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  • 本发明公开了一种基于红外传感器与坐标轴位置结合的晶圆映射方法及系统,方法包括步骤:S1、调整红外传感器设备水平,使红外传感器的红外感应灯垂直对准红外反光板;S2、调整片盒料架水平,使片盒内任意一片晶圆的水平偏差控制在预设要求以内;S3、取两...
  • 本发明提供了一种加热盘温度的监控方法,一种加热盘温度的监控装置,以及一种计算机可读存储介质。所述加热盘温度的监控方法包括以下步骤:在多个时刻,分别获取位于加热盘中心区域的第一加热丝两端的第一电压和第一电流,以及位于所述加热盘边缘区域的第二加...
  • 本公开提供了一种晶圆标片洗边偏移量的检测方法及晶圆标片,涉及半导体技术领域,用于实现晶边洗边边界的精准检测,进而提升产品良率;其中,所述晶圆标片洗边偏移量的检测方法,包括沿所述晶圆标片的边缘区域周向间隔设置有多组标识,每组所述标识包括多个子...
  • 本申请公开了晶圆加工设备,涉及晶圆加工的技术领域。一种晶圆加工设备,包括工作台,所述工作台安装有输送件,所述输送件上安装有用于承托并限定晶圆位置的装载装置;所述输送装置一侧依次设有上料装置、切割装置和清洗干燥装置。本申请能尽量防止晶圆被切割...
  • 本发明涉及电子封装技术领域,具体公开了一种金属封装盖板密封自动化焊接装置,包括第一底座和第三底座,所述第一底座上设置有连接柱, 所述连接柱上设置有旋转装置, 所述旋转装置输出端设置有固定架, 所述固定架上固定连接有工作台, 所述工作台内设置...
  • 本发明公开了一种晶圆存放装置的晶圆检测方法,基于晶圆存放装置,所述晶圆存放装置能存储M种尺寸的晶圆,M≥2,晶圆存放装置包括存储架和检测机构,存储架包括位于前方的开口和沿上下方向等距布置有多组支撑组件,检测机构包括固定在存储架且沿上下方向分...
  • 本申请涉及一种晶圆工艺污染溯源系统、方法和存储介质,其中,该晶圆工艺污染溯源系统包括:智能监测模块,包括明场暗场监测单元和拉曼监测单元;明场暗场监测单元用于从晶圆中确定缺陷密度、缺陷区域和缺陷模式;拉曼监测单元响应于缺陷密度或所述缺陷模式,...
  • 本申请涉及一种监控ISSG工艺膜厚方法和存储介质,其中,该监控ISSG工艺膜厚方法包括:采用ISSG工艺在测试晶圆表面沉积氧化硅薄膜;基于沉积后的氧化硅薄膜,得到膜厚对温度的敏感度;基于该敏感度,调整ISSG制程工艺机台的工艺参数,使沉积得...
  • 本申请提供一种镍金属硅化物退火机台的监控方法,包括:步骤一,提供硅基体,在硅基体上外延生长锗硅层;步骤二,在锗硅层上依次沉积镍金属层和氮化钛保护层;步骤三,实施快速热退火,使镍金属层的一部分和锗硅层的一部分发生反应形成镍金属硅锗化物层;步骤...
  • 本申请公开了一种自动真空贴膜机,涉及半导体制造中的晶圆处理技术领域,改善了传统贴膜方式中压力不均而引起贴合不良的问题,其包括工作台、贴膜装置、真空吸附单元、负压系统、控制系统;真空吸附单元包括下底壳和开合于下底壳的上顶盖,下底壳的上表面设有...
  • 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。处理基板的基板处理装置包含:处理罐,其贮存用于对基板进行蚀刻的蚀刻液;基板支架,其保持基板,并将基板浸渍于贮存在处理罐的蚀刻液;蚀刻液供给部,其配置于处理罐,并向处理罐的内部供给蚀刻液,蚀刻液供给部至...
  • 本发明的衬底处理装置具备腔室、衬底保持部及移动机构。腔室收纳衬底。衬底保持部配置在腔室内,逐片保持衬底。移动机构使衬底保持部移动。衬底保持部具有与衬底接触的夹盘销。移动机构在腔室内,使衬底保持部在通过处理液处理衬底的至少1个处理位置与洗净夹...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置,其具备腔室、衬底保持部、及回转机构。腔室具有使内部与外部连通且供衬底搬入及搬出的开口。衬底保持部配置在腔室内,逐片保持衬底。回转机构通过使衬底保持部回转,而在腔室内,使衬底保持部在利用处理液对衬底进行处理的多个处...
  • 本发明的衬底处理装置具备处理模块及搬送模块。处理模块具有上衬底保持部、移动机构、处理杯列及升降机构。上衬底保持部水平保持衬底。移动机构使上衬底保持部在第1方向上移动,所述第1方向是与衬底在搬送模块与处理模块之间移动的方向平行的方向。处理杯列...
  • 本发明的衬底处理装置具备处理模块及搬送模块。处理模块具有上衬底保持部、多个处理杯部、移动机构及升降机构。上衬底保持部水平保持衬底。多个处理杯部排列在交叉方向上,所述交叉方向与衬底在搬送模块与处理模块之间移动的方向交叉。移动机构使上衬底保持部...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置,所述衬底处理装置具备腔室、衬底保持部、及回转机构。腔室具有连通内部与外部供衬底搬入的第1开口,及连通内部与外部供衬底搬出的第2开口。衬底保持部配置在腔室内,逐片保持衬底。回转机构通过使衬底保持部回转,而在腔室内,...
  • 提供高速地进行中间室气氛气体置换的基板处理系统及物品制造方法。基板处理系统具备:具有第1室的第1容器;具有第2室的第2容器;具有中间室的中间容器;形成气体经第1室循环的气体流路和气体经中间室循环的气体流路的第1循环配管;从第1循环配管回收气...
  • 本发明提供一种基板处理装置和异常探测方法,能够高精度地探测与漏液有关的异常。基板处理装置具备腔室、喷嘴、测定部、流路开闭部以及控制部。腔室能够收容基板。喷嘴设置于腔室内,朝向基板供给处理液。测定部向基板投射光,并测定来自基板的反射光的强度。...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置,具备第1衬底处理部与搬送机构。第1衬底处理部通过将铅直姿势的衬底浸渍于第1处理液,来逐片处理衬底。搬送机构接收水平姿势的衬底,将衬底的姿势从水平姿势变更为铅直姿势,并将铅直姿势的衬底搬入第1衬底处理部。第1衬底处...
  • 提供处理系统、基板处理装置、处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品,能够在阀被设定为开的情况下获知会受到被设定为开的阀的影响的其他阀的开闭状态的匹配性。具备:显示部,其具有能够对定义了基板的处理条件的配方进行编辑的显示区域,在上述显示区域...
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