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多层膜制备装置及其制备方法
本公开提供一种多层膜制备装置及其制备方法,利用矩形波的脉冲直流磁控溅射来避免打弧现象,减少多层膜缺陷并且降低粗糙度,从而得到高性能的多层膜。该制备装置包括:工作腔室,在该工作腔室内设置有基底和多个靶材;真空泵组,该真空泵组对所述工作腔室进行...
铝钕合金靶材及其制备方法
本发明涉及靶材制造技术领域的一种铝钕合金靶材及其制备方法,包括以下步骤:添加高纯铝和原子百分比为0.15‑2%的金属钕,以及30‑100ppm硅为原料,经熔炼法制备AlNd合金锭;在350‑450℃均匀化退火,消除偏析,并切头去尾,铣掉表皮...
一种立式物理气相沉积设备及其在铜电镀异质结太阳电池中的应用
本发明公开了一种立式物理气相沉积设备及其在铜电镀异质结太阳电池中的应用,涉及异质结太阳电池领域。立式物理气相沉积设备包括腔体以及设置在腔体内的支撑系统、阳极、阳极板、靶材、反向轴承、辐射挡板、布气管、传动滚轮和载板,靶材沿垂直方向设置在腔体...
一种具有表面纳米化的高纯铝靶材及制备方法
本发明公开了一种具有表面纳米化的高纯铝靶材及制备方法,包括以下步骤:S1,将高纯铝铸锭进行室温冷轧处理获得靶材毛坯;S2,将冷轧后的靶材毛坯进行喷丸处理;S3,将喷丸处理后的靶材毛坯进行退火处理获得表面晶粒尺寸为300~800nm的高纯铝靶...
一种含氧化物层和氮化物层的复合涂层切削刀具
本发明公开了一种含氧化物层和氮化物层的复合涂层切削刀具,包括刀具基体和设于刀具基体上的复合涂层,所述复合涂层包括自刀具基体表面向外依次设置的TiAlN底层、TiAlSiN层、第一AlCrON过渡层、AlCrO层、第二AlCrON过渡层、Ti...
一种半导体表面处理的镀层装置
本发明提供一种半导体表面处理的镀层装置,涉及半导体镀层技术领域,包括所述密封箱门滑动连接在镀层箱体的前端;所述导向滑轨设有两个,两个导向滑轨均固定连接在镀层箱体的前端面;所述导向滑槽设有两个,两个导向滑槽均开设在密封箱门的后端面;所述观察窗...
一种双开的点源蒸发镀膜设备
本申请公开了一种双开的点源蒸发镀膜设备,属于镀膜设备的技术领域,其包括真空腔室、真空泵组、卷绕车系统及工艺车系统,所述真空腔室位于所述卷绕车系统和所述工艺车系统中间,所述工艺车系统包括工艺车架,所述工艺车架的底部安装有车轮,所述工艺车架上安...
真空光学镀膜一体机
本发明涉及光学镀膜技术领域,具体为一种真空光学镀膜一体机,包括真空镀膜室,所述真空镀膜室上设置有升降连接机构和驱动机构,所述驱动机构与升降连接机构相连,所述升降连接机构上均匀的设置有若干基底承载组件,所述真空镀膜室内固定设置有固定摩擦架,所...
一种蒸镀设备的快速维护系统
本申请涉及镀膜的技术领域, 公开了一种蒸镀设备的快速维护系统,其包括蒸发区组件,包括安装座、电极柱以及水冷容器;所述电极柱与所述水冷容器均安装于所述安装座上,所述水冷容器围合所述电极柱,且所述水冷容器沿竖向开设有对所述电极柱进行避让的让位孔...
一种多腔室旋转式气相沉积炉
本发明公开了一种多腔室旋转式气相沉积炉,其包括固定基座及环形阵列布置的多个可转动的反应炉,每个反应炉内置可转动的零件台,反应炉内设有加热元件以及扰流片,通过驱动装置可驱动反应炉以及零件台同时且相反转动,供气管路、真空管路分别与每组反应炉管路...
