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一种非金属粉末激光熔覆送粉器
本发明公开了一种非金属粉末激光熔覆送粉器,包括台板、送粉盘、送粉筒、加热组件和搅拌组件,送粉盘的底面固定于台板的上端面、送粉盘的上端面固定有送粉筒,并在送粉筒的外侧套设加热组件,以对送粉筒的非金属粉末进行加热;搅拌组件的一端伸入送粉筒的内部...
一种高性能锤头工作面梯度陶瓷薄壳及其制备方法
本发明公开了一种高性能锤头工作面梯度陶瓷薄壳及其制备方法,属于耐磨部件表面强化技术领域。该梯度陶瓷薄壳通过激光熔融沉积法在锤头基体工作面上形成,其陶瓷相组成、含量及微观结构从界面到工作表面呈连续梯度变化,优选由包括内过渡层、中间梯度层和外表...
一种结晶器铜板表面激光熔覆镍基WC涂层的装置和方法
本发明提供一种结晶器铜板表面激光熔覆镍基WC涂层的装置和方法,涉及一种激光熔覆装置,包括异焦蓝红激光复合熔覆头和伴随红外激光熔覆头;异焦蓝红激光复合熔覆头包括蓝光激光器、第一红外激光器、蓝红复合光路以及五束同轴送粉喷嘴,蓝红复合光路将蓝光激...
一种连铸结晶器窄面板侧面冷喷涂增材方法
本发明涉及金属材料增材制造技术领域,具体涉及一种连铸结晶器窄面板侧面冷喷涂增材方法,包括以下步骤:S1,当窄面板侧面减薄量≥1.5mm时,对基体表面进行预处理;S2,采用冷喷涂设备,以N2为工作气体,将CuCrZr合金粉末喷涂至基体表面;S...
一种N2/Ar激光表面改性Ta基合金化层
本发明涉及一种N2/Ar激光表面改性Ta基合金化层的加工方法,合金化层由TaC和TaN两相构,且该复合型合金化层均匀、致密。Ta粉与无水乙醇按1:2.5均匀混合涂覆在经砂纸打磨的3Crl3马氏体不锈钢表面。3Crl3马氏体不锈钢表面在激光器...
涂装前免水洗处理工艺
本发明属于金属表面处理技术领域,公开了一种涂装前免水洗处理工艺,使用涂装前无排放表面处理设备对工件进行连续处理,设备包含依次连通的:用于净化处理液和分离油污的超声波破乳分离过滤系统;用于杀灭微生物的杀菌系统;用于依次施加脱脂复膜槽液和复合硅...
铝合金防腐涂装方法及铝合金防腐性能检测方法、装置
本发明公开了一种铝合金防腐涂装方法及铝合金防腐性能检测方法、装置,涉及铝合金防腐工艺及检测技术领域,该方法包括获取待防腐涂装的目标对象,并对目标对象的基材类型进行判断:若为变形铝合金,则依次采用脱脂、水洗、表调、磷化、水洗、阴极电泳、烘干固...
一种工件表面处理装置及其使用方法
本发明公开了一种工件表面处理装置及其使用方法,属于工件表面处理技术领域,包括装置架体,装置架体由上到下依次可转动安装第一转轴、第二转轴和筒状滚笼,第一转轴、第二转轴和筒状滚笼的轴线相互平行设置,筒状滚笼上设有笼盖和若干个通孔;第一转轴与装置...
一种铝合金表面防护涂层及其制备方法
本发明涉及铝合金防护技术领域,尤其为一种铝合金表面防护涂层及其制备方法,铝合金表面防护涂层在制备化学镀层中设置的化学除油、碱蚀以及混酸工序可较好的去除样件表面的杂质,降低样件表面的粗糙度,有利于后续浸锌层的附着,设置的一次浸锌、退除浸锌以及...
一种球阀耐腐蚀处理工艺及其制成的球阀
本发明涉及金属材料表面处理技术领域,具体为一种球阀耐腐蚀处理工艺及其制成的球阀;该球阀耐腐蚀处理工艺包括:将球阀经过预处理,然后配置化学镀液,将经预处理的球阀经过化学镀,得到经化学镀的球阀;最后经过后处理,得到经表面耐腐蚀处理的球阀;其中,...
