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最新专利技术
  • 纺丝牵引机以及卷装制造方法
    纺丝牵引机以及卷装制造方法_日本TMT机械株式会社_202510841025.2
    本发明提供一种纺丝牵引机以及卷装制造方法，在母丝的制造时抑制多根单丝相互缠绕。纺丝牵引设备(1)具备横动导丝器(22)、支点导丝器(21)、导丝器(16)以及弯曲导丝器(26)。支点导丝器(21)配置于横动导丝器(22)的上侧且母丝(MY)...
    2026-03-20
  • 一种具有太阳光阻隔性能的复合纤维、面料的制备方法
    一种具有太阳光阻隔性能的复合纤维、面料的制备方法_斐乐体育有限公司_202511877475.3
    本发明提供一种具有太阳光阻隔性能的复合纤维、面料的制备方法，该复合纤维的制备方法包括以下步骤：S10 : 分别制备皮层熔体和芯层熔体；皮层熔体包含热塑性聚合物基体和二氧化钛颗粒；芯层熔体包含热塑性聚合物基体、二氧化钛颗粒以及铯钨青铜纳米颗粒...
    2026-03-20
  • 一种基于锥形容腔微流约束的核鞘纤维制备方法
    一种基于锥形容腔微流约束的核鞘纤维制备方法_浙江大学_202511801927.X
    本发明公开了一种基于锥形容腔微流约束的核鞘纤维制备方法，属于功能性纤维材料制备技术领域。针对现有浸渍涂敷法存在的瑞利不稳定性、喷涂法的边缘效应与参数敏感、以及同轴静电纺丝技术依赖高压电场和有机溶剂等技术缺陷，本发明使实心纤维核层轴向穿过装有...
    2026-03-20
  • 一种复合纤维的双组分复合纺丝箱及其纺丝工艺
    一种复合纤维的双组分复合纺丝箱及其纺丝工艺_江苏垶恒复合材料有限公司_202511753142.X
    本发明涉及复合纺丝箱相关技术领域，具体是一种复合纤维的双组分复合纺丝箱及其纺丝工艺, 包括第一纺丝箱体，及固定连接在所述第一纺丝箱体顶部的第二纺丝箱体、及固定连接于所述第二纺丝箱体顶部的第一熔体导入管和第二熔体导入管，本发明：采用双温控罐结...
    2026-03-20
  • 一种多异形复合纤维的制备装置和制备方法
    一种多异形复合纤维的制备装置和制备方法_江苏德力化纤有限公司_202610043118.5
    本发明属于化纤纺织技术领域，公开了一种多异形复合纤维的制备装置和制备方法，多异形复合纤维的制备装置，包括冷却风筒、组件外壳以及同时位于组件外壳内且自上而下排列的上盖、自密封垫、分流板、砂杯和喷丝板，喷丝板上的喷丝孔共三种，分别为C型、三角型...
    2026-03-20
  • 一种兼具透气与保暖性能的服用面料的制备方法
    一种兼具透气与保暖性能的服用面料的制备方法_江苏恒力化纤股份有限公司_202610039527.8
    本发明属于纺织技术领域，公开了一种兼具透气与保暖性能的服用面料的制备方法，其制备方法是将涤纶动态异形丝进行纺纱和织造得到兼具透气与保暖性能的服用面料，其中的涤纶动态异形丝的单丝截面形状沿长度方向周期性变化，每个周期上的单丝截面形状依次为扁平...
    2026-03-20
  • 对吹整流加热筒、热拉伸装置及涤纶FDY丝的制备方法
    对吹整流加热筒、热拉伸装置及涤纶FDY丝的制备方法_江苏德力化纤有限公司_202610043193.1
    本发明属于丝条制备技术领域，涉及一种对吹整流加热筒、热拉伸装置及涤纶FDY丝的制备方法。对吹整流加热筒包括外圆筒、内圆筒、C形槽等结构。热拉伸装置由所述热拉伸装置和1个拉伸辊组成，沿丝束运行方向，拉伸辊位于对吹整流加热筒的前方。涤纶FDY丝...
    2026-03-20
  • 一种用于中空双组份纤维生产的拉伸方法
    一种用于中空双组份纤维生产的拉伸方法_福建闽瑞新合纤股份有限公司_202511938157.3
    本发明涉及一种用于中空双组份纤维生产的拉伸方法，预热松弛处理：将经纺丝和初步冷却固化的中空双组份纤维预取向丝，在第一温度T1下进行预热和松弛处理；第一温度T1高于纤维中两种聚合物组分的玻璃化转变温度Tg，但低于两种聚合物组分中较低的结晶温度...
    2026-03-20
  • 一种阻燃抗熔滴锦纶6长丝的生产装置
    一种阻燃抗熔滴锦纶6长丝的生产装置_南通旭睿化纤有限公司_202511785328.3
    本发明涉及化纤生产设备技术领域，且公开了一种阻燃抗熔滴锦纶6长丝的生产装置，包括生产平台以及设在所述生产平台上的控制台，还包括喂料组件，所述喂料组件包括锦纶6切片喂料筒，所述锦纶6切片喂料筒下方设有一级混配组件，所述一级混配组件尾端连接二级...
