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最新专利技术
  • 碱金属铌钽氧氟酸盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用
    碱金属铌钽氧氟酸盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用_同济大学_202511270953.4
    本发明涉及一种碱金属铌钽氧氟酸盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用，所述材料的化学通式为A5(NbOF4)(TaF7)2，其中，A＝K、Rb或Cs，该晶态材料属于四方晶系，空间群为I4cm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。在106...
    2026-03-08
  • 一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法
    一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法_河南微米光学科技有限公司_202511412197.4
    本申请公开了一种高纯度抗激光损伤氟化物晶体的密闭式生长方法，涉及晶体生长技术领域。其制备方法包括：用HF溶液处理氟化物粉末，再经F2高温焙烧提纯；在强度适宜的匀强磁场辅助下，于布里奇曼炉中生长晶体；最后用CF4与O2混合气体等离子体处理晶体...
    2026-03-08
  • 一种保温结构、安装方法及晶体生长炉
    一种保温结构、安装方法及晶体生长炉_云南宇泽新能源股份有限公司_202511656606.5
    本发明的实施例提供了一种保温结构、安装方法及晶体生长炉，涉及晶硅生产技术领域。该保温结构包括水冷屏以及固化保温环，水冷屏包括水冷屏本体、进水管以及出水管，进水管和出水管均与水冷屏本体连接，固化保温环上设有第一适配槽以及第二适配槽，第一适配槽...
    2026-03-08
  • 单晶硅棒生长的缺陷控制方法及控制装置
    单晶硅棒生长的缺陷控制方法及控制装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511409862.4
    本发明涉及一种单晶硅棒生长的缺陷控制方法及控制装置。所述单晶硅棒生长的缺陷控制方法包括如下步骤：判断石英坩埚内的初始单晶硅棒生长过程中是否出现断棱，若是，则吸杂取出或者回融后再进行单晶硅的生长，形成当前单晶硅棒；获取当前单晶硅棒处于等径生长...
    2026-03-08
  • 一种环形结构的硅锭的生产工艺
    一种环形结构的硅锭的生产工艺_宁波硅宁半导体材料有限公司_202511274704.2
    本发明提供一种环形结构的硅锭的生产工艺，属于硅锭铸造技术领域。包括以下步骤：S1、选取内壁涂覆有脱模涂层的圆形或方形坩埚；S2、在坩埚中心放置预设直径的耐高温圆柱形块，所述圆柱形块熔点＞1600℃，材质选自陶瓷石英、石墨、氧化铝、碳化硅、氮...
    2026-03-08
  • 一种多晶金刚石及其制备方法和应用
    一种多晶金刚石及其制备方法和应用_嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司_202511301979.0
    本发明提供了一种多晶金刚石及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：在第一籽晶上进行多晶金刚石异质外延生长，得到多晶金刚石外延层；对多晶金刚石外延层进行激光分层处理后，剥离得到多晶金刚石剥离层；以多晶金刚石剥离层作为第二籽晶，进行多晶金...
    2026-03-08
  • 一种用于半导体的大厚度(111)晶向单晶金刚石的制备方法
    一种用于半导体的大厚度(111)晶向单晶金刚石的制备方法_哈尔滨工业大学_202511521938.2
    一种用于半导体的大厚度(111)晶向单晶金刚石的制备方法，本发明是要解决(111)晶向金刚石生长速率低、生长质量差的问题。单晶金刚石的制备方法：S1、籽晶片置于混酸中进行加热浸泡；S2、使用氢气等离子体对籽晶片进行刻蚀处理；S3、向真空腔内...
    2026-03-08
  • 一种石英晶体监测结构及外延工艺设备
    一种石英晶体监测结构及外延工艺设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511086740.6
    本发明公开了一种石英晶体监测结构及外延工艺设备，所述石英晶体监测结构包括：石英振荡元件，设有膜厚监测区；连接件，一端与所述石英振荡元件连接，另一端与信号收集显示装置连接，封装外壳，其包覆所述石英振荡元件和所述连接件，所述封装外壳开设有与石英...
    2026-03-08
  • 一种多频等离子体共振与热梯度协同的异质外延大克拉彩色钻石制备系统及方法
    一种多频等离子体共振与热梯度协同的异质外延大克拉彩色钻石制备系统及方法_哈尔滨工业大学_202511330799.5
    本发明公开了一种多频等离子体共振与热梯度协同的异质外延大克拉彩色钻石制备系统及方法。该系统在MPCVD反应腔室内同步引入2.45GHz与5.8GHz双频微波，实现低能高密度与高能低密度等离子体的叠加，以优化碳簇沉积能量分布。同时，通过温控加...
    2026-03-08
  • 多外延层的生长设备及生长方法
    多外延层的生长设备及生长方法_桂林雷光科技有限公司_202511226985.4
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及多外延层的生长设备及生长方法，包括加工箱、分区隔板、反应通气机构和加热板；加工组件包括转位支架、底架、搁置盘、下隔构件、转位构件和导位构件，转位支架转动安装在加工箱内，多个底架滑动安装在转位支架外侧...
