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最新专利技术
  • 一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用
    一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用_湖北隆中实验室_202511228512.8
    本发明公开了一种SiC@C纳米晶须材料及其制备方法和应用。所述SiC@C纳米晶须材料的制备方法包括如下步骤：将基底材料放入激光化学气相沉积设备的沉积腔中，将沉积腔中抽真空至10Pa以下，通入H2和携带前驱体的载气，调节沉积压强至目标值并使其...
    2026-03-10
  • 一种从锌浸出渣中协同回收铟锗并制备单晶的工艺方法
    一种从锌浸出渣中协同回收铟锗并制备单晶的工艺方法_泸溪蓝天高科有限责任公司_202511689743.9
    本发明涉及半导体单晶材料制备工艺领域，公开一种从锌浸出渣中协同回收铟锗并制备单晶的工艺方法，包括：将粗提物与液态金属溶剂混合进行低温萃取获得混合浆料，对该混合浆料进行热相在位提纯，利用热梯度迁移分离液固相，再通过定向凝固提纯获得超净生长溶液...
    2026-03-10
  • 精准控制氟化钙晶体生长籽晶的熔接装置及方法
    精准控制氟化钙晶体生长籽晶的熔接装置及方法_河南微米光学科技有限公司_202511298339.9
    本发明公开了一种精准控制氟化钙晶体生长籽晶的熔接装置及方法，属于晶体生长技术领域。所述熔接装置由石墨坩埚、籽晶、导线回路组件、报警器和控制单元构成，所述导线回路组件包括第一电极、第二电极和直流电源模块，所述第一电极延伸至籽晶上端面，所述籽晶...
    2026-03-10
  • 一种晶种生长工作台
    一种晶种生长工作台_昆吾先进材料(江西)有限公司_202511298734.7
    本发明公开了一种晶种生长工作台，旨在解决现有晶体生长技术中因熔体对流及液面变化而导致晶体质量不佳的问题。本工作台包括同轴设置且底部连通的内、外坩埚，一位于坩埚底部的纵向磁场线圈，以及一设置于内外坩埚之间的、包含铁磁性环的自动加料部。工作时，...
    2026-03-10
  • 一种人工晶体生长用稳定装置及方法
    一种人工晶体生长用稳定装置及方法_广东省科学院半导体研究所_202511695647.5
    本发明涉及人工晶体生长技术领域，且公开了一种人工晶体生长用稳定装置及方法，一种人工晶体生长用稳定装置，包括底座，底座顶部固定连接有提拉炉，还包括：坩埚，提拉炉底部固定连接有多组支撑架，坩埚固定连接在多组支撑架之间，提拉炉内设置有打开或封闭坩...
    2026-03-10
  • 一种一体式多功能单晶坩埚
    一种一体式多功能单晶坩埚_江西匀晶光电技术有限公司_202511464432.2
    本发明属于实验器材技术领域，且公开了一种一体式多功能单晶坩埚，包括工作台，所述工作台顶部固接有保温外壳，所述保温外壳内螺旋固接有感应线圈，通过设置多匝线圈螺旋管、上端口管和下端口管等结构的配合，进而便利了装置既可生长同成分单晶，又可生长掺杂...
    2026-03-10
  • 用于拉晶工艺的装料方法
    用于拉晶工艺的装料方法_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410777787.6
    本申请公开了一种用于拉晶工艺的装料方法，所述装料方法包括：向坩埚内装入第一块状硅并覆盖坩埚的底壁，直至第一块状硅的高度与坩埚高度的比值达到预设比例；向坩埚内装入预设重量的第一碎料硅，以使第一碎料硅覆盖第一块状硅；向坩埚内装入颗粒硅、第二块状...
    2026-03-10
  • 单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉
    单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410775332.0
    本发明公开了一种单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉。方法包括：在同一料筒中装入第一固态硅料和第二固态硅料，第一固态硅料的尺寸小于第二固态硅料的尺寸；在单晶炉将坩埚中的第三固态硅料至少部分加热液化后，利用料筒将料筒中的第一固态硅料和第二固态硅...
    2026-03-10
  • 单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉
    单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410775087.3
    本发明公开了一种单晶硅制备过程中的投料方法和单晶炉。方法包括：在单晶炉将坩埚中的第一固态硅料至少部分加热液化后，调节单晶炉的加热装置的功率，以使单晶炉的加热温度处于预设范围；向装有液态硅料的坩埚中复投入未脱氢的第二固态硅料；将单晶炉的加热温...
    2026-03-10
  • 脱氢硅的装锅方法
    脱氢硅的装锅方法_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410774521.6
    本申请公开一种脱氢硅的装锅方法。该方法包括选取块状硅和脱氢后的颗粒硅；将块状硅和脱氢后的颗粒硅一并装入坩埚中。如此，本申请实施方式通过将脱氢后的小尺寸的颗粒硅搭配大尺寸的块状硅一并装入坩埚中，使得初次填充至坩埚内的硅料较多的同时，经过脱氢后...
