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最新专利技术
  • 半导体装置和摄像装置
    半导体装置和摄像装置_索尼半导体解决方案公司_202480042466.X
    半导体装置包括：MIM结构体，其包括下部电极和上部电极；上部配线层；和通孔，其连接所述上部电极和所述上部配线层。所述上部配线层包括：第一配线图案，其以不覆盖所述通孔的方式延伸；和第二配线图案，其宽度比所述第一配线图案的宽度窄，并且其以覆盖所...
    2026-01-30
  • 在不使用牺牲焊盘的情况下实现微凸块架构以用于探测晶片
    在不使用牺牲焊盘的情况下实现微凸块架构以用于探测晶片_微软技术许可有限责任公司_202480043476.5
    描述了用于在不使用牺牲焊盘的情况下实现微凸块架构以用于探测晶片的方法。一种方法包括形成：(1)根据指定的第一直径的第一凸块，以及(2)根据小于指定的第一直径的指定的第二直径的第一凸块集合。第一凸块被用于探测晶片的与第一凸块集合相关联的部分。...
    2026-01-30
  • 载置台和等离子体处理装置
    载置台和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480043300.X
    一种载置台，其具有：板状部件，其具有能够载置基片的载置面和与所述载置面相反的一侧的背面，且形成有贯穿所述载置面和所述背面的贯通孔；和埋入部件，其配置在所述贯通孔的内部，所述埋入部件沿着该埋入部件的轴向包括：第一部件，其具有正的热膨胀率；和第...
    2026-01-30
  • 静电卡盘
    静电卡盘_巴川集团股份有限公司_202480043210.0
    静电卡盘(1)具备：用于吸附被吸附物的基板(2)；支承基板(2)的基台；和将基板(2)粘接于基台(3)的粘接层(4)。粘接层(4)具有位于基板(2)的中央侧的第1粘接层(4a)和位于比第1粘接层(4a)靠近基板(2)的端部侧的第2粘接层(4...
    2026-01-30
  • 用于DRAM的稳健的图像到设计对准
    用于DRAM的稳健的图像到设计对准_科磊股份有限公司_202480044313.9
    提供用于半导体应用的对准的方法及系统。一种方法包含通过分别用不同对准方法将由成像子系统产生的形成在样品上的对准目标的多个例子的图像单独对准到所述对准目标的所渲染图像来针对所述对准目标的所述多个例子确定不同对准到设计偏移。所述方法还包含识别在...
    2026-01-30
  • 用于机器人校准的系统和方法
    用于机器人校准的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480042942.8
    本公开提供了一种校准衬底输送装置的方法，所述衬底输送装置包括：第一衬底支撑件和第二衬底支撑件、与所述第一衬底支撑件相关联的第一机器人臂、以及与所述第二衬底支撑件相关联的第二机器人臂，其中，所述第一衬底支撑件设置有第一传感器，所述第一传感器是...
    2026-01-30
  • 用于调试半导体加工工具的移动车
    用于调试半导体加工工具的移动车_应用材料公司_202480044714.4
    用于调试半导体加工工具的方法和设备包括将移动设施车连接到半导体加工工具；将来自所述移动设施车的设施提供给半导体加工工具；以及使用通过所述连接的移动设施车提供的设施操作所述半导体加工工具。
    2026-01-30
  • 用于关于处理腔室对准的夹具以及相关装置、系统和方法
    用于关于处理腔室对准的夹具以及相关装置、系统和方法_应用材料公司_202480042999.8
    一种对准组件包括传感器和盖，所述盖包括第一窗口。所述对准组件还包括旋转接头，所述旋转接头耦接到所述盖。所述对准组件还包括夹具，所述夹具耦接到所述旋转接头并且可绕着所述旋转接头相对于所述盖枢转。所述夹具包括可延伸臂，所述可延伸臂可从缩回位置移...
    2026-01-30
  • 有轨台车系统
    有轨台车系统_村田机械株式会社_202480042484.8
    本发明提供一种有轨台车系统(1)，其具备：异常区间推定部(83)，其推定发生异常的区间即异常区间；路径生成部(85)，其生成将由异常区间推定部(83)所推定的多个异常推定区间加以连接的检查路径；检查台车(60)，其具有可获取自车的位置信息的...
