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最新专利技术
  • 同心圆结构铜热沉
    同心圆结构铜热沉_上海交通大学_202411355578.9
    一种同心圆结构铜热沉，包括：设置于芯片的待热沉表面的中心主圆以及若干位于其外部不同半径的同心设置的外部圆环，其中：各个外部圆环之间及其与中心主圆之间通过半径方向的连接杆相连。本发明满足先进大功率芯片工作过程对散热以及维持可靠性的需求，在芯片...
    2026-04-11
  • 芯片封装结构、电子设备及制备方法
    芯片封装结构、电子设备及制备方法_甬江实验室_202511670728.X
    本申请提供了一种芯片封装结构、电子设备及制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，该芯片封装结构包括第一电路板，第一电路板包括相对的第一表面和第二表面。第二电路板设置于第一表面，且与第一电路板电连接。功率芯片嵌入到第二电路板中。第一热界面材料层...
    2026-04-11
  • 包括外壳的半导体模块
    包括外壳的半导体模块_英飞凌科技股份有限公司_202511343096.6
    本文公开了一种包括外壳的半导体模块。一种半导体模块包括：基板，基板包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层上的至少第一金属化层；以及外壳，外壳包括侧壁，侧壁限定外壳的内部体积，其中，外壳被布置成使得基板布置在由侧壁限定的内部体积内，其中，金属化...
    2026-04-11
  • 一体成型的芯片微通道散热装置加工工艺
    一体成型的芯片微通道散热装置加工工艺_昆山江鸿精密电子有限公司_202512037326.2
    本发明涉及芯片散热技术领域，尤其涉及一种一体成型的芯片微通道散热装置加工工艺。其包括粉末预处理、混合、模具成形、压制成形、烧结及后处理等模块，通过在金刚石微粉表面沉积过渡金属层，结合精密模压与真空烧结，实现微通道结构的一体化近净成形。本发明...
    2026-04-11
  • 一种叠层式芯片微通道散热装置的加工工艺
    一种叠层式芯片微通道散热装置的加工工艺_昆山江鸿精密电子有限公司_202512037322.4
    本发明涉及芯片微通道技术领域，尤其涉及一种叠层式芯片微通道散热装置的加工工艺。包括以下步骤：提供芯片本体并在其上表面固定连接导热过渡层，提供若干金属薄板，材质为高导热铝合金或铜合金，在每片金属薄板上通过激光切割、电火花线切割或光化学蚀刻工艺...
    2026-04-11
  • 电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构
    电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构_芯联集成电路制造股份有限公司_202511994584.3
    本申请实施例涉及一种电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构，通过在半导体材料层内形成第一屏蔽栅沟槽结构；执行刻蚀工艺，以形成若干接触孔，并且借助第一屏蔽栅沟槽结构中的隔离介质层的第一区域形成容纳孔；容纳孔的开口面积大于接触孔的开口面积，从...
    2026-04-11
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411450500.5
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一第一晶圆以及一第二晶圆。第一晶圆包含一第一基底以及一第一电感层。第一电感层包含一第一金属线以及一第一互连结构，其中第一金属线设置于第一基底上，且第一互连结构与第一金属线电连接。第二晶...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511395919.X
    半导体装置包括：位线，其在第一方向上延伸；第一栅电极，其在第二方向上在位线上延伸；第一栅极绝缘图案，其包括覆盖第一栅电极在第一方向上的相对侧壁中的每一个和第一栅电极在第二方向上的端部的第一部分和接触第一部分并在第二方向上延伸的第二部分；沟道...
    2026-04-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511045546.3
    本发明提供了一种半导体器件以及一种用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括基板、在基板的上表面上的第一布线图案和在基板的上表面上的第二布线图案。第一布线图案包括第一晶体和在水平方向上与第一晶体相邻的第二晶体。第一晶体和第二晶体中的每个的晶...
    2026-04-11
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_三星电子株式会社_202510838603.7
    提供半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置，包括：基体绝缘层，包括第一区域和第二区域；无源元件，包括在基体绝缘层的第一区域上的第一导电区域和第二导电区域；以及晶体管，在基体绝缘层的第二区域上。无源元件的第一导电区域的一部分和第二导...
