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最新专利技术
  • 一种升降膜组合蒸发结晶制备磷酸二氢锂的方法
    一种升降膜组合蒸发结晶制备磷酸二氢锂的方法_湖北三峡实验室_202511655994.5
    本发明属于锂电正极材料制备技术领域，具体涉及一种升降膜组合蒸发结晶制备高纯磷酸二氢锂的方法。本方法提出“碳酸钠梯度除杂‑升降膜分段结晶”的全流程解决方案：分两段添加Na22CO33并控制pH梯度；基于溶液浓度差异，用升膜蒸发器(TA2钛合金...
    2026-03-10
  • 一种利用溶剂溶胀性温和剥离体相C3N4的方法
    一种利用溶剂溶胀性温和剥离体相C3N4的方法_武汉纺织大学_202511467275.0
    本发明公开了一种利用溶剂溶胀性温和剥离体相C33N44的方法，属于氮化碳材料技术领域。本发明提供的方法利用块体g‑C33N44在溶剂中会发生溶胀效应且溶胀效应会随着剥离溶剂的极性增加而增强，使之表面暴露更多的活性位这一特性，得到了一种催化活...
    2026-03-10
  • 一种基于三维立体多孔结构的氮化硼气凝胶材料及其制备方法与应用
    一种基于三维立体多孔结构的氮化硼气凝胶材料及其制备方法与应用_内蒙古科技大学_202511625405.9
    本发明属于气凝胶材料技术领域，具体涉及一种基于三维立体多孔结构的氮化硼气凝胶材料及其制备方法与应用，所述基于三维立体多孔结构的氮化硼气凝胶材料的制备方法包括：S1、反应溶液的制备：将硼酸与三聚氰胺溶解于溶剂中，得到反应溶液；S2、水凝胶的制...
    2026-03-10
  • 亚纳米过渡金属氮化物纳米线的通用合成方法及其SERS应用
    亚纳米过渡金属氮化物纳米线的通用合成方法及其SERS应用_中国质量检验检测科学研究院_202511796430.3
    本发明公开了一种亚纳米过渡金属氮化物纳米线的通用合成方法，包括如下步骤：(1)W1818O4949一维介晶的制备；(2)金属氧化物前驱体的离子交换制备：将W1818O4949一维介晶分散于金属离子乙醇溶液中，搅拌进行离子交换反应，得到一维纳...
    2026-03-10
  • 三维花球状硫硒化钼储能材料及制备方法、混合离子电解液、镁/锂混合离子电池
    三维花球状硫硒化钼储能材料及制备方法、混合离子电解液、镁/锂混合离子电池_安徽建筑大学_202511779965.X
    本发明涉及新能源储能技术领域，具体地说，涉及三维花球状硫硒化钼储能材料及制备方法、混合离子电解液、镁/锂混合离子电池。本发明中，通过水热反应同步硫化与硒化，制备出具有三维球形微花结构的MoSSe正极材料；同时，在以苯基氯化镁为镁源、氯化锂为...
    2026-03-10
  • 一种N型铜基缺陷型类金刚石结构化合物的制备方法和应用
    一种N型铜基缺陷型类金刚石结构化合物的制备方法和应用_闽都创新实验室_202511665428.2
    本发明公开一种N型铜基缺陷型类金刚石结构化合物的制备方法和应用。该制备方法包括如下步骤：S1：称量：将原料Cu单质、Ga单质、Sn单质和Se单质按照Cu：Ga：Sn：Se=1：1：1：4的摩尔比例称量并混合均匀；S2：球磨：将步骤S1中称量...
    2026-03-10
  • 一种焚硫制酸系统及其工艺
    一种焚硫制酸系统及其工艺_中天钢铁集团(南通)有限公司_202511682094.X
    本发明公开了一种焚硫制酸系统及其工艺，包括硫磺干粉料斗、焚硫炉、余热锅炉、空气鼓风机与翅片散热器，硫磺干粉料斗与焚硫炉的进料口通过输送装置连通，焚硫炉的高温炉气出口与余热锅炉连通，余热锅炉的蒸汽出口分别连通至外部以及除氧器，除氧器的高温冷凝...
    2026-03-10
  • 一种硫磺回收装置及其绿色停工方法
    一种硫磺回收装置及其绿色停工方法_洛阳瑞昌环境工程有限公司_202411040292.1
    本发明提供一种硫磺回收装置及其绿色停工方法，所述装置包括依次连接的制硫单元、加氢还原单元、吸收再生单元、尾气焚烧单元；其中，所述制硫单元包括燃烧炉主烧嘴、燃烧炉、余热锅炉、一级冷凝器、一级再热器、一级反应器、二级冷凝器、二级再热器、二级反应...
    2026-03-10
  • 一种基于液氧源的臭氧发生器的智能供氧系统及其方法
    一种基于液氧源的臭氧发生器的智能供氧系统及其方法_广州汇智源环保科技有限公司_202511866900.9
    本发明涉及智能供氧技术领域，尤其涉及一种基于液氧源的臭氧发生器的智能供氧系统及其方法，该智能供氧系统包括：液氧储存装置、气化装置、臭氧发生器、臭氧和氧气分离系统、高压氧气能量回收系统、压力测控系统和智能控制系统。本发明通过数据互联与协同控制...