具有高二次电子发射性能的合金型打拿极零件的敏化方法及敏化系统
本发明涉及光电倍增管技术领域,具体而言涉及具有高二次电子发射性能的合金型打拿极零件的敏化方法及敏化系统,包括:支架,所述支架上设有加热炉;转接室,连接到所述支架,所述转接室内具有第一腔体,所述转接室设有真空计、第一阀门和第二阀门,所述真空计...
硅碳负极材料生产沉积舱机构
本发明公开了硅碳负极材料生产沉积舱机构,涉及锂离子二次电池材料技术领域,包括沉积舱舱体,所述沉积舱舱体的顶端固定连接有进气口、泄压口和两个真空口,两个所述沉积舱舱体之间通过对接单元进行对接操作,所述沉积舱舱体的前端和后端通过开关单元进行开关...
绝缘纸多层薄膜沉积装置和绝缘纸的制备方法
本发明公开了一种绝缘纸多层薄膜沉积装置和绝缘纸的制备方法,绝缘纸多层薄膜沉积装置包括:薄膜沉积模块组件、转移组件、脉冲电源模块、气氛控制模块和控制监测模块。两个薄膜沉积模块分别为第一薄膜沉积模块和第二薄膜沉积模块,薄膜沉积模块包括电极组件,...
一种上电极结构及等离子体加工设备
本申请涉及半导体设备领域,本申请提供一种上电极结构及等离子体加工设备,上电极结构包括上电极背板、喷淋板和匀场结构,上电极背板内部设有冷却通道,喷淋板与上电极背板相对设置,喷淋板上贯穿设置有多个喷气孔,匀场结构包括至少一个均匀板,均匀板设置于...
一种薄膜制备方法和半导体工艺设备
本发明公开了一种薄膜制备方法和半导体工艺设备,将多个基片分别放入工艺腔室内的至少两个承载部件后,控制工艺腔室循环交替进行通气工艺和闷气工艺,并且,至少在工艺腔室进行闷气工艺时,控制至少两个承载部件异步辉光放电,其中,通气工艺用于向工艺腔室内...
沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法
本公开涉及沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法。该沉积设备包括:支撑件,被配置以设置在基板的底表面上,以在平面图中与基板的边缘重叠;夹具,被配置以设置在支撑件和基板的边缘上;以及静电卡盘,包括平坦部和多个突起,其中平坦部被配置以设置在基板的顶...
APCVD中的喷头
本发明公开了一种APCVD中的喷头,包括部件主体、进气管和多个环形的喷气腔,所述部件主体包括一输出面;所述喷气腔设置于所述部件主体并分别延伸至所述输出面,所述喷气腔直径不同且同心设置;所述进气管开设于所述部件主体上,并连通所有所述喷气腔。本...
一种液态源鼓泡供应系统
本发明涉及液态源供应技术领域,且公开了一种液态源鼓泡供应系统,包括液态源供应单元、鼓泡反应单元、气体供应单元、尾气处理单元、控制器和预留接口单元,通过采用双缓存罐并联,通过阀门切换实现交替供液,当任一缓存罐液位低于设定下限时,系统自动切换至...
一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统
本申请公开了一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统,包括前驱体输送管路和薄膜沉积反应装置,薄膜沉积反应装置设有两个进气孔和一个排气口,进气孔分别与一路前驱体输送管路连通,前驱体输送管路包括源供应管路和吹扫管路,吹扫管路包括吹扫控制阀门和吹扫...
基于物理吸附的原子层沉积方法
本申请涉及微纳加工技术领域,尤其涉及一种基于物理吸附的原子层沉积方法,包括:提供基底;选取与基底表面合能为1~25kJ/mol的第一前驱体,将第一前驱体在基底上进行第一沉积循环,在基底表面形成物理吸附层;其中,第一沉积循环的每次循环包括:将...
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