复合铜膜、制备方法及电子设备
本发明公开了一种复合铜膜、制备方法及电子设备,其中复合铜膜,包括基材,以及至少形成于基材一侧的复合铜层,所述复合铜层顺次包括,以远离基层的方向观察:加硬层;打底层,厚度20‑50nm,通过多元合金反应溅射形成;功能层,为溅射形成的铜功能层,...
一种超平整铜镍合金单晶晶圆的批量制备方法
本发明公开了一种超平整铜镍合金单晶晶圆的批量制备方法,属于单晶合金材料的制备领域。本发明的通过基于“先镍后铜”双层磁控溅射,配合插槽式多片退火载具的批量制备工艺,在蓝宝石衬底上实现4英寸级别的铜镍单晶晶圆的批量制备(10片以上),具有可调控...
一种镍铝合金靶材的制备方法
本申请涉及合金靶材的技术领域,具体公开了一种镍铝合金靶材的制备方法。本申请提供的镍铝合金靶材的制备方法,包括以下步骤:将镍铝合金粉末经过SPS烧结、热等静压、机加工,得到镍铝合金靶材;SPS烧结为:在450‑550℃保温10‑30min,升...
一种长距离锆合金包壳表面均匀涂层、制备方法及应用
本申请提出了一种长距离锆合金包壳表面均匀涂层、制备方法及应用,方法包括将锆合金包壳基体清洗干燥后放入磁控溅射设备内的真空室,调节真空室的真空度和气压;用偏压电源通过高速氩离子轰击锆合金包壳基体的表面进行辉光清洗;利用氩离子轰击金属靶材的表面...
一种具有细柱状晶结构的Cr基防护涂层、其制备方法及应用
本发明涉及防护涂层领域,具体涉及一种具有细柱状晶结构的Cr基防护涂层、其制备方法及应用。本发明通过设计Cr100‑a‑b100‑a‑bXaaMbb组分(X=Al/Si,M=Y/Ce/La/Nd,0≤a≤10, 0.1≤b≤8.5),通过控制...
一种金刚石红外窗口薄膜及其制备方法
本申请提供一种金刚石红外窗口薄膜及其制备方法,通过在金刚石基底表面设置稀土金属氧化物薄膜,首先,通过选用折射率介于金刚石与空气之间的稀土氧化物,利用干涉相消原理将目标波段的平均透过率显著提升,高效解决了高反射损失问题。其次,该致密的氧化物薄...
一种透明超疏水薄膜及制备方法
本发明公开了一种透明超疏水薄膜及制备方法,包括:S1、提供透明衬底;S2、通过磁控溅射法在透明衬底沉积氧化铝层,得到薄膜;S3、将薄膜置于水中浸泡;S4、使用硅烷偶联剂的疏水改性剂制备的改性液浸泡薄膜,形成疏水防污层,得到改性薄膜;S5、将...
一种TiHfAlB涂层刀具
本发明公开了一种TiHfAlB涂层刀具,该涂层刀具包括刀具基体和沉积于刀具基体上的TiHfAlB涂层,所述TiHfAlB涂层为(Ti1‑x‑1‑x‑yyHfyyAlxx)B22涂层,其中0.20≤x≤0.50, 0.1≤y≤0.40, 0....
一种低电阻TaN膜层的制备工艺
本发明涉及一种低电阻TaN膜层的制备工艺,包括向真空腔室内通入Ar气对真空腔室内的工件进行离子束清洗处理;向真空腔室内通入Ar气和N22气,开启溅射电源和偏压电源对工件的表面进行溅射镀膜处理,溅射镀膜处理所用的溅射靶材为Ta靶。本发明提供的...
一种碲化镉镀膜装置及防短路方法
本发明涉及一种碲化镉镀膜装置及防短路方法,属于碲化镉镀膜技术领域,解决现目前碲化镉镀膜时,碲化镉沉积,使电极与坩埚壁之间导通的技术问题。碲化镉镀膜装置及防短路方法包括真空容器、加热容器、盖板以及绝缘件,其中加热容器,安装于真空容器内,加热容...
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