    2026-03-10
  • 颗粒硅的加料方法、加料装置、加料系统及存储介质
    颗粒硅的加料方法、加料装置、加料系统及存储介质_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410772494.9
    本申请公开了一种颗粒硅的加料方法、加料装置、加料系统及存储介质。本申请实施方式的颗粒硅的加料方法包括：将第一份颗粒硅加入到第一石英筒内；将第一石英筒吊入单晶炉内，第一石英筒底部自导流筒穿出并位于导流筒下沿的下方预定距离以使得第一份颗粒硅的温...
    2026-03-10
  • 一种单晶炉的高效节能供水系统及水泵负荷优化方法
    一种单晶炉的高效节能供水系统及水泵负荷优化方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511616700.8
    本发明涉及单晶炉的冷却水供给与节能控制技术领域，具体是涉及一种单晶炉的高效节能供水系统及水泵负荷优化方法，包括供水管路和回水管路，供水管路包括供水总管和进水分水器，回水管路包括回水总管和回水分水器，供水系统的上下游分别设有水池和单晶炉，进水...
    2026-03-10
  • 一种单晶硅生长炉热屏结构及其优化方法及应用
    一种单晶硅生长炉热屏结构及其优化方法及应用_兰州大学_202511328593.9
    本发明涉及一种单晶硅生长炉热屏结构及其优化方法及应用，属于晶体生长技术领域，所述热屏结构的底部所处平面与熔体区的熔体自由界面所处平面的夹角为0‑45°，优化方法包括研究与模型适配的单晶硅晶体的等径生长阶段；确定热场控制方程、晶体热应力控制方...
    2026-03-10
  • 一种Nb3Sn超导线材用单晶铜制备方法
    一种Nb3Sn超导线材用单晶铜制备方法_西安聚能超导线材科技有限公司_202511220928.5
    本申请公开了一种Nb3Sn超导线材用单晶铜制备方法，该方法包括以下步骤：将铜锭加入石墨舟中，启动加热程序以对铜锭提纯，将提纯后的铜锭放入石墨坩埚中熔化，加热铜熔体并保温，将籽晶夹持在籽晶杆上，使籽晶下降至铜熔体的液面处，籽晶杆接通水冷机组，...
    2026-03-10
  • 颗粒硅的脱氢方法和单晶炉
    颗粒硅的脱氢方法和单晶炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202410777802.7
    本申请公开了一种单晶炉颗粒硅的脱氢方法。所述颗粒硅的脱氢方法包括将颗粒硅放入高纯石英坩埚内通过单晶炉加热；对所述颗粒硅进行脱氢处理。本申请的颗粒硅的脱氢方法通过采用单晶炉加热对颗粒硅进行脱氢，大大降低了颗粒硅内部及表面的氢气含量，减少了溅硅...
    2026-03-10
  • 一种全无机CsPbCl3(I)单晶及其制备方法和探测器
    一种全无机CsPbCl3(I)单晶及其制备方法和探测器_陕西师范大学_202511297876.1
    本发明公开了一种全无机CsPbCl3(I)单晶及其制备方法和探测器，属于钙钛矿单晶制备技术领域。该方法通过设计新的铯源，同时在多溶剂体系中调控反应物比例，生长出全无机CsPbCl3(I)钙钛矿单晶。该制备方法一方面通过设计新的铯源，解决了传...
    2026-03-10
  • 一种基于重原子序数元素掺杂钙钛矿单晶的高灵敏度中子探测器及其制备方法
    一种基于重原子序数元素掺杂钙钛矿单晶的高灵敏度中子探测器及其制备方法_中国电能成套设备有限公司_202511040451.2
    本发明公开了一种基于重原子序数元素掺杂钙钛矿单晶的高灵敏度中子探测器及其制备方法，包括，甲基溴化铵、溴化铅溶于N, N‑二甲基甲酰胺中加入碘化铋搅拌得到前驱液，将前驱液分成两份，取第一份进行第一次加热，再加入再加入第二份进行第二次加热，得到...
    2026-03-10
  • 一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置
    一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置_杭州龙助科技有限公司_202511523488.0
    本发明属于无机材料领域。本发明提供了一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置，其制备方法为，将含硅物料、含碳物料置于装置内，然后使装置处于密闭状态，对装置抽真空，然后充入惰性气体进行充压，通过焦耳热加热系统进行原料预热，加热至300‑500℃...
    2026-03-10
  • 一种基于超声驻波悬浮的可调式电化学抛光装置
    一种基于超声驻波悬浮的可调式电化学抛光装置_长春理工大学_202511380122.2
    本发明公开了一种基于超声驻波悬浮的可调式电化学抛光装置，属于精密制造技术领域。该装置包括凹球面超声阵列、驱动系统、电解槽和电极组件，凹球面超声阵列由72个压电式超声换能器阵元按圆环间距16.5mm、曲率半径70mm排列组成，工作频率为40k...
    2026-03-10
  • 一种铁画表面除锈装置
    一种铁画表面除锈装置_安徽机电职业技术学院_202511376748.6
    本发明涉及除锈装置技术领域，具体是涉及一种铁画表面除锈装置，包括 : 主机体, 用于存放电解液，所述主机体的一侧设置有除锈箱，主机体的另一侧设置有电极箱；电极板，滑动设置在电极箱的内部并且能够通过导线与电源的负极相连；铁画限位组件，设置在除...
    2026-03-10
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