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最新专利技术
  • 一种曝光方法及曝光控制装置
    一种曝光方法及曝光控制装置_江苏影速集成电路装备股份有限公司_202511991580.X
    本发明实施例提供一种曝光方法及曝光控制装置。该曝光方法包括获取中央生产区域和边缘区域的分界线；根据所述分界线在所述中央生产区域执行第一扫描模式，在所述边缘区域执行第二扫描模式；所述第一扫描模式为正向扫描，所述第二扫描模式为正向扫描和反向扫描...
    2026-05-06
  • 针对大面积结构中结构层的制造方法
    针对大面积结构中结构层的制造方法_清华大学_202511587752.7
    本公开涉及一种针对大面积结构中结构层的制造方法，针对包括至少一个结构层的大面积结构中需要通过图案化制备的目标结构层，先在大面积结构当前已经制备好的结构层或衬底上方制备第一材料层后涂覆第一光刻胶；将第一掩膜版的图案转移到第一光刻胶上并对第一材...
    2026-05-06
  • 光刻机曝光任务管理方法、装置、光刻机及存储介质
    光刻机曝光任务管理方法、装置、光刻机及存储介质_上海新毅东半导体科技有限公司_202511584912.2
    本发明公开了一种光刻机曝光任务管理方法、装置、光刻机及存储介质。该方法包括：响应于曝光任务开始指令，从数据库中读取预先构建的多维任务表，其中，所述多维任务表包括所述曝光任务中多个曝光子任务的任务索引以及每个任务索引对应的任务流转索引，所述任...
    2026-05-06
  • 接触层OPC热点修补方法
    接触层OPC热点修补方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511484009.9
    本申请提供一种接触层OPC热点修补方法，包括：步骤S1，输入初始OPC图形；步骤S2，对输入的OPC图形进行模拟检查，得到第一标记图形、第二标记图形和第三标记图形；步骤S3，根据第一标记图形和输入的OPC图形得到面积热点OPC图形；步骤S4...
    2026-05-06
  • 校准方法、电子束曝光机、电子束曝光系统、介质及产品
    校准方法、电子束曝光机、电子束曝光系统、介质及产品_东莞泽攸科技有限公司_202511325241.8
    本申请公开了一种校准方法、电子束曝光机、电子束曝光系统、介质及产品，应用于电子束光刻技术领域。校准方法应用于电子束曝光机，电子束曝光机包括位移台和偏转线圈，校准方法包括：扫描预设标记图案，以生成第一标定图像；控制位移台移动，以使得预设标记图...
    2026-05-06
  • 一种曝光成像用的图像处理方法、系统及相关设备
    一种曝光成像用的图像处理方法、系统及相关设备_深圳市先地图像科技有限公司_202411042586.8
    本发明实施例提供了一种曝光成像用的图像处理方法、系统及相关设备，用于解决PCB板阻焊层曝光面图像涨缩变形和孔位不匹配问题。本发明实施例方法包括：获取原始点阵图像的涨缩参数；检测所述原始点阵图像中的预设图像元素的位置；所述预设图像元素为所占的...
    2026-05-06
  • 涂胶方法
    涂胶方法_宁波众芯半导体有限公司_202411028710.5
    一种涂胶方法，包括：提供待涂胶的晶圆；向所述晶圆的正面提供胶材料；旋转所述晶圆，以使得所述胶材料涂布至所述晶圆的表面，其中，在旋转所述晶圆的部分或全部时长内，对所述晶圆的边缘位置进行洗边处理，以及对所述晶圆的背面进行背洗处理；继续旋转所述晶...
    2026-05-06
  • 负性感光树脂组合物、微结构、制备方法及应用
    负性感光树脂组合物、微结构、制备方法及应用_江苏艾森半导体材料股份有限公司_202511829933.6
    本发明公开了一种负性感光树脂组合物、微结构、制备方法及应用，负性感光树脂组合物至少包括如下质量份成分：100份碱溶性树脂，5‑50质量份交联剂，0.5‑10质量份光致产酸剂，0.01‑5质量份酸扩散控制剂，适量有机溶剂；其中，所述酸扩散控制...
    2026-05-06
  • 一种含顶部涂层的光刻胶组合物及其制备方法和应用
    一种含顶部涂层的光刻胶组合物及其制备方法和应用_国科天骥(山东)新材料有限责任公司_202511778414.1
    本发明提供了一种含顶部涂层的光刻胶组合物及其制备方法和应用。本发明首次将金刚烷结构引入顶部涂层树脂中，所述含金刚烷结构的自分离顶部涂层光刻胶组合物可以简化光刻工艺，使用它可以在不额外涂敷顶部涂层的前提下精确形成图案。本发明的自分离顶部涂层光...
