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最新专利技术
  • 一种碳化硅晶体及其制备方法
    一种碳化硅晶体及其制备方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511692575.9
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体及其制备方法。所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：S1、将废碳化硅籽晶加工成环形结构；S2、在所述环形结构的一面采用高温粘接剂粘接籽晶；在所述环形结构的另一面采用高温粘接剂粘接底托；...
    2026-03-10
  • 一种宏量高良率钙钛矿薄膜抽气结晶器
    一种宏量高良率钙钛矿薄膜抽气结晶器_凯伏绿能(西安)光电有限公司_202511473270.9
    本发明涉及太阳电池装备技术领域，具体是一种宏量高良率钙钛矿薄膜抽气结晶器，包括卧式真空狭腔结构、基片接驳系统、真空抽气系统、主动进气系统及结晶控制系统；卧式真空狭腔结构为狭缝式(高度≤100mm)，顶板设有含条形抽气/进气口的气流抽送结构、...
    2026-03-10
  • 一种N型氧化镓晶体及其制备方法
    一种N型氧化镓晶体及其制备方法_杭州富加镓业科技有限公司_202511109255.6
    本发明公开一种N型氧化镓晶体及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明将待退火处理的锡掺杂的N型氧化镓晶锭置于装有单质锡粉末或二氧化锡粉末的密闭陶瓷罐中，使单质锡粉末或二氧化锡粉末覆盖待退火处理的锡掺杂的N型氧化镓晶锭；在保护性气氛下...
    2026-03-10
  • 通过溶剂调控法制备一维有机金属卤化物单晶的方法及应用
    通过溶剂调控法制备一维有机金属卤化物单晶的方法及应用_宁夏职业技术学院(宁夏开放大学)_202511032391.X
    本发明公开了一种通过溶剂调控法制备一维有机金属卤化物单晶的方法及应用。该方法以联苯并咪唑和ZnCl2为原料，通过调节甲醇/水混合溶剂的体积比，分别制备出BBI‑ZnCl2和BBI‑ZnCl4单晶，工艺简单、条件温和且无需复杂设备。所得单晶与...
    2026-03-10
  • 一种具有热致跳跃行为的杂化金属卤化物晶体材料及其制备方法
    一种具有热致跳跃行为的杂化金属卤化物晶体材料及其制备方法_南开大学_202511028064.7
    一种具有热致跳跃性质的杂化金属卤化物晶体材料，其特征在于它是由有机胺配体和金属卤化物为原料合成的，在热刺激下具有动态响应的晶体。制备方法为：将金属卤化物与有机胺配体溶于卤化氢溶液中，通过超声或磁力搅拌得到乳白色悬浊液；分别向悬浊液中加入无水...
    2026-03-10
  • 一种BiOCl单晶和其生长方法及在X射线探测器的应用
    一种BiOCl单晶和其生长方法及在X射线探测器的应用_南京大学_202511288560.6
    本发明公开了一种BiOCl单晶和其生长方法及在X射线探测器的应用，所述的BiOCl单晶采用气相法搭配不同纯度的原料和合适的输运剂制备而成，可获得毫米级别大尺寸、具有光学透明性和本征小极化子的二维层状结构单晶，该材料性能稳定，重复性好。所得B...
    2026-03-10
  • 用于提高轻掺硼完美晶体生产效率的拉晶方法
    用于提高轻掺硼完美晶体生产效率的拉晶方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511538733.5
    本发明提供用于提高轻掺硼完美晶体生产效率的拉晶方法，涉及轻掺直拉单晶技术领域，在等径拉晶过程中，通过降低冷却效率及改变拉晶参数，以将V/G比值被精确控制在临界值附近一个极窄的区间内，使晶体中空位和自间隙原子的过饱和度相当，以通过扩散复合相互...
    2026-03-10
  • 一种具有防爆安全泄压结构的单晶炉
    一种具有防爆安全泄压结构的单晶炉_连城凯克斯科技有限公司_202511523289.X
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种具有防爆安全泄压结构的单晶炉，包括单晶炉，单晶炉的顶端安装有炉盖，炉盖的一侧安装有泄压管，炉盖靠近泄压管的一侧安装有进气管，泄压管的内部固定有对接环，对接环的一侧设置有支撑板，支撑板靠近对接环的一侧固...
    2026-03-10
  • 外延反应腔室恢复方法和外延生长装置
    外延反应腔室恢复方法和外延生长装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511274241.X
    本发明涉及一种外延反应腔室恢复方法和外延生长装置，外延反应腔室恢复方法包括：步骤S1：在第一温度下，对外延反应腔室进行清洁；步骤S2：在第一预设时间内，使得外延反应腔室的温度由所述第一温度升温至第二温度；步骤S3：在所述第二温度下，对所述外...
    2026-03-10
  • 一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法
    一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法_金瑞泓科技(衢州)有限公司_202511213868.4
    本发明涉及一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法，包括以下具体步骤：S1：获得加工完毕的抛光片；S2：对硅片正面进行清洗；S3：将硅片正面朝上放入到背封炉内进行低温氧化物生长，使得硅片正面形成氧化硅层；S4：取出硅片，并对硅片背面进...
