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最新专利技术
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511671863.6
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中，栅极结构位于基底上且包括第一环形栅极和多个连接条，多个连接条间隔地沿着第一环形栅极的内侧壁排布，每个连接条的一端连接第一环形栅极，第一环形栅极和多个连接条限定出多个体区开口，各个体区位于...
    2026-02-18
  • 一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法
    一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法_西安电子科技大学广州研究院_202511722063.2
    本发明公开了一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法，该器件自下而上包括漏极、SiC N+衬底和SiC N‑外延层，其中，SiC N‑外延层上表面两侧边缘分别包括第一深P区和第二深P区，SiC N‑外延层、第一深P区和第二深P区的...
    2026-02-18
  • 一种集成JBS的SiC功率cascode器件
    一种集成JBS的SiC功率cascode器件_西安电子科技大学广州研究院_202511722048.8
    本发明公开了一种集成JBS的SiC功率cascode器件，包括：设置于N+SiC衬底层上的N‑SiC外延层；第一深P区和第二深P区对称且间隔地从N‑SiC外延层的上表面延伸至N‑SiC外延层内；第一金属设置于第一深P区的第一侧面至N‑SiC...
    2026-02-18
  • 一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件
    一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件_浙江旺荣半导体有限公司_202511381021.7
    本发明公开了一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件，结合了超结设计、分离栅极以及集成MPS二极管结构。在维持高耐压能力的同时，通过电荷补偿机制显著提高漂移区掺杂浓度，从而有效降低导通电阻。分离栅极结构的引入显著减小了器...
    2026-02-18
  • 一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法
    一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法_安建科技有限公司_202411088250.5
    一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，提出一种应用于大功率应用的氮化镓功率器件结构，该器结构具有厚金属基底以及厚金属的顶部可焊层金属层，因此具有良好的散热性能和更优的器件可靠性；本发明还提出多种形成大功率应用的氮...
    2026-02-18
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_尼克森微电子股份有限公司_202411083340.5
    本发明公开一种功率组件的制造方法，所制成的功率组件为沟槽式金属氧化物半导体场效晶体管，其具有接面场效晶体管区域，以此降低沟槽底部的电场，提升功率组件的耐压性。本发明还提供一种具有接面场效晶体管区域的功率组件。
    2026-02-18
  • 横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411062029.2
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法，其中该横向扩散金属氧化物半导体装置包含一基底，其中一水平方向平行于基底的上表面，一金属栅极设置于基底上，其中金属栅极包含一第一侧、一第二侧和一底部，第一侧和第二侧相对，一源极设置在位于...
    2026-02-18
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510674840.4
    一种半导体装置包括：第一区域，无源元件设置在第一区域中；第二区域，其与第一区域相邻，并且有源元件设置在第二区域中；下层间绝缘层，其位于第一区域和第二区域中；绝缘图案，其位于第二区域中并且位于下层间绝缘层的上表面上，绝缘图案在第一方向上延伸；...
    2026-02-18
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411082942.9
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括相邻的隔断区和器件区；多个分立的鳍部，位于器件区的衬底上；隔离结构，位于衬底上，且覆盖鳍部的部分侧壁；栅极结构，位于隔离结构上，栅极结构横跨鳍部并覆盖鳍部的部分顶部和...
    2026-02-18
  • 半导体功率器及其制备方法
    半导体功率器及其制备方法_清纯半导体(宁波)有限公司_202511674585.X
    本申请提供一种半导体功率器及其制备方法，半导体功率器包括半导体衬底层、漂移层、尾态区和掺杂区；漂移层位于半导体衬底层沿第一方向的一侧；阱区位于漂移层中；尾态区位于漂移层中且位于阱区朝向半导体衬底层的一侧、并与阱区连接；掺杂区位于尾态区沿第一...
