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  • 本申请提供一种半导体器件及基于其的接合状态检测方法,包括:第一半导体衬底,第一半导体衬底上设置有第一测试结构,第一测试结构包括间隔设置的多个第一金属块,多个第一金属块沿着预定排布路径依次间隔排布;第二半导体衬底,第二半导体衬底上设置有第二测...
  • 本发明公开了一种HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构,第一测试区域中包括多条平行排列的第一栅极条形;各第一栅极条形包括第一P型栅极段和两端的第一N型栅极段;第一N型栅极段的伪多晶硅栅去除工艺是在第一P型栅极段形成之后进行。在靠近P型和N型栅...
  • 本申请公开了一种晶圆背面清洗机台的监控方法,包括:提供形成有PN结导通回路的测试晶圆,测试晶圆包括顶部的层间介质层,层间介质层中形成有若干接触孔一,在层间介质层上形成有金属间介质层,金属介质层中形成有一一对应于接触孔一的顶层金属,顶层金属通...
  • 本发明实施例提供一种半导体结构的检测方法以及测试元件组,该半导体结构的检测方法包含提供测试元件组,测试元件组包含多个隔离结构以及设置于各隔离结构之中的第一字元线及第二字元线,其中第一字元线及第二字元线分别位于各隔离结构的两侧;对测试元件组执...
  • 本发明公开了一种多功能晶圆检测设备,该设备包括边缘检测模组、机器人、两套并行设置的宏观检测单元以及微观检组件。机器人设于边缘检测模组侧方以转移晶圆。每套宏观检测单元均包含中转机构、旋转转移晶圆机构、外部夹持机构、内部夹持机构和拍照模组。其中...
  • 本发明公开了一种用于半导体的故障检测与分类系统,涉及故障检测技术领域,通过传感器实时采集半导体工艺参数的原始数据;并将采集的原始数据按预定时间段切分为多个子步骤的数据段;根据各数据段的分布特征数据分布特征指数;根据分布特征指数,择对应的特征...
  • 本发明涉及半导体器件制备及测试技术领域,特别是涉及一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法。上述N阱与深P阱结测试结构在N阱和P阱之间设计了一种特殊深沟槽结构,该深沟槽结构恰好由所述N型外延层表面穿透至所述深P阱层内,使得N阱电流只能...
  • 本发明提供了一种硅片缺陷检测方法及装置,属于半导体制造技术领域。该方法包括:对待测硅片的第一部分进行第一刻蚀处理后进行LDP检测,以确定待测硅片是否存在LDP缺陷;在待测硅片不存在LDP缺陷的情况下,对待测硅片的第二部分进行第二刻蚀处理后进...
  • 本发明公开了一种基于大数据的集成电路设备数据优化监测系统及方法,涉及集成电路制造技术领域。用于解决等离子体蚀刻中多物理场监测不足、异常溯源难及闭环控制缺失问题。通过采集射频反射相位、质谱离子强度及晶圆温度数据,构建等离子体鞘层厚度反演模型与...
  • 本发明公开了一种晶圆夹持机构,属于半导体制造装备技术领域。该晶圆夹持机构包括外部夹持机构、内部夹持机构和旋转转移晶圆机构。内部夹持机构将升降、偏转、俯仰和旋转四种运动功能集成于一体。其中,齿轮驱动电机通过齿轮齿条副驱动L形连杆轴轴向移动,再...
  • 本发明涉及有机发光二极管显示技术领域,本发明公开了一种适用于大尺寸基板升降机构及吸附承载机构,一种适用于大尺寸基板的升降机构,包括底座、驱动组件、基底和多孔陶瓷板;驱动组件设于底座,基底受驱动组件驱动做直线运动,且基底上开设有贯通的第一吸附...
  • 本申请公开了一种晶圆用拆装芯片系统,包括工作台、晶圆吸附驱动装置、芯片吸附驱动装置以及芯片收集盒。晶圆吸附驱动装置设于工作台,用于吸附固定晶圆并驱动晶圆在X轴方向和Y轴方向上移动。芯片吸附驱动装置与工作台连接并位于晶圆吸附驱动装置上方,用于...
  • 本发明提出了一种半导体真空环境用托盘夹持翻转机构,涉及半导体技术领域。一种半导体真空环境用托盘夹持翻转机构,包括工作台、夹持机构和翻转机构。夹持机构包括两个对称设置于上述工作台上的夹臂和两个位于同一直线上的直线移动模组。两个上述夹臂一一对应...
  • 本发明公开了一种晶圆载片台,包括微调平台,微调平台上固定安装有基准架,基准架上滑动安装有固定架,固定架内套装、且固定安装有中间衔接架,中间衔接架内套装有调节架,调节架的外壁与中间衔接架的内壁为球面配合,且中间衔接架与调节架之间设有气吸式固定...
  • 本发明公开了一种晶圆载盘组件和半导体器件的加工设备。该晶圆载盘组件包括载盘本体,用于承托晶圆进行工艺处理,所述晶圆载盘组件还包括:边缘环,设于所述载盘本体的上方,其内边缘延伸部向所述边缘环的中心延伸,以遮挡所述晶圆边缘,其中,所述内边缘延伸...
  • 本发明公开了一种晶圆夹持旋转装置,包括夹持机构和驱动机构;夹持机构包括侧臂和夹爪;夹爪通过溃缩结构安装在侧臂上,溃缩结构包括设于侧臂内侧面上的安装槽,安装槽内设有与夹爪连接的连接块,连接块与安装槽之间具有间隔形成缓冲区域,夹爪内连接有支撑轴...
  • 本发明提出了一种提高晶圆工艺稳定性的装置及方法,该装置包括:压环、框架晶圆、盖环,由上到下分布;框架晶圆,其包括依次连接的晶圆、衬底膜和承接环;第二状态前承接环的下表面与晶圆顶针接触,晶圆顶针的下端与顶针支撑环连接;顶针支撑环套设于腔体外部...
  • 本申请涉及一种用于承载晶圆的样品槽及外延基座,样品槽包括:凹槽,凹槽用于承载晶圆,凹槽的底部包括晶圆支撑面,凹槽的侧壁包括围挡结构;围挡结构包括:平直围挡,与晶圆的参考边对应设置;圆弧围挡,与晶圆的圆弧部分对应设置;过渡围挡,设置在平直围挡...
  • 本发明提供了基板处理装置,能在基板脱离时正确判断静电卡盘对基板的吸附状态,并降低基板脱离时的破损风险。所述基板处理装置(WD)包括:静电卡盘(E),吸附并支撑基板(W);脱离装置(F),使被静电卡盘(E)支撑的基板(W)脱离;以及控制装置(...
  • 一种温控基座以及半导体设备,温控基座中的所述温控结构与所述温控盘热性耦合,用于对所述温控盘进行升温、降温或者恒温控制,温控结构与温控盘之间进行热性耦合,使得温控盘具有双向温度调节能力,能够对承载于其上的晶圆进行灵活的升温、降温或者恒温控制;...
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