合,...
TCR-T细胞的制备方法及其应用
本发明公开了TCR‑T细胞的制备方法及其应用。本发明公开的制备TCR‑T细胞的方法,包括:连接41BB的胞内结构域、CD3ζ信号域与TCR蛋白,得到重组TCR;将重组TCR的编码基因导入T细胞中,并使其得到表达,得到TCR‑T细胞;其中,重...
一种提高治疗性抗体产品质量和生产率的发酵工艺
本申请提供一种提高治疗性抗体产品质量和生产率的发酵工艺,使用倒置果锥振动生物反应器(IFSB),通过使用倒置果锥振动生物反应器(IFSB),能够利用表层通气与液相之间的气液交换满足供气需求,并且无内部混匀搅拌桨,通过整体振荡驱动产生的涡流满...
车辆和应用于车辆的冷却系统
本公开提供了一种车辆和应用于车辆的冷却系统,其中,冷却系统包括:控制模块、驾驶舱制冷模块、电池模块和电池冷却模块,控制模块与驾驶舱制冷模块、电池冷却模块连接;控制模块用于在接收到第一指令时,控制驾驶舱制冷模块中的第一冷却回路连通,使驾驶舱制...
工具输送装置和热缩设备
本发明公开工具输送装置和热缩设备。工具输送装置包括:支架;一对带轮,被转动地安装在支架上;环形带,连接在一对带轮之间;和多个保持工具,连接到环形带上并彼此间隔开。保持工具包括:延伸部,适于被夹持在热缩机的一对输送带之间,使得保持工具和环形带...
一种富含黄酮类化合物的外泌体样囊泡制备工艺及其应用
提供了一种富含黄酮类化合物的植物来源的外泌体样囊泡及其制备方法。还提供了所述外泌体样囊泡用于改善皮肤状况的方法和用途,以及包含其的护肤品。
烹饪装置
本发明涉及一种烹饪装置,该烹饪装置包括:箱体;内胆,内胆内形成烹饪腔;灶具,间隔地设于内胆的上侧;控制板,设于箱体的内壁上;第一风道组件,设于内胆的顶部与灶具的底部之间,第一风道组件中形成有散热风路;散热风路连通内胆与灶具之间的区域和箱体的...
启用针对嵌入式应用的SSO
公开了以下技术:用于使集线器应用能够代表嵌入式应用执行令牌代理,从而恢复针对该嵌入式应用的认证状态,该嵌入式应用被嵌入在集线器应用中。执行认证登录事件以利用账户认证集线器应用。作为结果,集线器应用从令牌代理平台接收第一访问令牌,该第一访问令...
酰胺化合物的制造方法
提供使用生物催化剂高效地由腈化合物制造酰胺化合物、且制造发泡性低的酰胺化合物水溶液的方法。在具有腈水合酶活性的生物催化剂的存在下使腈化合物进行水合反应来制造酰胺化合物的方法中,在水合反应的中途使反应液的pH上升。在一例中,与相对于所述反应液...
一种N型TOPCon电池及其制备方法
本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法,其中,本发明实施例所提供的N型TOPCon电池的制备方法,省去了对硼掺杂处理后硅片进行激光掺杂处理的步骤,但在电极烧结及光注入之后,对电池片进行激光照射同时施加偏转电,使得激光形成的电...
半导体元件及其形成方法
本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体元件,包含基板、多个第一导电型掺杂区、多个第二导电型掺杂区以及导电触点。第一导电型掺杂区设置于基板中。第二导电型掺杂区设置于基板中。导电触点设置于基板中,其中第一导电型掺杂区位于导电触点与第二导电型掺杂...
制备半导体装置的方法与半导体装置
提供一种制备半导体装置的方法,包含:提供基板;形成图案化遮罩于基板上;使用图案化遮罩蚀刻基板,以形成沟槽;沉积材料层于图案化遮罩上与沟槽中,于沟槽中形成通道,其中材料层为宽能隙半导体材料;移除图案化遮罩与位于图案化遮罩上的材料层;以及形成多...
半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法,针对某些晶体管驱动不足时性能降低、饱和电流退化严重的问题,将这些晶体管沟道区上的栅氧化层由原先的第一栅氧化层和第二栅氧化层堆叠而成的双层栅氧化层替换为一层更薄且质量更致密的第三栅氧化层,且将这些晶体管的...
半导体器件的制备方法
本发明提供了一种半导体器件的制备方法,所述制备方法包括:提供半导体衬底,其上包括栅极结构及位于栅极结构两侧的源漏区域;在半导体衬底上依次形成第一侧墙结构及第二侧墙结构,第一侧墙结构及第二侧墙结构均包括位于栅极结构侧壁的侧墙部,第一侧墙结构的...
半导体结构及其制造方法
一种半导体结构包括碳化硅基板、碳化硅缓冲层以及磊晶层。碳化硅缓冲层设置在碳化硅基板上。磊晶层设置在碳化硅缓冲层上,其中碳化硅缓冲层的碳摩尔数与硅摩尔数的比值沿着碳化硅基板至磊晶层的方向渐增。通过在形成磊晶层之前先形成具有梯度式变化的碳摩尔数...
晶体管装置
本公开提供一种包括半导体堆叠的晶体管装置,半导体堆叠包括具有第一导电类型的漂移层、漂移层上方且具有第一导电类型的第一掺杂区域,以及漂移层上方且具有第二导电类型的第二掺杂区域,其中第二掺杂区域的深度大于第一掺杂区域的深度。晶体管装置包括嵌入半...
制造半导体装置的方法及半导体装置
一种制造半导体装置的方法,包含:提供基板,其中基板包含碳化硅材料;形成第一氧化物层,在第一温度和氧气的存在下,经由热氧化工艺在基板上形成第一氧化物层,其中第一温度高于1000℃;形成第二氧化物层,在第二温度下,经由沉积工艺在第一氧化物层上形...
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