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最新专利技术
  • 功率半导体装置
    功率半导体装置_三星电子株式会社_202510526979.4
    一种功率半导体装置可包括：第一导电类型的基底；第一导电类型的漂移层，在基底上；第二导电类型的阱区域，在漂移层中并且延伸到漂移层的上表面中；第一导电类型的源极区域，在阱区域中并且延伸到阱区域的上表面中；绝缘衬垫，在漂移层上；栅极结构，在绝缘衬...
    2025-12-31
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510135579.0
    一种半导体装置可以包括：下有源图案，在第一方向上延伸并且包括下沟道图案；上有源图案，在第二方向上与下有源图案间隔开，第二方向与第一方向相交，并且上有源图案在第一方向上延伸，其中，上有源图案包括上沟道图案；栅电极，围绕下沟道图案和上沟道图案，...
    2025-12-31
  • 一种半导体结构及功率集成电路
    一种半导体结构及功率集成电路_深圳平湖实验室_202511626199.3
    本公开提供一种半导体结构及功率集成电路，半导体结构的各层工艺与PGaN HEMT器件的各层工艺完全相同，通过将栅极和第一电极短接形成场效应整流二极管，该二极管具备良好的单向导电性和整流特性；利用第二电极、第一介质层和导电电极构成的金属‑绝缘...
    2025-12-31
  • 一种用于极端环境的P型栅增强型器件及其制备方法
    一种用于极端环境的P型栅增强型器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511314661.6
    本发明公开了一种用于极端环境的P型栅增强型器件及其制备方法，该器件包括衬底；中间功能层叠设在衬底上；势垒层叠设在中间功能层远离衬底的一侧，源极与势垒层表面接触；AlN间隔层叠设在势垒层远离中间功能层的一侧，漏极与AlN间隔层表面接触；P‑G...
    2025-12-31
  • 一种基于二维铁电半导体材料的新型器件结构
    一种基于二维铁电半导体材料的新型器件结构_北京理工大学_202511295425.4
    本发明公开了一种基于二维铁电半导体材料的新型器件结构，所述基于二维铁电半导体材料的新型器件结构包括背栅层；位于背栅层表面的第一绝缘层；位于第一绝缘层表面的控制栅级/浮栅；位于控制栅级/浮栅表面的第二绝缘层；位于第二绝缘层表面的铁电半导体层；...
    2025-12-31
  • 一种GaN HEMT器件及其制备方法
    一种GaN HEMT器件及其制备方法_华通芯电(上海)集成电路科技有限公司_202511290549.3
    一种GaN HEMT器件，包括衬底层，及依次层叠于衬底层上的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，所述势垒层为具有极化效应和压电效应的半导体材料，还包括：在势垒层上原位生长的介质层，所述介质层为绝缘体；在所述介质层上原位生长的p‑GaN层，所述p...
    2025-12-31
  • 一种GaN基HEMT器件结构及其制备方法
    一种GaN基HEMT器件结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511252431.1
    本发明提供一种GaN基HEMT器件结构及其制备方法，本发明的GaN基HEMT器件结构包括：衬底；以及依次在所述衬底上层叠的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和介质层；源极和漏极相对位于所述势垒层表面的两侧；P‑GaN帽层位于所述势垒层表面且位于...
    2025-12-31
  • 双重图案光刻的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片
    双重图案光刻的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片_深圳方正微电子有限公司_202511692320.2
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种双重图案光刻的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用双重图案光刻工艺利用第一牺牲介质层和第二牺牲介质层分两次光刻...
    2025-12-31
  • 自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片
    自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片_深圳方正微电子有限公司_202511692205.5
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用自对准图案化工艺利用第一自对准介质层在沟槽底部形成P型屏蔽区...
    2025-12-31
  • 自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片
    自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片_深圳方正微电子有限公司_202511691646.3
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用自对准图案化工艺利用第一自对准介质层在沟槽底部形成P型屏蔽区...
    2025-12-31
  • 沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片
    沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511691534.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用双重图案光刻工艺利用第一牺牲介质层和第二牺牲介质层分两次光刻...
    2025-12-31
  • 抗瞬态极端失效的SiC MOSFET器件制备工艺及器件
    抗瞬态极端失效的SiC MOSFET器件制备工艺及器件_北京国联万众半导体科技有限公司_202511354541.9
    本发明公开了一种抗瞬态极端失效的SiC MOSFET器件制备工艺及器件，涉及MOSFET器件技术领域。所述方法包括如下步骤：衬底预处理；渐变掺杂缓冲层制备：在预处理后的N+型SiC衬底上形成渐变掺杂缓冲层；漂移区外延生长；体区制备；源区分区...
    2025-12-31
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511340044.3
    本公开实施例提供一种半导体制备方法，包括：提供衬底；形成第一保护层，其覆盖衬底并露出硅化物层区域；形成硅化物层；形成第一蚀刻停止层，其覆盖第一保护层和硅化物层；以及形成层间介质层和导电接触结构。采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成第一保护层...
    2025-12-31
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511296877.4
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，制备方法包括：在栅极远离衬底的一侧形成掩膜层；去除掩膜层覆盖区域之外的栅极；在暴露的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层和掩膜层远离衬底的一侧形成第一保护层；刻蚀第一保护层，保留掩膜层和栅极的两侧壁的第一保护层；两...
    2025-12-31
  • 全二维垂直结构金属-半导体场效应晶体管及其制备方法
    全二维垂直结构金属-半导体场效应晶体管及其制备方法_北京大学_202511255858.7
    本发明公开了一种全二维垂直结构金属‑半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明在衬底的表面形成垂直堆叠的源极、下隔绝层、漏极和上隔绝层，形成倾斜侧壁，沟道覆盖倾斜侧壁，栅极与沟道的自对准，半金属的栅极与半导体的沟道直接接触形成肖特基结；本发明基...
    2025-12-31
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511162071.6
    制造半导体器件的方法包括：形成包括设置在衬底上方的栅极结构和源极/漏极区域的半导体器件结构，其中，源极/漏极区域嵌入在半导体器件结构中。在源极/漏极区域上方的半导体器件结构中形成开口。掺杂剂注入至开口的侧壁中。开口在源极/漏极区域上方扩大。...
    2025-12-31
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511158610.9
    本发明涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其中，半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上，形成层叠结构，层叠结构包括硅层、第一硅锗层以及介于二者之间的锗缓冲层；其中，锗缓冲层为纯锗层或第二硅锗层，锗缓冲层与第一硅锗层的界面两侧的...
    2025-12-31
  • 改善功率器件漏极漏电的方法
    改善功率器件漏极漏电的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511105753.3
    本申请公开了一种改善功率器件漏极漏电的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成硬掩模氧化物层后，以此为掩模对衬底进行蚀刻形成沟槽；关键在于，在形成沟槽后，对硬掩模氧化物层执行不完全去除，以在沟槽的拐角处的半导体衬底上表面保留一预定厚度的氧化物。...
    2025-12-31
  • 半导体结构以及其制作方法
    半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410842089.X
    本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括下列步骤。提供半导体基底，且半导体基底包括鳍状结构。在鳍状结构上形成硅锗外延结构，在硅锗外延结构上形成硅盖层，并在硅盖层上形成氧化物盖层。一种半导体结构包括半导体基底、硅锗...
    2025-12-31
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202410757302.7
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍片结构，所述鳍片结构两侧的半导体衬底表面还形成有底部间隔层；栅极结构，位于所述底部间隔层表面以及部分所述鳍片结构侧壁；第一介质层，位于所述栅极结构表...
    2025-12-31
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