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最新专利技术
  • 基板具有阶梯构型以容纳至少两种不同的焊球大小的集成电路器件
    基板具有阶梯构型以容纳至少两种不同的焊球大小的集成电路器件_高通股份有限公司_202480053439.2
    一种集成电路(IC)器件包括基板。基板包括具有阶梯构型的第一侧，该阶梯构型具有相对于第二表面升高的第一表面。第一表面包括第一阻焊剂开口(SRO)，并且第二表面包括第二SRO。IC器件包括电连接到第一SRO中的第一组接触件的第一组焊球。第一组...
    2026-03-29
  • 包括带有嵌入式框架的基板的封装件
    包括带有嵌入式框架的基板的封装件_高通股份有限公司_202480052122.7
    一种封装件，该封装件包括：集成器件；和基板，该基板通过至少多个焊料互连件耦合到集成器件。基板包括：至少一个电介质层；框架，该框架至少部分地位于至少一个电介质层中；和多个互连件，该多个互连件至少部分地位于至少一个电介质层中。框架可以是嵌入式框...
    2026-03-29
  • 具有嵌入式互连结构的集成器件
    具有嵌入式互连结构的集成器件_高通股份有限公司_202480052065.2
    一种器件包括基板，该基板包括第一导体，该第一导体将基板的第一侧上的接触件连接到基板的第二侧上的接触件。第一导体包括：金属线，该金属线布置于通过介电层彼此分离的金属层中；和导电过孔，该导电过孔将金属线互连。基板还包括第二导体，该第二导体将基板...
    2026-03-29
  • 用于半导体器件中的分层缓解的结构
    用于半导体器件中的分层缓解的结构_高通股份有限公司_202480052120.8
    本发明公开了其中管芯(诸如片上系统(SoC)管芯)利用模具附接到中介层的器件。与常规器件不同，通过除了侧表面之外还提供竖直表面用于附接来增加用于粘附的接触区域。在这种情况下，分层的可能性显著地降低。
    2026-03-29
  • 层叠体及层叠体的制造方法
    层叠体及层叠体的制造方法_富士胶片株式会社_202480051475.5
    一种层叠体及层叠体的制造方法，该层叠体具备：密封层，其包括密封材料和具有电路的部件；再配线层A，其与密封层的一个面接触且与部件的电路连接；及再配线层B，其与密封层的另一个面接触且与部件的电路不直接连接，再配线层A及再配线层B形成为能够与其他...
    2026-03-29
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_罗姆股份有限公司_202480054171.4
    本发明的半导体装置的制造方法具备第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在所述第三工序中，使焊盘部从密封树脂的底面露出。在所述第三工序中，使从所述底面至第一支承部的第二面的所述密封树脂的第一方向的尺寸小于从所述密封树脂的顶面至所述第一支承...
    2026-03-29
  • 用于制造具有间隔保持件的晶圆的方法
    用于制造具有间隔保持件的晶圆的方法_罗伯特·博世有限公司_202480052874.3
    本发明涉及一种用于制造具有用于保护晶圆(110)的金属触点(132)的间隔保持件(150)的晶圆(100)的方法，具有下列步骤：提供包括载体基底(140、140')、功能层(120)和布置在所述载体基底(140、140')与功能层(120)...
    2026-03-29
  • 包括其中嵌入无源电子组件的衬底的设备
    包括其中嵌入无源电子组件的衬底的设备_高通股份有限公司_202480052124.6
    一种设备包括芯层，该芯层包括上芯电介质层、下芯电介质层、接触该上芯电介质层和该下芯电介质层的中芯电介质层以及嵌入在该中芯电介质层内的无源电子组件。该设备包括上层压叠层，该上层压叠层耦接至该上芯电介质层。该上层压叠层包括上金属层和接触焊盘，该...
    2026-03-29
  • 采用核心层和相邻绝缘层的其中嵌入式金属结构从核心层定位的用于集成电路(IC)封装件的基板
    采用核心层和相邻绝缘层的其中嵌入式金属结构从核心层定位的用于集成电路(IC)封装件的基板_高通股份有限公司_202480052123.1
    一种基板包括核心层和一个或多个金属化层。核心层向基板提供稳定化以减少或避免翘曲。核心层可以包括编织在整个核心中的玻璃材料，以提供稳定化并避免翘曲。与基板中的核心层相邻的金属化层包括绝缘层和从核心层定位的嵌入式金属结构。绝缘层的厚度大于嵌入式...
