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最新专利技术
  • 功率模块的冷却体元件，功率模块和用于制造这种冷却体元件的方法
    功率模块的冷却体元件，功率模块和用于制造这种冷却体元件的方法_罗杰斯德国有限公司_202480046709.7
    用于电功率模块(10)的冷却体元件(1)，所述冷却体元件包括：‑基体，所述基体具有第一端侧(S1)和与第一端侧(S1)相对置的第二端侧(S2)，所述第一端侧在安装状态下朝向待冷却的面；和‑冷却通道(30、30’)，所述冷却通道在第一端侧(S...
    2026-02-12
  • 导热性硅脂组合物及其制造方法
    导热性硅脂组合物及其制造方法_富士高分子工业株式会社_202480044900.8
    本发明是包含第一导热性硅脂、第二导热性硅脂和它们的接合部的导热性硅脂组合物(10)，第一导热性硅脂(7a、7b)含有固化反应催化剂且不含交联剂，第二导热性硅脂(8a、8b)不含固化反应催化剂且含有交联剂，上述第一和第二导热性硅脂在相对置的至...
    2026-02-12
  • 氧化硅材料的定向选择性填充
    氧化硅材料的定向选择性填充_应用材料公司_202480046595.6
    示例性处理方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可被容纳在所述处理区域中。所述基板可限定特征。所述方法可包括形成所述含硅前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅材料。所述方法可包括向所述处理区域提供含氧前...
    2026-02-12
  • 具有多个线类型的互连层
    具有多个线类型的互连层_国际商业机器公司_202480036033.3
    一种具有第一背面金属层的半导体结构，该第一背面金属层具有多条第一类型线和至少一条第二类型线。第一类型线具有比底表面更宽的顶表面，并具有第一宽度。第一类型线的每条通过第一过孔连接到第二背面金属层。第一类型线中的每条和第二类型线中的每条通过第二...
    2026-02-12
  • 用于IC单元接合的组件和方法
    用于IC单元接合的组件和方法_洛科系统私人有限公司_202380099964.3
    一种拾取器组件，包括：具有选择性可变间隔关系的多个拾取器；轴；与所述轴滑动接合的多个内部定位板，每个所述内部定位板放置在相邻的拾取器中间，与所述轴以滑动接合的方式连接的一对端部定位板，每个所述端部定位板放置在端部的拾取器的外侧；所述端部定位...
    2026-02-12
  • 陶瓷加热器
    陶瓷加热器_日本碍子株式会社_202380014107.9
    陶瓷加热器具备：陶瓷板20，其上表面具有晶片载放面；多个区段Z1～Z6，它们设置于晶片载放面；区段加热器，其与多个区段Z1～Z6分别对应地植入于陶瓷板20；单一的测温部件通路30，其设置于陶瓷板20；以及单一的测温部件(Multi TC40...
    2026-02-12
  • 基板处理装置及方法
    基板处理装置及方法_杰宜斯科技有限公司_202480046787.7
    本发明涉及一种基板处理装置及方法，包括：下部腔室部；上部腔室部，对下部腔室部的上侧进行开闭；位置调节部，调节上部腔室部的位置；下部支承部，安装于下部腔室部，支承下部基板；以及上部支承部，安装于上部腔室部，支承面向下部基板的上部基板，并且以均...
    2026-02-12
  • 基板处理装置及方法
    基板处理装置及方法_韩华赛米科技株式会社_202480046385.7
    本发明涉及一种基板处理装置及方法，涉及一种进行控制来使按照时间间隔搬入工艺腔室的基板的滞留时间均匀地形成的基板处理装置及方法。根据本发明的实施例的一种基板处理装置，包括：工艺腔室，包括用于多个基板的单独的工艺的多个单元；基板支撑部，分别布置...
    2026-02-12
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380100385.6
    基板收纳容器(1)包括：容器主体(2)，具备在前侧的一端部形成有容器主体开口部(21)且后侧的另一端部由里壁(22)封闭的筒状的壁部(20)，利用壁部(20)的内表面，形成可收纳多片基板(W)并与容器主体开口部(21)连通的基板收纳空间(2...
    2026-02-12
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380100323.5
    基板收纳容器(1)包括：容器主体(2)，具备在前侧的一端部形成有容器主体开口部(21)且后侧的另一端部由里壁(22)封闭的筒状的壁部(20)，利用壁部(20)的内表面，形成可收纳多片基板(W)并与容器主体开口部(21)连通的基板收纳空间(2...
