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最新专利技术
  • 将气体分配到容器中的方法及装置
    将气体分配到容器中的方法及装置_恩特格里斯公司_202480034858.1
    提供一种用于控制冲洗气体的流到衬底容器中的方法及冲洗流分配模块。所述冲洗流分配模块包含：冲洗模块，其包括用于接收冲洗气体的流的入口、用于调节所述冲洗气体的流动方向的止回阀及用于供应所述冲洗气体的出口；及腔室，其包围所述冲洗模块的至少出口。所...
    2025-12-28
  • 基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法
    基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法_RNR实验室公司_202480034166.7
    公开基板结构体的激光热处理方法及应用其的电子器件制备方法。所公开的基板结构体的激光热处理方法通过向能够划分为多个单位区域的基板结构体的一面部照射激光束来执行对所述基板结构体的热处理，所述激光热处理方法可包括如下步骤：执行对所述基板结构体的第...
    2025-12-28
  • 用于控制微电子设备的处理的系统
    用于控制微电子设备的处理的系统_诺瓦测量仪器有限公司_202480030935.6
    公开了用于监测和控制微电子衬底的处理的系统和设备。设备的一个方面包括：具有密封门的一个或多个集群。每个密封门在前侧上包括湿零件柜，每个湿零件柜被划分成多个集群并占据一个或多个化学工作站，化学工作站执行分析应用。密封门在后侧上包括电气柜，其用...
    2025-12-28
  • 装置、电气装置、基板和装置的制造方法
    装置、电气装置、基板和装置的制造方法_京瓷株式会社_202480033661.6
    本发明即使经过回流接合等高温工艺等，也能在焊接部分中确保充分的界面强度。装置具有：基体，该基体具有第一面；电极，该电极位于所述基体的所述第一面；以及接合部，该接合部位于所述电极上。所述接合部从所述电极侧依次包括第一层、第二层以及第三层，所述...
    2025-12-28
  • 用于压缩成形的密封树脂以及其形成方法及形成装置
    用于压缩成形的密封树脂以及其形成方法及形成装置_山田尖端科技株式会社_202380098752.3
    本发明的课题提供一种密封树脂以及其形成方法及形成装置，所述密封树脂可实现能够防止产生成形不良的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，本发明的密封树脂的形成方法是形成用于工件(W)的压缩成形的密封树脂(R)的形成方法，所述工件(W)具有在...
    2025-12-28
  • 激光退火方法及应用其的半导体器件制备方法
    激光退火方法及应用其的半导体器件制备方法_RNR实验室公司_202480034164.8
    公开激光退火方法及应用其的半导体器件制备方法。所公开的激光退火方法针对包括晶体管的半导体器件部执行，激光退火方法可包括如下步骤：准备设置有晶体管的半导体器件部，所述晶体管包括半导体及与所述半导体形成接合界面的电介质；以及为了至少钝化(pas...
    2025-12-28
  • 半导体装置的制造方法及切割晶粒接合一体型膜
    半导体装置的制造方法及切割晶粒接合一体型膜_株式会社力森诺科_202380097623.2
    半导体装置的制造方法包括如下工序：在加热条件下将切割晶粒接合一体型膜的膜B贴附于将半导体晶圆单片化而得的多个半导体芯片，所述切割晶粒接合一体型膜具备：切割膜(膜A)，其具有基材膜及设置于基材膜上的压敏胶黏剂层、及晶粒接合膜(膜B)，其设置于...
    2025-12-28
  • 氮化物半导体基板的制造方法、混合集成电路的制造方法及氮化物半导体基板
    氮化物半导体基板的制造方法、混合集成电路的制造方法及氮化物半导体基板_信越半导体株式会社_202480035387.6
    本发明提供一种氮化物半导体基板的制造方法，所述氮化物半导体基板在硅基板上具备包含III族氮化物基底层与氮化镓外延层的III族氮化物层，所述制造方法使用Si{110}基板，所述制造方法包含下述工序：预通气工序，其向已加热至1000℃以上的Si...
    2025-12-28
  • 显影方法和基片处理系统
    显影方法和基片处理系统_东京毅力科创株式会社_202480032725.0
    本发明提供一种进行基片的显影处理的显影方法，其特征在于，包括：对所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤，其中，所述基片具有被曝光成规定的图案的含金属涂敷膜；和对被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的第一清洗液的步骤，所述含金属涂敷膜...
    2025-12-28
  • 用于产生等离子体的电源组件以及等离子体处理系统
    用于产生等离子体的电源组件以及等离子体处理系统_通快霍廷格两合公司_202480034904.8
    本发明涉及电源组件(1)，该电源组件具有：a)多个微波电源(2a，2b，2c，2d，……2n)，多个微波电源中的每个微波电源被设计成生成具有输出≥100 W和≥频率300 MHz的微波功率信号，以在等离子体处理室(6)中产生等离子体(7)，...
