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最新专利技术
  • 温控装置及其控制方法、控制装置、电器设备
    温控装置及其控制方法、控制装置、电器设备_青岛海尔电冰箱有限公司_202410176144.6
    本公开涉及电器设备的技术领域，公开一种温控装置及其控制方法、控制装置、电器设备。温控装置包括外壳、第一风门、第二风门、送风模块、蒸发器、与第二风门连通的导风筒；外壳内部形成有风道，外壳设置有风道的出风口、两个第一进风口和两个第二进风口，沿着...
    2025-08-29
  • 一种三维有序孔结构一体化电极及其制备方法
    一种三维有序孔结构一体化电极及其制备方法_四川大学_202410173016.6
    本发明涉及催化能源领域，提供了一种三维有序孔结构一体化电极及其制备方法，将窄带隙半导体置于光电极上层以吸收能量较低的光，而宽带隙半导体置于光电极下层以吸收能量较高的光，旨在增大光催化反应面积和反应活性位点，提高光生电子‑空穴对的分离和太阳能...
    2025-08-29
  • 多元素掺杂共生氧化锌晶须高电导高密度溅射靶材的制备方法及其产品
    多元素掺杂共生氧化锌晶须高电导高密度溅射靶材的制备方法及其产品_四川省普照光新能源有限公司_202410172781.6
    本申请公开了一种多元素掺杂共生氧化锌晶须高电导高密度溅射靶材的制备方法及其产品，涉及光电材料技术领域。多元素掺杂共生氧化锌晶须高电导高密度溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：制备掺杂共生氧化锌晶须粉末；在掺杂氧化锌晶须粉末中加入润湿剂和分散剂...
    2025-08-29
  • 靶向MUC18的嵌合抗原受体及其用途
    靶向MUC18的嵌合抗原受体及其用途_北京艺妙神州医药科技有限公司_202410172661.6
    本申请涉及靶向MUC18的嵌合抗原受体，其包括：特异性识别MUC18的抗体片段、IgG4铰链区、CD8跨膜区或CD28跨膜区、CD28共刺激信号域或4‑1BB共刺激信号域、CD3ζ信号域；所述抗体片段包含重链可变区VH和轻链可变区VL，所述...
    2025-08-29
  • 一种有机电致发光化合物及其应用
    一种有机电致发光化合物及其应用_宁波卢米蓝新材料有限公司_202410176218.6
    本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光化合物及其应用。本发明提供的一种有机电致发光化合物，具有如下式(1)所示的结构： 2025-08-29
  • 手性羟基环丁烯酮的制备方法
    手性羟基环丁烯酮的制备方法_中国科学院福建物质结构研究所_202410174651.6
    本申请公开了一种手性羟基环丁烯酮的制备方法，包括：在手性催化剂和转移氢化试剂的存在下，由环丁烯二酮通过选择性转移氢化反应，生成所述手性羟基环丁烯酮。采用本申请所提供的方法，其原料和催化剂廉价易得，反应条件温和，操作简单，反应高效；通过对环丁...
    2025-08-29
  • 电梯缓冲器
    电梯缓冲器_TA萨弗里有限公司_202410173873.6
    本发明公开了一种电梯缓冲器，其包括基座构件，其限定于接纳可压缩能量吸收器的一部分；帽，其在使用中位于基座构件之上，帽限定于可弹性变形构件的一个或多个反作用表面以及用于接纳可压缩能量吸收器的一部分的另外的向下延伸的帽凹部；可压缩能量吸收器，其...
    2025-08-29
  • 车辆控制方法、装置、设备及计算机可读存储介质
    车辆控制方法、装置、设备及计算机可读存储介质_北京罗克维尔斯科技有限公司_202410175535.6
    本公开的实施例提供了一种车辆控制方法、装置、设备及计算机可读存储介质。所述方法包括：获取车辆采集到的预设范围内的当前环境信息；若所述当前环境信息为预设环境信息，则获取所述车辆的当前位置；获取所述当前位置的当前天气信息；若所述当前天气信息符合...
    2025-08-29
  • 加工方法、装置、器件、设备及存储介质
    加工方法、装置、器件、设备及存储介质_深圳市大族半导体装备科技有限公司_202410172849.0
    本申请适用于半导体技术领域，提供一种加工方法、装置、器件、设备及存储介质，所述加工方法用于加工具有裂纹层的工件，所述裂纹层位于所述工件的厚度方向的指定厚度位置，所述裂纹层具有裂纹；所述加工方法包括：超声波聚焦于所述工件的裂纹层，使得所述裂纹...
    2025-08-29
  • 换能装置
    换能装置_群创光电股份有限公司_202410174588.6
    本发明提供一种换能装置，包含：基板；以及多个换能组件，设置在该基板上，且每个换能组件包含：下电极；振荡组件，设置在该下电极上且具有开孔，其中，该下电极与该振荡组件之间具有空腔；上电极，设置在该振荡组件上，其中，在俯视方向上，该上电极与该下电...
