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最新专利技术
  • 一种基于共晶和位错网调控的单晶高温合金再结晶控制方法
    一种基于共晶和位错网调控的单晶高温合金再结晶控制方法_中国科学院金属研究所_202511686944.3
    本发明属于单晶高温合金再结晶控制技术领域，公开了一种基于共晶和位错网调控的单晶高温合金再结晶控制方法。方法：步骤一：对铸态或变形的单晶高温合金样品进行宏观腐蚀处理，去除铸态或变形的单晶高温合金样品的表层共晶；步骤二：使步骤一处理后的单晶高温...
    2026-04-01
  • 一种变形诱导单晶铜取向旋转的方法
    一种变形诱导单晶铜取向旋转的方法_河南省科学院材料研究所_202511641993.5
    本发明属于金属材料的极端变形制备技术领域，具体涉及一种变形诱导单晶铜取向旋转的方法。本发明对取向为<111>的单晶铜进行压缩预变形处理，得到预变形单晶铜，将预变形单晶铜进行冲击加载处理(应变速率＜1×1044·s‑1‑1)，得到取向为<11...
    2026-04-01
  • 一种锥形单晶光纤变径生长的控制方法和系统
    一种锥形单晶光纤变径生长的控制方法和系统_山东大学_202511732427.5
    本发明涉及单晶材料技术领域，本发明提供了一种锥形单晶光纤变径生长的控制方法和系统。获取锥形单晶光纤的尺寸，将锥形单晶光纤依次划分为第一区、变径区和第二区；第一区与第二区的直径不同；通过光栅尺实时读取晶体生长界面所处位置，获取变径区长度Ltt...
    2026-04-01
  • 零维有机无机杂化卤化物闪烁体单晶、制备方法和应用
    零维有机无机杂化卤化物闪烁体单晶、制备方法和应用_南京邮电大学_202511624379.8
    本发明公开零维有机无机杂化卤化物闪烁体单晶、制备方法和应用，属于X射线激发闪烁体材料技术领域；闪烁体单晶化学式为：C4646H4848P22Cu44I66，其分子量为1678.34，晶系为三斜，空间群为P‑1；单胞参数如下：a＝11.102...
    2026-04-01
  • 碳化硅外延炉的气路系统和气源控制方法
    碳化硅外延炉的气路系统和气源控制方法_深圳市重投天科半导体有限公司_202512022773.0
    本申请公开了一种碳化硅外延炉的气路系统和气源控制方法，碳化硅外延炉的气路系统包括：第一运行管、第二运行管、第一旁通管、第二旁通管、硅源输送管、碳源输送管、混合单元、第一阀组件、掺杂气源输送管和第二阀组件，混合单元混合硅源和碳源以获得混合生长...
    2026-04-01
  • 一种钼铬酸锂单晶、其制备方法及滤光片
    一种钼铬酸锂单晶、其制备方法及滤光片_安徽工业大学_202610003374.1
    本发明公开了一种钼铬酸锂单晶、其制备方法及滤光片，属于光学材料技术领域。本发明中的钼铬酸锂单晶，其化学通式为Li22CrxxMo1‑x1‑xO44，其中0.005≤x≤0.5，其为三方晶系，空间群为R，在波长500 nm以下呈截止吸收，在5...
    2026-04-01
  • 钒酸铋晶体材料、铬酸铅晶体材料、铁酸锌晶体材料及半导体材料的制备方法
    钒酸铋晶体材料、铬酸铅晶体材料、铁酸锌晶体材料及半导体材料的制备方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511383324.2
    本申请公开了一种钒酸铋晶体材料、一种铬酸铅晶体材料、一种铁酸锌晶体材料以及一种半导体材料的制备方法。本申请提供了一种在超重力场下实现半导体晶体学参数的变化并且改变其金属和氧元素之间的键长键角(M‑O)的改变从而影响晶体的吸光范围的方法并且提...
    2026-04-01
  • 一种高电压单晶正极材料及其制备方法和应用
    一种高电压单晶正极材料及其制备方法和应用_陕西彩虹新材料有限公司_202511582878.5
    本发明公开了一种高电压单晶正极材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。上述制备方法包括以下步骤：以具有多孔结构的金属有机框架物MOFs为模板，采用溶剂热法在模板的孔道内负载三元前驱体，制得负载后的MOFs；将负载后的MOFs与锂源混...
    2026-04-01
  • 一种双折射晶体及其制备方法和应用
    一种双折射晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511654054.4
    本发明属于双折射晶体材料技术领域，具体涉及一种双折射晶体及其制备方法和应用。所述双折射晶体的化学式为Na66[ZnF22(B1212O2424H66)]，属于三方晶系，空间群为R‑3c，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°。本发明...