    2026-03-08
  • 一种单晶金刚石横向扩晶方法
    一种单晶金刚石横向扩晶方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511657116.7
    本发明公开了一种单晶金刚石横向扩晶方法，包括：首先对单晶金刚石籽晶进行生长前处理；然后在获得的钼托中央设置凹槽，所述凹槽的深度d为：H≤d≤H+1mm，其中，0.3mm≤H‑h≤2.5mm，h为金刚石籽晶的厚度，H为金刚石籽晶横向扩晶后的厚...
    2026-03-08
  • 一种基于分子束外延生长的硅碲异质结的制备方法
    一种基于分子束外延生长的硅碲异质结的制备方法_河北师范大学_202511282415.7
    本申请属于二维材料生长及制备技术领域，具体涉及一种基于分子束外延生长的硅碲异质结的制备方法。包括如下步骤：步骤S1.对金属衬底依次进行氩离子刻蚀及退火处理；步骤S2.金属衬底表面沉积硅原子得到硅纳米带，沉积时间为16min，随后进行退火处理...
    2026-03-08
  • 一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接方法
    一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接方法_山西烁科晶体有限公司_202511284606.7
    本发明提供了一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接方法，属于碳化硅晶体生长处理技术领域。本发明采用激光退火的方式，用激光作为热源，激光经过透射系统后，会产生能量均匀分布的激光束并被投射于碳化硅籽晶表面，表层碳化硅吸收激光的能量熔融后分解为碳和硅，...
    2026-03-08
  • 一种膨胀式料面移动碳化硅晶体生长装置及方法
    一种膨胀式料面移动碳化硅晶体生长装置及方法_山东中晶芯源半导体科技有限公司_202511267746.3
    本申请提供的一种膨胀式料面移动碳化硅晶体生长装置及方法，通过膨胀装置中的升华膨胀粉料在受热时升华膨胀产生膨胀高度，自动补偿料面下降与长晶面上升之间的高度差，有效解决了传统PVT法中因高度差增大导致的温场梯度偏移问题，维持了纵向和横向温度梯度...
    2026-03-08
  • 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法
    一种PVT法生长碳化硅晶体的方法_中科超芯(浙江)新材料科技有限公司_202511232825.0
    本发明公开了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：S100，建立压力微扰频谱与气相迁移过程的耦合模型，基于长周期运行数据反演碳与硅组分比例的稳定区间，并据此标定界面能量临界值与温度梯度边界范围；S200...
    2026-03-08
  • 管理碳化硅晶体的生长
    管理碳化硅晶体的生长_半导体元件工业有限责任公司_202411355233.3
    本公开涉及管理碳化硅晶体的生长。SiC衬底需要用于高功率应用，诸如电动车辆、太阳能电池板和工业电子产品。可通过加入可移动源来改进用于碳化硅(SiC)锭生长的物理气相传输(PVT)设备。在该锭的生长期间，通过保持生长界面与源材料之间基本上恒定...
    2026-03-08
  • 导模法生长大尺寸蓝宝石板材的装置
    导模法生长大尺寸蓝宝石板材的装置_天通银厦新材料有限公司_202511087703.7
    本发明公开了一种导模法生长大尺寸蓝宝石板材的装置，包括生长炉、加热保温系统、坩埚系统、升降机构、旋转机构及提拉机构。生长炉分为独立分区加热的上炉室与下炉室，上炉室之间设有热屏，坩埚本体置于坩埚托盘上并设于下炉室内，坩埚托盘下侧设有升降机构和...
    2026-03-08
  • 一种石墨导流筒的智能导流方法
    一种石墨导流筒的智能导流方法_山东祥烁新型材料有限公司_202511155082.1
    本发明涉及石墨导流筒技术领域，尤其涉及一种石墨导流筒的智能导流方法。包括，将石墨导流筒固定部沿径向划分为若干径向区域，在通道区域上通过设置成对导流板生成气流通道；采集石墨导流筒旋转部的气流流速并生成气流模型；构建热流预测模型，对径向区域采取...
    2026-03-08
  • 一种晶体制备装置
    一种晶体制备装置_眉山博雅新材料股份有限公司_202511648900.1
    本说明书实施例提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括：腔体，用于放置原料；激光加热组件，用于加热原料；以及控制组件，用于在晶体生长过程中实时调节激光加热组件的加热参数，以实时调节晶体生长过程中的温度梯度。
    2026-03-08
  • 加热装置、单晶炉、改善单晶硅中氧沉淀的方法和单晶硅
    加热装置、单晶炉、改善单晶硅中氧沉淀的方法和单晶硅_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511300034.7
    本申请提供一种加热装置、单晶炉、改善单晶硅中氧沉淀的方法和单晶硅。加热装置包括若干环绕单晶硅间隔设置的加热片，加热片的顶部通过第一连接部连接，加热片的底部通过第二连接部连接；第一连接部和第二连接部均为环状结构；加热片包括自上至下依次连接的第...
    2026-03-08
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