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最新专利技术
  • 基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法
    基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法_浙江大学_202610007704.4
    本发明涉及一种基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法，属于半导体表面超精密切削加工技术领域，该方法包括搭建力伺服辅助切削加工装置，并为其配置力检测模块；结合力伺服辅助切削加工装置和力检测模块扫描半导体多晶工件，获得多个晶界点，基于...
    2026-02-16
  • 一种解键合设备和解键合方法
    一种解键合设备和解键合方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511720811.3
    本发明公开了一种解键合设备和解键合方法。该解键合设备包括：第一卡盘，用于抓取键合件中的上晶圆；第二卡盘，用于吸附键合件中的下晶圆；多个力传感器，分布于第二卡盘中，用于检测第二卡盘多个区域与下晶圆接触过程中的受力状态；控制器，被配置为：在第二...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的平坦化方法
    一种半导体结构的平坦化方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411079157.8
    本申请提供一种半导体结构的平坦化方法，通过第一离子束刻蚀工艺可以对膜层表面起伏度即第一高度差异进行初步修平。利用第二离子束刻蚀工艺，借助膜层以及结构、密集度差异性，对第二半导体结构的不同区域间重新创造出新的表面起伏度差异，增大高度差，即在表...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411075682.2
    本申请提供一种半导体结构的制造方法，利用第一刻蚀工艺对半导体结构的第一形貌进行修饰，得到过渡形貌，第一刻蚀工艺的第一入射角度根据第一起伏度差值、刻蚀速率以及等效入射角之间的第一对应关系确定，第一起伏度差值为第一形貌中第一最高点和第一最低点之...
    2026-02-16
  • 晶圆处理方法及半导体器件
    晶圆处理方法及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511963437.X
    本申请涉及一种晶圆处理方法及半导体器件，包括：提供待处理的晶圆键合结构；执行第一晶边修整，以至少去除第二晶圆的晶边部，第一晶边修整的宽度小于预设修整宽度；执行研磨减薄工艺，以对第二底部支撑层进行减薄；执行刻蚀工艺，以去除第二底部支撑层的剩余...
    2026-02-16
  • 一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用
    一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用_甬江实验室_202511410064.3
    本申请公开了一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用，属于晶圆加工技术领域。该方法包括：提供晶圆，在所述晶圆一侧表面上目标区域的表层进行激光处理形成隐形损伤层；在所述晶圆具有所述隐形损伤层一侧的表面复合支撑层；对所述晶圆背离所述复合支撑层一侧的表面进...
    2026-02-16
  • 一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法
    一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511701166.0
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法。首先在衬底表面涂覆第一光刻胶层，高温坚膜，曝光显影，曝光区域为待制备铝条的区域；然后溅射一层厚度均一的铝薄膜；再在铝薄膜表面涂覆第二光刻胶层，高温坚膜，曝光显影，...
    2026-02-16
  • 一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法
    一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511701164.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法。首先在晶圆的衬底表面设置一层含碳膜层；然后涂覆第一光刻胶层，在待制备铝条的区域进行曝光显影处理，干法刻蚀去除曝光区域内的含碳膜层及所有的光刻胶，然后溅射铝...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的平坦化方法
    一种半导体结构的平坦化方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411076291.2
    本申请提供一种半导体结构的平坦化方法，提供第一半导体结构；第一半导体结构包括沿目标方向排布的第一区域和第二区域，目标方向与衬底指向第一膜层的方向垂直，在第一区域中第二膜层的表面，与在第二区域中第二膜层的表面之间具有第一高度差异；对第二膜层利...
    2026-02-16
  • 半导体器件的刻蚀方法和半导体器件
    半导体器件的刻蚀方法和半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511761760.9
    本申请公开了一种半导体器件的刻蚀方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：提供具有侧墙结构的基底；对侧墙结构进行第一阶段刻蚀，形成第一中间结构；对第一中间结构的侧墙结构进行第二阶段刻蚀，形成第二中间结构；其中，第二刻蚀气源的氢...