    2026-02-12
  • 处理腔室气流改善
    处理腔室气流改善_应用材料公司_202480047114.3
    提供了一种处理腔室，包括：腔室主体，封闭内部容积；第一基板支撑件和第二基板支撑件，各自定位在所述内部容积中，所述第一基板支撑件定位在所述第二基板支撑件上方；阻挡层，定位在所述第一基板支撑件与所述第二基板支撑件之间，所述内部容积包括在所述阻挡...
    2026-02-12
  • 具有分布式净化通道、RF网和接地电极的加热器板
    具有分布式净化通道、RF网和接地电极的加热器板_应用材料公司_202480046701.0
    一种基板支撑组件包括：加热器板，所述加热器板包括电介质材料；加热器电极，所述加热器电极嵌入加热器板内；一组分布式净化通道，所述组分布式净化通道在加热器板内形成，其中所述组分布式净化通道提供一组气体流动路径，以均衡来自加热器板内的气流并在加热...
    2026-02-12
  • 具有前体分配系统的多站处理工具
    具有前体分配系统的多站处理工具_朗姆研究公司_202480046243.0
    所公开的示例涉及用于多站处理工具的前体分配系统及其操作方法。一示例提出多站处理工具，其包括：两个或更多个处理站；前体源；配料‑转向阀组件，其可操作以选择性地将从前体源所接收的前体流导向配料路径或转向路径。配料‑转向阀组件包括：前体入口，其接...
    2026-02-12
  • 使用人工智能生成预测和/或其他分析
    使用人工智能生成预测和/或其他分析_昂图创新有限公司_202480046101.4
    一种用于使用机器学习来预测半导体制造工艺的方面的方法。该方法涉及构建机器学习模型，该机器学习模型结合了生产的半导体制品的两个参数，这两个参数与该半导体制品的处于不同粒度级别的不同物理属性相关联。向计算设备提供这两个参数之间的数学关系，并且使...
    2026-02-12
  • 浆料及研磨方法
    浆料及研磨方法_株式会社力森诺科_202480002306.2
    一种浆料，其含有磨粒及水，磨粒包含铈氧化物粒子，X射线衍射测定中铈氧化物粒子的(200)面的峰值强度相对于(111)面的峰值强度的比率R与铈氧化物粒子的(111)面的微晶直径D之乘积P为7.5～11.0nm。一种研磨方法，其包括使用该浆料对...
    2026-02-12
  • 纯化含氟气体组合物的制造方法、半导体装置的制造方法、蚀刻装置
    纯化含氟气体组合物的制造方法、半导体装置的制造方法、蚀刻装置_中央硝子株式会社_202480046319.X
    本发明提供一种在进行蚀刻时能够抑制Cr向被处理表面上的混入的纯化含氟气体组合物的制造方法、应用了该纯化含氟气体组合物的制造方法的半导体装置的制造方法、及蚀刻装置。本发明涉及一种纯化含氟气体组合物的制造方法，其包括使粗含氟气体组合物与30℃以...
    2026-02-12
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置_株式会社国际电气_202480047068.7
    本发明的方法具有以下工序：(a)根据改性剂的供给量与原料相对于基板的饱和吸附特性的关系，来设定所述改性剂的供给量的工序；(b)根据所设定的供给量，将所述改性剂供给至所述基板的工序。
    2026-02-12
  • 气体供给方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序以及流量控制器
    气体供给方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序以及流量控制器_株式会社国际电气_202380100325.4
    本发明具有以下工序：第一工序，通过调整阀的开度，一边控制气体的流量，一边将所述气体供给至容器；第二工序，根据所述容器内的压力来调整所述阀的开度从而将所述气体供给至所述容器。
    2026-02-12
  • 磁穿隧接面元件的制造方法
    磁穿隧接面元件的制造方法_JSR株式会社_202480040575.8
    一种磁穿隧接面元件的制造方法，其制造在基板上直接或间接地依次包括磁穿隧接面层及金属层的磁穿隧接面元件，所述制造方法包括：在所述金属层上涂敷抗蚀剂组合物的工序，所述抗蚀剂组合物含有具有包含芳香环的结构单元的聚合物；对通过所述涂敷工序而形成的抗...
    2026-02-12
  • 有机电子材料、有机层、有机电子元件、显示元件、照明装置及显示装置
    有机电子材料、有机层、有机电子元件、显示元件、照明装置及显示装置_株式会社力森诺科_202480044901.2
    一种有机电子材料，其含有具有支链结构的电荷传输性聚合物，其中，所述电荷传输性聚合物包含下述式(a)所示的3价结构单元、下述式(b)所示的2价结构单元、以及聚合性官能团，且具有所述3价结构单元中的至少1个键合键与所述2价结构单元中的至少1个键...
    2026-02-12
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