    2026-04-11
  • 一种半导体功率器件及其制备方法
    一种半导体功率器件及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511950736.X
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括彼此键合连接的功率元件和保护元件，功率元件包括第一主体结构、第一电极、第二电极、第一键合层、第一键合焊盘和第二键合焊盘，保护元件包括第二主体结构、第二键合层...
    2026-04-11
  • 萧特基二极管及其制作方法
    萧特基二极管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411450450.0
    本发明公开一种萧特基二极管及其制作方法，其中制作萧特基二极管的方法，其主要先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一外延层于该鳍状结构内，形成一第一接触插塞于该外延层上，再形成一第二接触插塞于该外延层旁的该鳍状结构上。其中该第一接触插塞包含欧姆...
    2026-04-11
  • 复合金属网格结构、芯片封装结构及其制备方法
    复合金属网格结构、芯片封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511982561.0
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了复合金属网格结构、芯片封装结构及其制备方法。复合金属网格结构设置在芯片与电传输结构之间，包括设置在芯片的高功耗区的第一分部和设置在芯片的低功耗区的第二分部，第一分部包括若干第一线条；第二分部与第一分部相连...
    2026-04-11
  • 半导体器件的单元区及其形成方法
    半导体器件的单元区及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401227.1
    本申请的实施例公开了半导体器件的单元区及其形成方法。该单元区包括：有源区；栅极段和金属至源极/漏极区(MD)接触件；通孔至栅极(VG)接触件；通孔至接触件(VD)接触件；VG接触件和VD接触件对应地对齐于在第一方向上延伸的阿尔法轨道；对应地...
    2026-04-11
  • 半导体管芯及其制造方法
    半导体管芯及其制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511327075.5
    本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本公开涉及半导体管芯(100)，半导体管芯(100)包括：半导体主体(10)、绝缘层(20)和金属化(30)，其中导体线(31)形成在金属化(30)中并且布置在半导体管芯(100)的有源区域(101)之外，...
    2026-04-11
  • 一种晶圆TSV通孔修复方法
    一种晶圆TSV通孔修复方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511871643.8
    本发明提供了一种晶圆TSV通孔修复方法，将晶圆放置在晶圆载物台上，检测晶圆上TSV通孔是否贯通，找寻未完全贯通的TSV通孔，定位所述未完全贯通的TSV通孔位置坐标；激光操作台基于接收的未完全贯通的TSV通孔位置坐标，使用激光烧蚀设备烧蚀未贯...
    2026-04-11
  • 半导体器件的制造方法和半导体器件
    半导体器件的制造方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610252765.7
    本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在基底上方依次形成第一刻蚀停止层、第一介电层、第二刻蚀停止层和第二介电层，基底包括衬底和衬底上方的前层金属层；刻蚀第二介电层、第二刻蚀停止层及第一介电层以暴露第一刻蚀停止层...
    2026-04-11
  • 一种DTC电容及其制备方法
    一种DTC电容及其制备方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035372.9
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种DTC电容及其制备方法，通过刻蚀硅衬底得到多个第一槽体，在相邻的第一槽体之间形成硅墙壁；在形成所述第一槽体的硅衬底的衬底表面设置第一绝缘层；涂敷临时填充层；刻蚀所述临时填充层，暴露所述硅墙壁的顶面上...
    2026-04-11
  • 一种半导体器件的制备方法
    一种半导体器件的制备方法_上海鼎泰匠芯科技有限公司_202511955514.7
    本发明公开一种半导体器件的制备方法，包括提供一半导体器件层，半导体器件层的上方至少形成有金属层及钝化层，钝化层形成于金属层的上方且贯穿金属层，以将金属层隔离为源极金属层和栅极金属层，源极金属层、栅极金属层分别与半导体器件层电连接。于钝化层及...
    2026-04-11
  • 一种TSV结构及其制备方法
    一种TSV结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511950717.7
    本发明公开了一种TSV结构及其制备方法，包括在第一基片上设置介质层；在介质层上进行光刻图形化；对光刻胶暴露区域的介质层以及第一基片进行刻蚀，得到微孔；将导电浆料刮涂于第二基片上；将第一基片的介质层和第二基片涂有导电浆料的面相对，然后在负压环...
    2026-04-11
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