    2026-03-10
  • 一种乙锗烷的制备方法及装置
    一种乙锗烷的制备方法及装置_广东华特气体股份有限公司_202511800504.6
    本发明涉及特种气体制备领域，主要涉及一种乙锗烷的制备方法，包括将锗烷在电场电离作用下生成GeH33自由基，然后通过所述GeH33自由基偶联生成 Ge22H66的步骤。通过电离作用使锗烷变成GeH33自由基、一个e‑‑和一个H自由基，随后自由...
    2026-03-10
  • 一种焦炉煤气与超限转炉煤气制备合成气的方法及系统
    一种焦炉煤气与超限转炉煤气制备合成气的方法及系统_中冶南方都市环保工程技术股份有限公司_202511502085.8
    本发明公开一种焦炉煤气与超限转炉煤气制备合成气的方法及系统。该方法包括以下步骤：焦炉煤气和超限转炉煤气混合，得到原料混合气；对原料混合气进行预处理，得到预处理混合气；对预处理混合气进行预热，随后在催化剂的作用下进行联合重整反应，得到合成气。...
    2026-03-10
  • 一种无需预热的甲烷重整工艺方法和系统
    一种无需预热的甲烷重整工艺方法和系统_高潞空气化工产品(上海)能源科技有限公司_202511645009.2
    本发明提供一种无需预热的甲烷重整工艺方法和系统，所述方法包括以下步骤：将原料气经预处理操作后得到预处理原料气，将预处理原料气经一体式烧嘴通入重整自热炉；将氧气经一体式烧嘴通入重整自热炉，在催化剂的存在下进行重整反应得到粗合成气；将粗合成气经...
    2026-03-10
  • 一种甲烷裂解联产氢气和碳材料的工艺和系统
    一种甲烷裂解联产氢气和碳材料的工艺和系统_中国科学院上海高等研究院_202511511022.9
    本发明涉及一种甲烷裂解领域，特别是涉及一种甲烷裂解联产氢气和碳材料的工艺和系统，所述甲烷裂解联产氢气和碳材料的工艺包括如下步骤：S1.第一股原料气经第一反应器发生甲烷裂解反应得到第一混合气和第一碳材料；S2.第二股原料气与步骤S1中生成的第...
    2026-03-10
  • 一种由氰基桥联高熵材料及其制备方法和应用
    一种由氰基桥联高熵材料及其制备方法和应用_浙江工业大学_202511540059.4
    本发明公开了一种由氰基桥联高熵材料及其制备方法和应用。由氰基桥联的高熵材料的制备方法包括如下步骤：步骤1：将乙酸锰、乙酸钴、乙酸铜、乙酸锌溶解在超纯水中，加入PVP、柠檬酸钠制成A液；步骤2：将镍氰酸钾溶在超纯水里配成B液，待溶解后将B液倒...
    2026-03-10
  • 一种储氢材料及其制备方法和应用
    一种储氢材料及其制备方法和应用_聚孔(上海)新材料科技有限公司_202511910837.4
    本发明涉及化工材料技术领域，公开了一种储氢材料及其制备方法和应用。该方法包括：(1)在溶剂存在下，将二羟基对苯二甲酸和金属盐进行混合反应，得到金属有机骨架；所述金属盐为锌盐和/或镍盐；(2)在粘结剂存在下，将所述金属有机骨架与碳分子筛进行混...
    2026-03-10
  • 一种复合储氢材料及其制备方法和应用
    一种复合储氢材料及其制备方法和应用_云南电网有限责任公司电力科学研究院_202511631302.3
    本发明属于储氢材料技术领域，尤其涉及一种复合储氢材料及其制备方法和应用。一种复合储氢材料，由AB22型Laves相合金与BCC结构钒基固溶体合金复合而成；其中，所述AB22型Laves相合金与所述BCC结构钒基固溶体合金在结构上相互独立；所...
    2026-03-10
  • 一种多层通孔片结构及其制备方法
    一种多层通孔片结构及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202411038382.7
    本发明公开了一种多层通孔片结构及其制备方法，包括以下步骤：第一待键合通孔片的第一键合面上形成有第一保护膜层，第二键合面上依次形成有第二保护膜层和静电膜层；湿法腐蚀去除所述第一保护膜层；去除所述静电膜层；通过所述第一键合面将所述第一待键合通孔...
    2026-03-10
  • 一种用于压电叠层结构的MEMS芯片制备方法
    一种用于压电叠层结构的MEMS芯片制备方法_合肥领航微系统集成有限公司_202511858209.6
    本发明公开一种用于压电叠层结构的MEMS芯片制备方法，包括：准备有正、背面的基底，在其正面生长压电层；准备衬底并贯穿开设引线通道；将所述衬底键合于所述压电层远离所述基底的表面；减薄基底；刻蚀衬底形成背腔，为振膜提供振动空间。本发明简化传统压...
    2026-03-10
  • 一种基于压电叠层结构的MEMS芯片制备方法
    一种基于压电叠层结构的MEMS芯片制备方法_合肥领航微系统集成有限公司_202511857445.6
    本发明公开了一种基于压电叠层结构的MEMS芯片制备方法，包括步骤，准备基底，所述基底具有相对的正面及背面，在所述基底的正面生长压电层；在所述压电层远离所述基底的表面临时键合刚性载体；减薄所述基底，贯穿基底开设引线通道；准备衬底，贯穿所述衬底...
    2026-03-10
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511604944.4
    本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其中方法包括：提供半导体结构；在半导体结构上形成覆盖铝铜合金层的保护层；在保护层上形成光刻胶层，通过曝光、显影使得光刻胶层被图案化；以图案化后的光刻胶层为掩膜对保护层和导电层进行刻蚀，以...
    2026-03-10
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