    2025-08-29
  • 一种基因测序芯片及其制备方法
    一种基因测序芯片及其制备方法_赛纳生物科技(北京)有限公司_202410175687.6
    本公开实施例公开了一种基因测序芯片及其制备方法。该制备方法包括：提供基因测序芯片主体结构，基因测序芯片主体结构内包括流体室，流体室具有入口和出口，流体室内有多个微坑，微坑的外表面具有疏水修饰；向流体室中通入反应液，使反应液流入各微坑内，反应...
    2025-08-29
  • 一种基因芯片及其重复使用的方法
    一种基因芯片及其重复使用的方法_赛纳生物科技(北京)有限公司_202410174644.6
    一种基因芯片的重复使用方法，包括：(1)重置基因芯片；(2)对重置后的基因芯片进行整体疏水处理；(3)使用气体封或油封的方式在基因芯片微坑内生成RNA或DNA载体。本发明用油或气将流道内的液体独立分割在疏水芯片各微坑内，使其能快速地仅在微坑...
    2025-08-29
  • 榨汁机
    榨汁机_东莞市至拙电器科技有限公司_202410174115.6
    本发明公开一种榨汁机，其中，榨汁机包括机架、承压件、滚碾盘和驱动装置，承压件安装于所述机架，用以放置压榨物，滚碾盘在周向上相对固定地安装于所述机架，所述滚碾盘间隔设于所述承压件的上方，所述滚碾盘具有第一轴线，所述滚碾盘的下表面设有滚压面，所...
    2025-08-29
  • 长双歧杆菌婴儿亚种YLGB-1496菌剂、制备方法及其肠道健康应用
    长双歧杆菌婴儿亚种YLGB-1496菌剂、制备方法及其肠道健康应用_内蒙古伊利实业集团股份有限公司_202410174852.6
    本发明公开了长双歧杆菌婴儿亚种YLGB‑1496菌剂、制备方法及其肠道健康应用，涉及益生菌技术领域。本发明提供的长双歧杆菌婴儿亚种的活菌剂具有抗炎、有效提升肠道免疫力、调节肠道菌群和缓解肠道胀气的功效，可用于制备发酵食品、药物或饲料，具有非...
    2025-08-29
  • 用于去除和渲染图像的方法和设备
    用于去除和渲染图像的方法和设备_三星电子株式会社_202480006898.5
    本公开提供了用于训练神经辐射场并从新视点利用视图相关效果产生3D场景的渲染的方法和设备。使用与多个未掩蔽区域相关联的第一损失来初始训练神经辐射场，多个未掩蔽区域与参考图像和多个目标图像相关联。还可使用与参考图像中的掩蔽区域的深度估计相关联的...
    2025-08-29
  • 一种导电玻璃、太阳能电池、叠层太阳能电池、光伏组件、光伏发电系统和用电设备
    一种导电玻璃、太阳能电池、叠层太阳能电池、光伏组件、光伏发电系统和用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410177243.6
    一种导电玻璃、太阳能电池、叠层太阳能电池、光伏组件、光伏发电系统和用电设备，属于太阳能电池技术领域；导电玻璃包括玻璃基底、光转换层和导电层，玻璃基底和光转换层均设于导电层的入光侧，光转换层的材料包括上转换发光材料和下转换发光材料中的至少一种...
    2025-08-29
  • 半导体结构及薄膜晶体管
    半导体结构及薄膜晶体管_合肥维信诺科技有限公司_202410178143.5
    本发明提供了一种半导体结构及薄膜晶体管。所述半导体结构中包括叠层设置的第一氧化物层和第二氧化物层。其中，所述第一氧化物层中铟元素的含量大于或等于所述第二氧化物层中铟元素的含量，所述第二氧化物层中镓元素的含量大于或等于所述第一氧化物层中镓元素...
    2025-08-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410178042.8
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：各栅沟道结构包括栅极、位于栅极内相互分立的若干第一沟道层和若干第二沟道层，若干第二沟道层位于若干第一沟道层上，若干第一沟道层平行于第一方向，且在第一方向上贯穿栅极，栅极暴露出各第一沟道层相对的两个第...
    2025-08-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410178036.2
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介电墙结构；形成所述介电墙结构之后，在所述衬底上形成鳍部组，所述鳍部组包括至少2个鳍部，垂直鳍部延伸方向，所述介电墙结构位于相邻2个所述鳍部之间。在形成所述鳍部之前，在所述衬底...
    2025-08-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410178136.5
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：形成衬底、位于衬底上的鳍部、以及位于鳍部上的盖层；采用具有氧等离子增强原子层沉积工艺对鳍部和盖层进行处理，形成具有第一栅氧部和第二栅氧部的栅氧化层，第一栅氧部的厚度大于第二栅氧部的厚度。具有氧等...
    2025-08-29
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