    2026-02-16
  • 一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法
    一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法_华南理工大学_202511516933.0
    本发明公开了一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法，该装置包括ICP刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、真空泵；ICP刻蚀腔包括腔体、基座、射频偏置功率源、穿板电极、探针、陶瓷套筒及气体阀门，陶瓷套筒与腔体相通，电感线圈缠绕于陶瓷...
    2026-02-16
  • 一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用
    一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用_北京大学_202411063529.8
    本发明公开了一种提升高Al组分n‑AlGaN上金属‑半导体接触电学性能的方法和应用。所述提升的途径为n‑AlGaN材料表面刻蚀方法。所述表面刻蚀方法由两步组成，第一步采用高偏置射频功率(Bias RF Power)刻蚀，其目的是维持高刻蚀速...
    2026-02-16
  • 一种基于神经网络的激光退火系统
    一种基于神经网络的激光退火系统_电子科技大学_202511615691.0
    本发明属于晶圆退火领域，具体为一种基于神经网络的激光退火系统。本发明根据检测的晶体缺陷类型，使用神经网络得到二次激光退火的参数，进而控制皮秒、飞秒等超短脉冲高能激光束对缺陷进行二次激光退火，从而精确、高效地对半导体材料表面存在晶格缺陷问题的...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610042522.0
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述制备方法包括如下步骤：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底、沟槽隔离结构、氧化层和栅极结构，所述沟槽隔离结构设置于所述衬底内且上部伸出所述衬底，所述氧化层形成于所述衬底的表面，所...
    2026-02-16
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置_株式会社国际电气_202511677731.4
    本发明提供一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置。本发明能够形成具有平坦性的膜。本发明的基板处理方法具有：(a1)对基板供给含有金属元素和卤素的气体的工序，(a2)对所述基板供给反应气体的工序，(a3)通过进行预定次...
    2026-02-16
  • 半导体材料的氧化处理方法及半导体结构
    半导体材料的氧化处理方法及半导体结构_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511662863.X
    本申请提供一种半导体材料的氧化处理方法及半导体结构；所述氧化处理方法包括：实施原位水汽生成工艺，所述原位水汽生成工艺通过向反应腔内输入反应气体，对所述半导体材料进行氧化处理；在所述原位水汽生成工艺过程中，使所述反应腔内的压力在第一压力P1和...
    2026-02-16
  • 半导体晶圆的制造方法
    半导体晶圆的制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411069301.X
    一种半导体晶圆的制造方法包括提供基材晶圆。基材晶圆具有不为零的弯曲度并具有第一部位。第一部位具有相对的第一面与第二面。第一面为内凹的。制造方法包括对基材晶圆执行第一离子注入工艺，使得第一部位的第一面具有第一注入区域，且基材晶圆的弯曲度相较于...
    2026-02-16
  • 基于ICP-氮离子注入的低损耗Si基GaN生长方法
    基于ICP-氮离子注入的低损耗Si基GaN生长方法_西安电子科技大学_202511655846.3
    本发明公开了基于ICP‑氮离子注入的低损耗Si基GaN生长方法，包括：获取高阻Si衬底并清洗和烘干；对所得衬底表面采用电感耦合等离子体进行N离子注入以在该衬底表面形成一层预铺N形成的n型区；在表面依次制备氮化铝成核层、AlGaN缓冲层、Ga...
    2026-02-16
  • 图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
    图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法_南京大学_202511646433.9
    本发明公开了一种图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上制备图案化的镧系金属氧化物单分子钝化层；在镧系金属氧化物单分子钝化层上制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，得到图案化二维过渡金...
    2026-02-16
  • 一种基于离子传输的纳流计算器及芯片
    一种基于离子传输的纳流计算器及芯片_厦门大学_202411081522.9
    本发明公开了一种基于离子传输的纳流计算器及芯片，其包括纳流离子计算模块，所述纳流离子计算模块利用纳米孔道中的离子传输的行为与过程完成计算，由若干个纳流离子忆阻器组成。还包括输入模块，控制模块，纳流离子计算模块，显示模块构成。所述输入模块为阵...
    2026-02-16
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