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  • 本发明属于燃料电池技术领域,公开了一种燃料电池增湿用复合中空纤维膜及其制备方法。所述燃料电池增湿用复合中空纤维膜的制备方法包括以下步骤:将改性无机纳米粒子、聚砜、致孔剂和有机溶剂加入搅拌釜中,经过搅拌和真空静置脱泡后,得纺丝液;采用同轴纺丝...
  • 本发明为一种热塑性空气纤维成形体生产系统及成形方法,属于车辆配件领域。其技术方案为,一种热塑性空气纤维成形体生产系统,包括喷丝装置和定形装置,定形装置支架间设有厚度、宽度成形组件及下方的牵引组件。厚度成形组件通过第一伸缩机构组带动第一弹性压...
  • 本发明公开了一种50D细旦改性聚酯纤维的制备方法,所述50D细旦改性聚酯纤维基于一头三尾全差别化熔体直纺装置进行生产,所述生产步骤依次包括:PTA+EG原料→酯化→预聚→终聚→聚酯熔体→熔体输送泵→熔体过滤器→增压泵→熔体冷却器→分配阀→熔...
  • 本发明公开了超高分子量聚乙烯纤维生产办法,按照设定好的物料混合、搅拌均匀,将混合好的配料送入双螺杆挤出机中,通过双螺杆挤出机的混合,使物料达到熔融状态,通过熔体过滤器与喷丝板后形成初生态的超高分子量聚乙烯纤维,用溶剂溶解超高分子量聚乙烯制成...
  • 本发明涉及形状记忆纤维制造技术领域,特别涉及一种基于同轴近场直写的形状记忆纤维材料及其制备方法。一种基于同轴近场直写的形状记忆纤维材料的制备方法,包括以下步骤:步骤S1、同轴空芯纤维的制备:使用同轴喷嘴通过近场直写制备同轴空芯纤维,所述同轴...
  • 本发明公开了一种聚合物纳米纤维制备方法及液压管道微泄漏检测方法,涉及材料科学与传感器工程技术领域。该方法包括:将离子单体、电子单体、导电添加剂及溶剂按比例混合,得到纺丝液;其中,所述离子单体与所述电子单体的摩尔比为1 : 1至10 : 1,...
  • 本发明涉及纳米纤维制备技术领域,具体是一种二次偏心结构的微流体控制纺丝头、纺丝装置及纺丝方法。纺丝头包括第一纺丝管、第二纺丝管和第三纺丝管,第一纺丝管、第二纺丝管和第三纺丝管的前部依次嵌套设置;第二纺丝管在第一纺丝管内偏心布置,第三纺丝管在...
  • 本申请涉及蚕丝纺丝技术的领域,尤其是涉及定向排列蚕丝纤维的静电纺丝工艺控制方法,具体包括以下步骤,配置内含蚕丝蛋白的纺丝溶液;将纺丝溶液注入注射器内,并开启注射泵;向金属针头施加频率为20‑60kHz的超声波振动;调整纺丝溶液流速、电压和接...
  • 本发明适用于纤维成型设备技术领域,提供了一种纤维成型平衡系统及纤维成型方法,包括:出丝模块,包括漏板和出丝组件,出丝组件转动连接于漏板的底部并且通过出丝组件转动控制出丝组件的出丝尺寸,漏板的顶部设有若干与出丝组件对应设置的通道;拉丝模块,拉...
  • 本发明公开了一种籽棉异性纤维逐级清理装置及方法,涉及农业机械技术领域,包括缠绕清理部、开松清理部、气流清理部以及静电清理部,缠绕清理部设有第一通道,第一通道内自上向下依次设置有若干排辊组,任意一排辊组均包括若干个缠绕辊;开松清理部能够对第一...
  • 本发明公开了一种羊毛原料自动化清洁输送装置,涉及羊毛加工技术领域;包括上方安装有拆分箱的清洗池,所述清洗池一侧固定连接有连接架,连接架另一端固定连接有冲洗支架,冲洗支架内侧固定连接有多个电动滚筒;本发明通过挤压组件在挤压电机驱动下,通过偏心...
  • 本申请提供一种激光晶体异质键合方法及光学元件,及激光技术领域,该方法包括:基于激光晶体和异质材料,分别所述激光晶体和异质材料的待键合表面进行超精密表面处理;在表面处理后的两所述待键合表面上,通过物理或化学沉积方法分别沉积至少一层过渡层;并确...
  • 本发明属于钛石膏的处理技术领域,具体涉及一种钛石膏半水硫酸钙晶须及其制备方法。本发明的钛石膏半水硫酸钙晶须的制备方法包括下述步骤:(1)向二水钛石膏中加入水和氯化镧,混合均匀,得到钛石膏浆体;(2)使所述钛石膏浆体进行水热反应;(3)水热反...
  • 一种大尺寸高导率异质衬底结构及其制备方法,涉及分子束外延生长技术领域,该结构包括:异质衬底层;生长在所述异质衬底层上的碲化锌层;生长在所述碲化锌层上的金属铜层;生长在所述金属铜层上的碲化镉层;生长在所述碲化镉层上的ZnTe/CdTe超晶格层...
  • 一种汞源端口用装配件及分子束外延方法,涉及晶体生长技术领域;该装配件包括:压差平衡部,配置为空心圆柱体,其侧壁开设多个均匀分布的圆形通孔;用于平衡喷口侧与腔室侧压差;定位卡槽,凸置于压差平衡部端部;用于实现装配件机械锁固;束流扩散部,包括多...
  • 本发明公开了一种二维TMDC单晶外延衬底、其制备方法及应用,所述二维TMDC单晶外延衬底包括蓝宝石衬底及位于蓝宝石衬底表面的镧系金属氧化物单分子钝化层。本发明提出了一种具有镧系金属氧化物单分子钝化层的蓝宝石衬底,均匀地改变了表面结构,有效降...
  • 本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及一种通过多孔GaN微米金字塔结构生长高质量GaN晶体的方法。该方法包括如下步骤:提供GaN衬底,并在GaN衬底表面设置具有规则周期性图案的掩膜,获得图案衬底;其中,规则周期性图案为若干孔隙形成的阵列,所...
  • 本发明涉及一种基于高静氮压与活性氮调控的氮化硅晶体及其生长方法。所述氮化硅晶体通过该成长方法制得,所述方法采用物理气相传输工艺,具体包括:通过向高纯β‑Si3N4与多晶硅混合构成的源粉中引入高静压氮气(1–3 bar)及微量NH3/N2混合...
  • 本发明公开了一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法,所述外延片包括外延层、SiC衬底和调控层,调控层位于衬底背面外部或衬底背面内部,外延层位于衬底正面;其中,所述调控层和衬底之间的晶格失配度与外延层和衬底之间的晶格失配度符号相同,但是绝对值...
  • 本发明涉及一系列短b轴等级孔ZSM‑5纳米薄片分子筛单晶衍生物及其合成方法、应用。在不添加介孔模板剂、无后处理的情况下,本发明选用廉价易得、环境友好的尿素作为生长修饰剂,利用尿素在高温晶化过程中分解产生的氨气作用于ZSM‑5分子筛的[010...
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