    2026-02-18
  • 电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法
    电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511568811.6
    本发明提供一种电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法。该MOSFET包括半导体衬底、外延层、以及形成于外延层中的沟槽。沟槽底部设置有屏蔽栅结构，上部设置有栅结构，二者之间由隔离介质层隔开。关键在于，在外延层内、且与沟槽侧壁相邻的位置，设置...
    2026-02-18
  • 集成式功率器件及其制备方法
    集成式功率器件及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511381147.4
    本公开提供了一种集成式功率器件及其制备方法，属于电力电子领域。该集成式功率器件包括：n型沟道层、势垒层、p型沟道层、n型层和栅电极；所述n型沟道层、所述势垒层和所述p型沟道层依次层叠，所述n型层和所述栅电极依次层叠在所述p型沟道层上，所述栅...
    2026-02-18
  • p沟道GaN晶体管及其制备方法
    p沟道GaN晶体管及其制备方法_北京大学_202511336447.0
    本发明提供一种p沟道GaN晶体管及其制备方法，其中的晶体管包括：衬底、依次形成在所述衬底上的缓冲层、电子沟道层、势垒层、空穴沟道层、空穴浓度提升层、第一p型半导体层、设置在所述第一p型半导体层上的漏极、源极以及栅极；其中，所述栅极穿过所述空...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510641247.X
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：衬底之上的栅极结构；衬底中的源极/漏极结构；以及源极/漏极结构之上的接触结构。源极/漏极结构包括：第一掺杂剂掺杂区，其在衬底中具有以第一掺杂剂浓度掺杂的第一掺杂剂；第二掺杂剂掺杂区，其...
    2026-02-18
  • 具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法
    具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411061988.2
    本发明公开一种具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法，具有鳍状结构的中压晶体管包含一基底，一鳍状结构凸出于基底的一表面，一栅极结构横跨鳍状结构，一源极设置于栅极结构的一侧并且埋入于鳍状结构中，一漏极设置于栅极结构的另一侧并且埋入于鳍状结构中，...
    2026-02-18
  • 氮化镓功率器件及其制造方法
    氮化镓功率器件及其制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511735903.9
    本发明实施例提供了氮化镓功率器件及其制造方法。所述氮化镓功率器件包括：衬底；碳掺杂氮化镓层，位于所述衬底上，所述碳掺杂氮化镓层的碳掺杂浓度大于或等于5E+18atoms/cm33；高温氮化镓层，位于所述碳掺杂氮化镓层背离所述衬底的一侧；Al...
    2026-02-18
  • 双向集成的氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法
    双向集成的氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202511531892.2
    本发明公开了一种双向集成的氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法。该晶体管包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、势垒层和栅极；栅极包括交替设置的第一亚栅极区域和第二亚栅极区域；第一亚栅极区域在衬底上的正投影与势垒层的第一亚势垒区域在衬底上...
    2026-02-18
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511381010.9
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：缓冲层、沟道层、势垒层和电极结构；沟道层和势垒层依次层叠在缓冲层上，势垒层开设有底部位于沟道层的第一凹槽，电极结构位于势垒层上且通过第一凹槽与沟道层连接；缓冲层朝向所述沟道层的一面具有多个第...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_广东中科半导体微纳制造技术研究院_202411088769.3
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明采用了闭合的栅极包围源极及源极相关的引/焊线区，或者，闭合的栅极包围漏极及漏极相关的引/焊线区，或者，闭合的栅极同时分别包围源极、漏极及其相关的引/焊线区，此方案可以在单颗芯片范围内实现源极和漏...
    2026-02-18
  • P型氧化碲薄膜场效应晶体管及其制备方法
    P型氧化碲薄膜场效应晶体管及其制备方法_复旦大学_202511759714.5
    本发明公开了一种P型氧化碲薄膜场效应晶体管及其制备方法，所述晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先对硅/二氧化硅衬底进行清洁处理，再利用金属掩模版和电子束蒸发法沉积一层氧化碲薄膜作为半导体有源层，最后通过掩膜版在有源层上制备一层50nm左...
    2026-02-18
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