    2026-03-10
  • 碲化锌多晶的制备方法
    碲化锌多晶的制备方法_广东晶智光电科技有限公司_202511314768.0
    一种碲化锌多晶的制备方法包括步骤：S1，按照摩尔比1 : (1.044‑1.059)称取5N碲块和锌块，锌块过量；S2，将碲块和锌块分别装入两个石英舟内；S3，将装有碲块的石英舟和装有锌块的石英舟水平放入石英管内；S4，保持石英管水平放置，...
    2026-03-10
  • 一种硅衬底上单晶硅外延生长方法
    一种硅衬底上单晶硅外延生长方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511337951.2
    本发明公开了一种硅衬底上单晶硅外延生长方法，包括步骤：a)提供单晶硅衬底，经清洗后装入LPCVD反应室，抽真空后，然后通入氢气，在H2氛围下进行高温原位氢刻蚀退火；高温原位氢刻蚀退火的压力为10‑100Pa，温度为700‑900℃；b)在H...
    2026-03-10
  • 一种用于矢量磁场测量的定向NV色心金刚石层的制备方法及其应用
    一种用于矢量磁场测量的定向NV色心金刚石层的制备方法及其应用_哈尔滨工业大学_202511521937.8
    一种用于矢量磁场测量的定向NV色心金刚石层的制备方法及其应用，本发明是要解决基于NV色心的金刚石量子磁传感系统中，由于随机取向的NV色心导致的测量信号各向异性衰减和灵敏度降低等技术问题。制备方法：一、籽晶片置于混酸中预处理；二、使用氢气等离...
    2026-03-10
  • 多片外延装置及外延生长测试方法
    多片外延装置及外延生长测试方法_上海新傲科技股份有限公司_202511000534.9
    本发明涉及一种多片外延装置及外延生长测试方法。所述多片外延装置包括：外延生长腔室；外延生长结构，位于所述外延生长腔室内，包括间隔排布的多个容纳腔，所述容纳腔用于容纳晶圆；进气法兰，位于所述外延生长腔室内，用于向所述外延生长腔室内传输反应气体...
    2026-03-10
  • 一种大面积单层过渡金属硫族化合物单晶阵列及其制备方法和生长设备
    一种大面积单层过渡金属硫族化合物单晶阵列及其制备方法和生长设备_国家纳米科学中心_202511360474.1
    本发明提供了一种大面积单层过渡金属硫族化合物单晶阵列及其制备方法和生长设备。所述制备方法包括以下步骤：S1：于生长基底表面形成纳米成核点阵列，得到待反应生长基底；S2：在S1所述待反应生长基底的成核点进行过渡金属硫族化合物的单核生长，得到单...
    2026-03-10
  • 一种实现金刚石色心的定位生长的方法
    一种实现金刚石色心的定位生长的方法_内蒙古科技大学_202511295445.1
    本发明涉及金刚石色心量子光源技术领域，具体涉及一种定位制备金刚石色心的方法，包括以下步骤：以单面抛光蓝宝石片为基底，采用微波等离子体化学气相沉积方法制备具有(001)表面的单晶金刚石；采用物理气相沉积方法在单晶金刚石表面制备金属层并进行脱湿...
    2026-03-10
  • 铁基超导薄膜及其制备方法
    铁基超导薄膜及其制备方法_中国长江三峡集团有限公司_202511309719.8
    本发明涉及超导材料技术领域，公开了一种铁基超导薄膜及其制备方法，铁基超导薄膜的制备方法包括：采用脉冲激光沉积工艺在基底的表面沉积超导薄膜，基底为CaF2单晶，所采用的靶材为FeSe1‑xTex(0.1≤x≤0.4)块体，超导薄膜具有单一相。...
    2026-03-10
  • 碳化硅晶体生长装置及其方法
    碳化硅晶体生长装置及其方法_山西天成半导体材料有限公司_202511399538.9
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及其方法，属于碳化硅结晶技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括外坩埚、升降机构和基座，还包括：检测部包括光线发射器和光线传感器，光线发射器能发射两条位于同一水直面内的第一光线束以及两条位于同一水平面内的第二光线...
    2026-03-10
  • 一种降低大尺寸碳化硅晶体螺位错缺陷密度的方法
    一种降低大尺寸碳化硅晶体螺位错缺陷密度的方法_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511283792.2
    本发明公开了一种降低大尺寸碳化硅晶体螺位错缺陷密度的方法，运用物理气相传输法(PVT)生长碳化硅晶体，通过控制系统自动调节气体流量，精确调控晶体生长过程中的气相组分浓度，即气相混合物中Si/C摩尔比的范围，减少了晶体生长界面处的气相组分浓度...
    2026-03-10
  • 一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用
    一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用_湖北隆中实验室_202511228512.8
    本发明公开了一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用。所述SiC@C纳米晶须材料的制备方法包括如下步骤：将基底材料放入激光化学气相沉积设备的沉积腔中，将沉积腔中抽真空至10Pa以下，通入H2和携带前驱体的载气，调节沉积压强至目标值并使其...
    2026-03-10
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