    2026-04-01
  • 一种单晶炉、晶棒的制备方法及硅片
    一种单晶炉、晶棒的制备方法及硅片_青海晶科能源有限公司_202511729939.6
    本申请涉及晶棒生产技术领域，尤其涉及一种单晶炉、晶棒的制备方法及硅片。单晶炉包括炉体和稳流装置，炉体的喉口位置设置有第一配气孔，通过第一配气孔向炉体内通入第一保护气体和掺杂气体。稳流装置安装于炉体内的喉口处，稳流装置连通第一配气孔与炉体的内...
    2026-04-01
  • 基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备
    基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511618385.2
    本发明提供了一种基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在直拉单晶硅放肩过程中出现放肩不正常的情况下，获取所述直拉单晶硅放肩过程中的第一放肩参数，所述第一放肩参数用于表示所述直拉单晶硅在放肩过程...
    2026-04-01
  • 高确定性单晶锂金属负极的制备方法
    高确定性单晶锂金属负极的制备方法_南开大学_202511420244.X
    本发明涉及一种高确定性单晶锂金属负极制备方法及其在电化学储能中的应用，属于金属电池材料技术领域。针对现有技术难以精准调控单晶锂金属负极晶面的问题，本发明提出了一种基于预织构化与晶界迁移的单晶化策略。具体而言：该方法首先通过晶粒取向调控，实现...
    2026-04-01
  • 一种高尔夫球座纳米柱阵列金刚石反射镜加工方法
    一种高尔夫球座纳米柱阵列金刚石反射镜加工方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511296247.7
    本发明公开了一种“高尔夫球座”纳米柱阵列金刚石反射镜加工方法，其包括以下步骤：步骤S1 : 分析获取多晶金刚石光学参数，并构建“高尔夫球座”纳米柱阵列三维模型；步骤S2：采用光刻和各向异性刻蚀方法在单晶硅衬底制备出“高尔夫球座”纳米孔阵列；...
    2026-04-01
  • 半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品
    半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品_上海车仪田科技有限公司_202512035147.5
    本申请提供了一种半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请通过基于当前工艺参数和预存气体分子光谱吸收数据库计算气相组分的吸收特性参数，并进一步得到探测光路的气相透射率，对半导体外延生长过程中的实测...
    2026-04-01
  • 二维CsxRb1-xPbBr3单晶纳米片及其制备方法
    二维CsxRb1-xPbBr3单晶纳米片及其制备方法_河北大学_202511760469.X
    本发明提供了一种二维CsxxRb1‑x1‑xPbBr33单晶纳米片及其制备方法。本发明针对CsBr和RbBr挥发性差异及Cs++与Rb++离子半径失配的问题，开发了分区温度协同控制与多参数优化的化学气相沉积工艺，首次实现了全组分范围内高质量...
    2026-04-01
  • 一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统
    一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511637254.9
    本发明公开了一种轻掺硼衬底高阻外延片的生产方法及系统，属于生产控制技术领域，该方法包括：基于废气离子浓度计算废气残留指数，若连续多个废气残留指数出现异常时，更新分层状态观测器的模型参数，否则将在线监测数据输入至分层状态观测器中，获得晶圆生长...
    2026-04-01
  • 内衬和半导体工艺腔室
    内衬和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411040009.5
    本发明公开一种内衬和半导体工艺腔室，半导体工艺腔室包括腔体和设置在腔体内的支撑座，内衬包括：内衬本体，用于设置在腔体内且环绕支撑座设置，内衬本体开设有第一进气通道；隔挡件，第一进气通道通过隔挡件被分隔为多个进气子通道，多个进气子通道沿内衬本...
    2026-04-01
  • 一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜
    一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜_中国南方电网有限责任公司_202511572337.4
    本申请涉及一种柔性薄膜制备方法及柔性薄膜。所述方法包括：提供一单晶衬底；在单晶衬底上外延生长一水溶性牺牲层；在水溶性牺牲层上外延生长单晶钴酸镍薄膜；将生长有单晶钴酸镍薄膜的样品浸入目标溶剂中，使水溶性牺牲层溶解后，单晶钴酸镍薄膜从单晶衬底上...
    2026-04-01
  • 一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法
    一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法_嘉兴鬃晶科技有限公司_202511889605.5
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种高净度大尺寸碳化硅晶体生长方法，将SiC 粉末放入石墨坩埚中生长，SiC 粉末在放入石墨坩埚前进行预处理：控制SiC 粉末中受主杂质总浓度Naa与施主杂质浓度Ndd满足：0.8Ndd≤ Naa≤ 1.2...
    2026-04-01
  • 一种碳化硅生长炉
    一种碳化硅生长炉_连科半导体有限公司_202511618177.2
    本发明属于晶体加工技术领域，具体的说是一种碳化硅生长炉，包括设备主体，设备主体顶端的一侧安装有炉体，炉体内部的中部固定有内胆，内胆的外部固定有加热器，设备主体靠近炉体的一侧固定有支撑杆，支撑杆的外部套设有升降架，升降架的一侧固定有密封盖，支...
    2026-04-01
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