    2026-01-30
  • 晶圆保持器
    晶圆保持器_意发科技股份有限公司_202480044697.4
    一种待被安装至真空晶圆处理腔的晶圆保持器和处理装置，包括：·具有环形表面的基座装置；·金属圆形晶圆承载板，其居中地安装在相对于所述环形表面的中心对中的驱动轴上，所述驱动轴与承载板一起能够绕穿过所述环形表面的所述中心的旋转轴线Z相对于所述基座...
    2026-01-30
  • 工艺条件测量装置的制造及实施方法
    工艺条件测量装置的制造及实施方法_科磊股份有限公司_202480043680.7
    一种工艺条件测量装置可包含由底部衬底、间隔件及盖制成的衬底。所述工艺条件测量装置可包含组件。所述组件可安置于由所述底部衬底界定的腔及由所述间隔件界定的通孔内。所述盖可安置于所述组件上方且覆盖所述组件。所述盖可为全盖或部分盖。所述组件也可安置...
    2026-01-30
  • 基于重迭误差测量的基板应力均匀性管理
    基于重迭误差测量的基板应力均匀性管理_应用材料公司_202480043493.9
    一种方法包括透过处理装置取得指示基板的重迭误差的第一数据。所述方法进一步包括基于所述第一数据产生指示所述基板的第一应力均匀性的第二数据。所述方法进一步包括基于所述第二数据实行校正动作。
    2026-01-30
  • 电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法
    电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法_株式会社村田制作所_202480042889.1
    本发明提供一种电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法。电子部件(60)的搭载装置(10)具备工作台(11)、搭载头(21)、红外线相机(41)以及第一红外线源(31)。工作台(11)具有能够载置基板(50)的主面(11A)。搭载头(21)...
    2026-01-30
  • 处理系统和处理方法
    处理系统和处理方法_东京毅力科创株式会社_202480042828.5
    一种处理系统，对第一基板和第二基板接合而成的重合基板进行处理，该处理系统包括：激光照射装置，其对所述重合基板进行处理；以及搬送装置，其搬送所述重合基板，其中，所述激光照射装置包括探测机构，所述探测机构在与所述搬送装置之间进行所述重合基板的交...
    2026-01-30
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480042432.0
    提供一种可有效地降低图案的倒塌率的技术。基板处理方法具备保持工序、液体供给工序、干燥液供给工序及干燥工序。在保持工序中，保持具有形成有图案的第1主面及与第1主面相反侧的第2主面的基板。在液体供给工序中，对基板的上述第1主面供给处理液。在干燥...
    2026-01-30
  • 等离子体处理方法以及等离子体处理装置
    等离子体处理方法以及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480042358.2
    本发明高效地对腔室内的配件进行清洁。一种由等离子体处理装置执行的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具备：腔室；基板支承部，配置在所述腔室的内部；上部电极，与所述基板支承部的基板支承面对置；电磁铁，配置在所述腔室的上部；等离子体源，构成为在...
    2026-01-30
  • 晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法
    晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法_RNR实验室公司_202480042535.7
    公开晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法。所公开的晶圆结构体的激光热处理方法可包括如下步骤：准备整体结构为圆形或至少一部分结构为圆形的晶圆结构体；利用掩膜部件暴露所述晶圆结构体的一面部并掩蔽所述晶圆结构体的周围区域，所述...
    2026-01-30
  • 氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法
    氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480043132.4
    提供电特性良好的晶体管。提供通态电流大的晶体管。提供寄生电容小的晶体管。提供能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。一种包含铟、锌及元素M的氧化物半导体层，元素M为镓、锡和钇中的一个以上，氧化物半导体层包括第一区域、第一区域...
    2026-01-30
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480042487.1
    基板接合装置1具有：等离子体处理单元2p；负载锁定室12，被搬入应在等离子体处理单元2p处理的基板W；解除负载锁定室14，被搬入已经被等离子体处理单元2p处理过的基板W；第一搬运机器人R1，将第一基板W1以及第二基板W2同时搬入负载锁定室1...
    2026-01-30
  • 介电元件及其制造方法
    介电元件及其制造方法_国立研究开发法人产业技术综合研究所_202480043375.8
    该介电元件具备衬底；基底层，配置于衬底上；以及氮化物薄膜，配置于基底层上，基底层由选自稀土元素中的任一种元素构成，氮化物薄膜含有钪、以及周期表中的第十三族元素和第十五族元素。
    2026-01-30
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