    2026-03-29
  • 电子部件及电子部件的制造方法
    电子部件及电子部件的制造方法_FDK株式会社_202480051918.0
    本发明的电子部件具备基板，所述基板上设置有电路部件、与将所述电路部件与外部屏蔽开的屏蔽件的导电性成分导电连接的导体、以及与所述导电性成分和所述导体这两者接触的导电性构件，并且，所述导电性构件与所述导电性成分合金化。
    2026-03-29
  • 用于可编程三维半导体电力输送网络的设备、系统和方法
    用于可编程三维半导体电力输送网络的设备、系统和方法_超威半导体公司_202480053729.7
    所公开的半导体器件包括：(1)硅堆叠，该硅堆叠包括正面后端工艺(BEOL)堆叠和背面BEOL堆叠，该正面BEOL堆叠包括多个信号路线，并且该背面BEOL堆叠包括多个电力输送路线；和(2)多个辅助电力路径，该多个辅助电力路径形成在正面BEOL...
    2026-03-29
  • 静电吸盘和静电吸盘的制造方法
    静电吸盘和静电吸盘的制造方法_东京毅力科创株式会社_202480053884.9
    本发明提供能够减少在静电吸盘所保持的基片的背面产生的伤痕的技术。静电吸盘用于保持基片，静电吸盘包括电介质和配置在电介质的内部的电极，电介质包括：上表面；和从上表面向上方突出的、构成为支承基片的多个突起部，突起部包括晶质的基部和配置在基部上的...
    2026-03-29
  • 多区段陶瓷加热器
    多区段陶瓷加热器_日本碍子株式会社_202380014933.3
    本发明提供一种能够抑制破损且能够实现良好的均热性的多区段陶瓷加热器。该陶瓷加热器具备：陶瓷板，其包括内侧区段及外侧区段；内侧区段加热器电路，其植入于内侧区段；外侧区段加热器电路，其以与内侧区段加热器电路不同的深度位置植入于外侧区段；1对第一...
    2026-03-29
  • 基板处理装置和基板处理系统
    基板处理装置和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480053794.X
    一种对基板进行处理的基板处理装置，具备处理腔室和配置在所述处理腔室内且在上面具有支撑托盘的托盘支撑面的支撑部件，所述托盘在其上面形成有收纳所述基板的凹部，所述支撑部件包括在所述支撑部件的上部使所述托盘升降的升降销，在所述支撑部件形成有所述升...
    2026-03-29
  • 模块保持器
    模块保持器_恩特格里斯公司_202480052488.4
    提供一种模块保持器，其可旋转地附接到冲洗模块。所述模块保持器包含一或多个接合特征，所述一或多个接合特征经配置以插入穿过设置在衬底容器中的开口，且当在插入穿过所述开口之后旋转时接合突片。所述模块保持器可相对于所述冲洗模块旋转，使得可在不影响所...
    2026-03-29
  • 多件式狭缝阀闸
    多件式狭缝阀闸_应用材料公司_202480053950.2
    公开了一种狭缝阀闸。狭缝阀闸包括基部部分，基部部分配置为耦接到狭缝阀致动器并且包括第一成角度的对准特征。狭缝阀闸进一步包括密封部分，密封部分与基部部分耦接。密封部分经配置为在狭缝阀闸和狭缝阀开口的密封表面之间建立气密密封。狭缝阀闸进一步包括...
    2026-03-29
  • 可伸缩晶圆键合机
    可伸缩晶圆键合机_东京毅力科创株式会社_202480053141.1
    披露了可伸缩半导体卡盘。这种半导体卡盘可以包括第一部分，该第一部分包括多个第一联接器，该多个第一联接器被配置为接纳对应的多个致动器。这种半导体卡盘可以包括环绕该第一部分的第二部分，该第二部分包括多个分段。每个分段可以包括用于选择性地将相应的...
    2026-03-29
  • 半导体晶片提供方法及半导体晶片提供系统
    半导体晶片提供方法及半导体晶片提供系统_日本碍子株式会社_202380097375.1
    利用第一实体进行的半导体晶片提供方法具有：获得步骤，从第二实体获得残余晶片；加工步骤，对残余晶片的切片面进行加工；生长步骤，在残余晶片的经加工的面上使半导体结晶层生长；以及晶片提供步骤，将具有在残余晶片的经加工的面上生长的半导体结晶层的至少...
    2026-03-29
  • 基板处理方法和基板处理系统
    基板处理方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480052204.1
    一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括以下处理：对基板的表面进行磨削；以及对磨削后的基板的表面进行蚀刻，在所述基板处理方法中，对多个基板的表面进行磨削及蚀刻，在预想到第一基板的磨削后的表面形状与继所述第一基板之后的第二基...
    2026-03-29
  • 金属氧化物的气相热蚀刻
    金属氧化物的气相热蚀刻_默克专利有限公司_202480053099.3
    所公开和要求保护的主题涉及用于蚀刻金属氧化物膜的气相方法，其不需要使用等离子体或腐蚀性卤化气体，所述方法包括(1)用于选择性去除如Mo或W金属顶部上的含氧化金属材料的薄层的过程，和(2)用于进行包括ZrO2、HfO2、(Hf‑Zr)O2合金...
    2026-03-29
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