    2025-12-28
  • 用于缓解周期性干扰引起的RF负载阻抗变化的增强调谐方法
    用于缓解周期性干扰引起的RF负载阻抗变化的增强调谐方法_MKS股份有限公司_202480032620.5
    射频(RF)发电系统包含产生输送到负载的RF输出信号的RF电源。RF功率控制器经配置以产生用以改变所述RF输出信号的控制信号。所述控制器调整与所述RF输出信号相关联的参数，且所述参数根据触发信号来控制。所述参数在预定数目的仓内调整。所述参数...
    2025-12-28
  • 工件处理装置和工件处理方法
    工件处理装置和工件处理方法_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202480032374.3
    提供了用于工件热处理的系统和方法。在一个示例中，提供了一种用于在处理装置中对工件执行诸如热处理工艺、退火处理工艺、氧化处理工艺或还原处理工艺等处理工艺的方法。处理装置包括等离子体室和处理室。等离子体室和处理室由多个分离格栅或格栅板隔开。分离...
    2025-12-28
  • 电子部件单元及电子部件单元的制造方法
    电子部件单元及电子部件单元的制造方法_株式会社自动网络技术研究所_202480033161.2
    电子部件单元(10)具备：第1端子(20)，与对方构件电连接；第2端子(30)，与布线构件直接或者间接电连接；树脂部(40)，覆盖第1端子(20)的一部分和第2端子(30)的一部分；以及电子部件(50)，树脂部(40)维持第1端子(20)和...
    2025-12-28
  • 电极、电池单元、模块以及电池包
    电极、电池单元、模块以及电池包_日本特殊陶业株式会社_202480030726.1
    本发明提供：能够改善蓄电装置的能量密度和输出特性的电极(10)、电池单元(20)、模块(31)以及电池包(30)。电极包含集电体(11)和附着于集电体的复合材料层(12)，复合材料层包含含有硅的含Si物质(14)和碳系活性物质(15)。在复...
    2025-12-28
  • 具有低幂指数N的PEDOT分散体
    具有低幂指数N的PEDOT分散体_贺利氏电子化学材料有限公司_202480029235.5
    本发明涉及一种分散体，该分散体包含i)分散剂；ii)分散在该分散剂i)中的至少一种聚噻吩；其中对于该分散体，Ostwald de l/l/ae/e关系T=K yn中的幂律指数n在0.40至0.65的范围内，其中T是剪切应力，K是流动稠度系数...
    2025-12-28
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480035815.5
    本发明提供一种能够在低电容的层叠陶瓷电容器中容易地设定希望的电容的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)具备：层叠体(2)，包含交替地层叠的电介质层(14)和内部电极层(15)，并具有在层叠方向(T)上相互对置的两个主面(A)、在与层叠方向(...
    2025-12-28
  • 层叠铁芯的制造装置和制造方法
    层叠铁芯的制造装置和制造方法_日本制铁株式会社_202480034928.3
    制造装置(100)具备冲头(12)、配置于冲头(12)的下方的冲裁模具(14)、配置于冲裁模具(14)的下方的第一保持部(16)、配置于第一保持部(16)的下方且由与第一保持部(16)不同的构件构成的第二保持部(18)、以及在比第一保持部(...
    2025-12-28
  • 片状磁性部件
    片状磁性部件_株式会社博迈立铖_202480033584.4
    一种片状磁性部件，其通过在面内方向上排列并在厚度方向上层叠形成为具有短边和长边的带状的多个纳米晶合金薄带来构成。从上述厚度方向观察时，上述片状磁性部件具备具有长度方向和宽度方向的长方形形状。在上述宽度方向上的上述片状磁性部件的中央部，上述长...
    2025-12-28
  • 卷绕铁芯及其制造方法
    卷绕铁芯及其制造方法_日本制铁株式会社_202480033629.8
    本发明涉及卷绕铁芯及其制造方法，将弯折的钢板层叠而成的卷绕形状的卷绕铁芯(10)为，在从沿着钢板的表面的方向观察所述卷绕形状的侧视中，分别具有四个平面部(4)和与平面部(4)邻接的角部(3)，由此形成为在中心具有中空部(15)的矩形状，钢板...
    2025-12-28
  • 线圈装置、芯片电容器保持件以及线圈装置的制造方法
    线圈装置、芯片电容器保持件以及线圈装置的制造方法_胜美达集团株式会社_202380096644.2
    线圈装置(100)具有线圈(110)和芯片电容器(120)。线圈(110)由线圈线(111)卷绕而成。芯片电容器(120)具有电极面(121a)。电极面(121a)与线圈(110)电连接。连接部(111b)是从线圈(110)引出的线圈线(1...
    2025-12-28
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