    2026-03-20
  • 一种对称设置的单晶炉用真空管路
    一种对称设置的单晶炉用真空管路_上海汉虹精密机械有限公司_202511454864.5
    本发明公开一种对称设置的单晶炉用真空管路。其包括用于对接炉底盘的管路结构，管路结构包括四个均匀分布的水冷真空管，四个水冷真空管中每两个水冷真空管组成一管组，同一管组的两个水冷真空管通过第一波纹软管对接一次汇流三通管，两个管组的底部的一次汇流...
    2026-03-20
  • 长晶设备及捕尘机构
    长晶设备及捕尘机构_环球晶圆股份有限公司_202510470639.4
    本发明公开一种长晶设备及捕尘机构。所述捕尘机构包含一排气管路、及位于所述排气管路之内的一固定式捕尘件与一活动式捕尘件。所述固定式捕尘件的内缘与所述活动式捕尘件的内缘分别形成具有高低起伏结构的两个咬合面，其彼此相向且形状互补。所述活动式捕尘件...
    2026-03-20
  • 高纯锗探测器单晶表面处理方法
    高纯锗探测器单晶表面处理方法_安徽光智科技有限公司_202511786044.6
    一种高纯锗探测器单晶表面处理方法包括步骤：对圆柱形的高纯锗探测器单晶的轴向相反的两端面采用SiO22和水配制的加工液研磨和抛光；尺寸测量以计算出体积；纯水超声清洗，甲醇超声清洗，之后氮气吹干；放入缓冲槽的缓冲液中，缓冲液由体积比1 : (6...
    2026-03-20
  • 一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法
    一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511692574.4
    本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法。与现有技术相比，本发明通过双层多孔碳包覆结构对碳化硅原料的升华过程形成精准调控，碳层在高温下的逐步分解与碳化硅核的升华速率形成动态匹配，在...
    2026-03-20
  • 一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置
    一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置_郑州榕芯电子科技有限公司_202511689200.7
    本发明涉及碳化硅长晶炉测温技术领域，且公开了一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置，包括载板，所述载板的上表面固定连接有控制箱，所述载板的上表面固定连接有筒体，所述筒体的内部放置有坩埚。本发明中，测温机构通过泵体精准控制气体输出量，可驱动...
    2026-03-20
  • 一种金属卤化物非线性光学晶体及其制备方法
    一种金属卤化物非线性光学晶体及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511690284.6
    一种金属卤化物非线性光学晶体及其制备方法，它涉及非线性光学晶体及合成制备。本发明是要解决现有的方法合成混合阴离子的金属卤化物困难的技术问题。本发明的金属卤化物非线性光学晶体的化学式为Rb22CdCl22I22，非线性光学晶体的结构不具有对称...
    2026-03-20
  • 一种卤乙磺酸盐二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一种卤乙磺酸盐二阶非线性光学晶体及其制备与应用_同济大学_202511599191.2
    本发明涉及一种2‑卤素乙烷磺酸盐二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Na[SO33(CH22)22X](H22O)，其中，X＝Cl或Br，该晶态材料属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.86～92...
    2026-03-20
  • 一种2-羟基乙烷磺酸锂二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一种2-羟基乙烷磺酸锂二阶非线性光学晶体及其制备与应用_同济大学_202511598872.7
    本发明涉及一种2‑羟基乙烷磺酸锂二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Li[SO33(CH22)22OH]，分子量为132.06，属于单斜晶系，其空间群为Cc，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝92.04～92.24°，Z＝4，...
    2026-03-20
  • 单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品
    单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品_双良硅材料(包头)有限公司_202511898957.7
    本发明公开了一种单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品。方法中，获得当前段单晶硅棒头部的电阻率实测值、尾部的电阻率实测值、以及各电阻率实测值对应测量时刻对应测量点位的温度值；根据单个电阻率实测值及其对应的温度值确定对应的电阻率补偿值，将所述...
    2026-03-20
  • 一种单晶硅棒及其收尾方法
    一种单晶硅棒及其收尾方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511658720.1
    本申请提供一种单晶硅棒及其收尾方法，包括：等径结构；收尾结构，所述收尾结构连接于所述等径结构远离其生长起始端的一端，所述收尾结构的径向尺寸沿单晶硅棒的生长方向呈先减小、后增大、再减小的变化趋势；其中，在所述增大的阶段中，所述收尾结构的径向尺...
    2026-03-20
  • 金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构
    金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511761381.X
    本发明提供一种金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构，涉及半导体材料制备技术领域。该方法包括：在第一反应条件下，在单晶金刚石衬底上生成本征金刚石层；其中，所述第一反应条件为向所述单晶金刚石衬底所处的反应腔室内通入氢气和第一浓度的碳源气...
    2026-03-20
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