    2026-05-06
  • 一种极紫外光刻胶及其制备方法和应用
    一种极紫外光刻胶及其制备方法和应用_沈阳芯达科技有限公司_202511585262.3
    本发明公开了一种极紫外光刻胶及其制备方法和应用，涉及半导体工艺技术领域。所述极紫外光刻胶为碲基有机化合物薄膜，由碲的有机化合物前驱体与有机配体通过分子层沉积方法制备得到。与传统光刻胶采用液相旋涂的制备方法相比，本发明的制备方法具有耗材少、工...
    2026-05-06
  • 抗蚀剂底层组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    抗蚀剂底层组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202511065513.5
    公开一种抗蚀剂底层组合物及使用所述抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。所述抗蚀剂底层组合物包含：聚合物，包括由化学式1表示的结构单元及由化学式2表示的结构单元，其中以约13 : 1到约1 : 1的摩尔比包括由化学式1表示的结构单元及由化学式2表...
    2026-05-06
  • 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202510877813.7
    提供一种半导体光刻胶组合物及使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含：有机金属化合物；包含由化学式1表示的阴离子的盐化合物；以及溶剂。化学式1的细节如说明书中所述。化学式1
    2026-05-06
  • 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202510731815.5
    一种半导体光刻胶组合物包括：有机金属化合物；包含至少一个羧基的直链羧酸化合物；由化学式1表示的环状羧酸化合物；以及溶剂。化学式1的细节在说明书中进行阐述。一种形成图案的方法使用所述半导体光刻胶组合物。
    2026-05-06
  • 抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
    抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202510419829.3
    提供了抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法。所述抗蚀剂顶涂层组合物包括包含由化学式M‑1表示的第一结构单元和由化学式2表示的第二结构单元的聚合物以及溶剂。关于化学式的细节如说明书中所述。
    2026-05-06
  • 一种压印母模板及其制备方法
    一种压印母模板及其制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511918555.9
    本发明提供一种压印母模板及其制备方法。所述压印母模板包括依次层叠设置的基底层、图形层和等离子增强层；所述基底层的材料包括第一全氟烷氧基树脂，所述图形层的材料包括第二全氟烷氧基树脂和填料。本发明通过对压印母模板的结构以及图形层材料和基底层材料...
    2026-05-06
  • 基于方向分组索引的掩膜规则检查快速查询方法、装置、介质、程序产品及终端
    基于方向分组索引的掩膜规则检查快速查询方法、装置、介质、程序产品及终端_华芯程(杭州)科技有限公司_202610014341.7
    本申请提供的基于方向分组索引的掩膜规则检查快速查询方法、装置、介质、程序产品及终端，包括：获取光学临近修正后的掩膜图形数据，对所述掩膜图形数据进行特征提取，以获得特征线段集；对所述特征线段集中的所有线段进行方向分组处理，获得不同方向的线段子...
    2026-05-06
  • 掩膜版图及其图形添加方法
    掩膜版图及其图形添加方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411048249.X
    一种掩膜版图及其图形添加方法，掩膜版图包括：有效图形，位于所述图案区域中，且所述有效图形的延伸方向与最佳解析度方向相平行；虚拟图形，位于所述空白区域中，且所述虚拟图形的延伸方向与所述有效图形的延伸方向之间具有角度。能够让虚拟图形在其延伸方向...
    2026-05-06
  • 光刻图形补偿方法及其系统和半导体结构及形成方法
    光刻图形补偿方法及其系统和半导体结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411048234.3
    本发明实施例提供一种光刻图形补偿方法及其系统和半导体结构及形成方法，光刻图形补偿方法包括：提供半导体结构中预设的层结构图形分布，预设的层结构图形分布于不同层结构，至少包括对应第一层结构的第一图形和对应第二层结构的第二图形；进而确定用于光刻图...
    2026-05-06
  • 一种保护膜支撑框架及其贴装方法
    一种保护膜支撑框架及其贴装方法_上海高光微半导体科技有限公司_202410998276.7
    本发明提供一种保护膜支撑框架及其贴装方法，保护膜支撑框架包括垂直于第一平面的内框表面和外框表面和平行于第一平面的第一表面和第二表面；第一表面或/和第二表面设置有定形槽，定形槽的轴线与对应外框表面平行，定形槽的开口与内框表面、外框表面之间均有...
    2026-05-06
  • 光学掩膜图案的修正方法、装置、设备及存储介质
    光学掩膜图案的修正方法、装置、设备及存储介质_华芯程(杭州)科技有限公司_202610014531.9
    本发明涉及半导体光刻加工技术领域，公开了一种光学掩膜图案的修正方法、装置、设备及存储介质，该修正方法包括获得初始掩膜图案，对初始掩膜图案的轮廓边缘线进行切分，获得切分边段；对切分边段上的评价点进行对应的EPE误差运算，获得各切分边段对应的E...
    2026-05-06
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